公开(公告)号：TWI587524B

公开(公告)日：2017-06-11

申请号：TW105114442

申请日：2010-12-07

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 木村肇 ,  KIMURA, HAJIME ,  梅崎敦司 ,  UMEZAKI, ATSUSHI ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L27/124 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/1334 ,  G02F1/134309 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/133302 ,  G02F2001/13345 ,  G09G3/2007 ,  G09G3/36 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2310/0289 ,  G09G2310/08 ,  G09G2320/0252 ,  G09G2320/0257 ,  G09G2330/021 ,  H01L21/823412 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/127 ,  H01L29/247 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

公开(公告)号：TW201719258A

公开(公告)日：2017-06-01

申请号：TW105134067

申请日：2010-10-14

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 荒澤亮 ,  ARASAWA, RYO ,  宍戶英明 ,  SHISHIDO, HIDEAKI ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC分类号： G02F1/1368 ,  G02F1/1362

CPC分类号： H01L29/78609 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/134336 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/13624 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/134345 ,  G02F2201/123 ,  G02F2201/40 ,  G09G3/3614 ,  G09G3/3648 ,  G09G3/3677 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2300/0439 ,  G09G2300/0465 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/127 ,  H01L29/24 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

摘要： 本發明的一個方式提供在包括使用氧化物半導體的薄膜電晶體的像素中可以提高孔徑比的液晶顯示裝置。在液晶顯示裝置中，薄膜電晶體包括：閘極電極、與閘極電極重疊地設置的閘極絕緣層及氧化物半導體層以及與氧化物半導體層的一部分相重疊的源極電極及汲極電極，其中，薄膜電晶體設置在配置在像素部的信號線和像素電極之間，薄膜電晶體的截止電流1×10-13A或更小，可以只使用液晶電容器保持電位而不設置與液晶元件並聯的電容元件，並且在像素部不形成與像素電極連接的電容元件。

简体摘要： 本发明的一个方式提供在包括使用氧化物半导体的薄膜晶体管的像素中可以提高孔径比的液晶显示设备。在液晶显示设备中，薄膜晶体管包括：闸极电极、与闸极电极重叠地设置的闸极绝缘层及氧化物半导体层以及与氧化物半导体层的一部分相重叠的源极电极及汲极电极，其中，薄膜晶体管设置在配置在像素部的信号线和像素电极之间，薄膜晶体管的截止电流1×10-13A或更小，可以只使用液晶电容器保持电位而不设置与液芯片件并联的电容组件，并且在像素部不形成与像素电极连接的电容组件。

公开(公告)号：TW201717405A

公开(公告)日：2017-05-16

申请号：TW105142264

申请日：2011-12-26

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/7869 ,  G11C11/403 ,  G11C16/0433 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/1108 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

摘要： 本發明的一個實施例提供一種能夠進行高速工作的半導體裝置。此外，本發明的一個實施例還提供一種不容易發生因短通道效應而導致的電特性的變動的半導體裝置。將具有結晶性的氧化物半導體用於電晶體的半導體層，在該半導體層上形成通道形成區、源極區以及汲極區。源極區及汲極區藉由利用將閘極電極用作掩模且對半導體層添加第15族元素中的一種或多種的元素的自對準製程來形成。可以使源極區及汲極區具有纖鋅礦型晶體結構。

简体摘要： 本发明的一个实施例提供一种能够进行高速工作的半导体设备。此外，本发明的一个实施例还提供一种不容易发生因短信道效应而导致的电特性的变动的半导体设备。将具有结晶性的氧化物半导体用于晶体管的半导体层，在该半导体层上形成信道形成区、源极区以及汲极区。源极区及汲极区借由利用将闸极电极用作掩模且对半导体层添加第15族元素中的一种或多种的元素的自对准制程来形成。可以使源极区及汲极区具有纤锌矿型晶体结构。

公开(公告)号：TW201717285A

公开(公告)日：2017-05-16

申请号：TW105129760

申请日：2016-09-13

申请人： 三星電子股份有限公司 ,  SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

发明人： 洪俊九 ,  HONG, JOON GOO ,  奧布拉多維奇 博爾納 J. ,  OBRADOVIC, BORNA J. ,  羅德爾 馬克 S. ,  RODDER, MARK S.

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/78642 ,  H01L21/2256 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696

摘要： 本發明提供一種用於製造自對準垂直奈米薄片場效電晶體的方法。使用反應性離子蝕刻在包含多個層的層狀結構中蝕刻垂直溝槽，且藉由垂直半導體奈米薄片使用磊晶製程填充所述垂直溝槽。來自所述多個層當中的犧牲層經蝕刻掉，且藉由塗佈有高介電常數介電材料的導電（例如，金屬）閘極層替換。來自所述多個層當中的兩個其他層，一個在所述閘極層上方且一個在所述閘極層下方，經摻雜且充當在所述垂直半導體奈米薄片中形成兩個PN接面的擴散製程的摻雜劑供體。

简体摘要： 本发明提供一种用于制造自对准垂直奈米薄片场效应管的方法。使用反应性离子蚀刻在包含多个层的层状结构中蚀刻垂直沟槽，且借由垂直半导体奈米薄片使用磊晶制程填充所述垂直沟槽。来自所述多个层当中的牺牲层经蚀刻掉，且借由涂布有高介电常数介电材料的导电（例如，金属）闸极层替换。来自所述多个层当中的两个其他层，一个在所述闸极层上方且一个在所述闸极层下方，经掺杂且充当在所述垂直半导体奈米薄片中形成两个pn结的扩散制程的掺杂剂供体。

公开(公告)号：TWI581438B

公开(公告)日：2017-05-01

申请号：TW104132540

申请日：2010-11-04

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  小山潤 ,  KOYAMA, JUN ,  三宅博之 ,  MIYAKE, HIROYUKI

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L27/1225 ,  H01L21/02603 ,  H01L27/0883 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/127 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/045 ,  H01L29/24 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

公开(公告)号：TW201715709A

公开(公告)日：2017-05-01

申请号：TW104135223

申请日：2015-10-27

申请人： 群創光電股份有限公司 ,  INNOLUX CORPORATION

发明人： 李冠鋒 ,  LEE, KUANFENG ,  吳湲琳 ,  WU, YUANLIN ,  葉守圃 ,  YEH, SHOUPU

IPC分类号： H01L27/12 ,  G02F1/13 ,  H01L27/32

CPC分类号： H01L27/1233 ,  H01L22/14 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/127 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

摘要： 本揭露係提供一種顯示裝置，包括：一基板，設有一顯示區及一非顯示區，且該非顯示區係圍繞該顯示區設置；一第一薄膜電晶體單元，設於該顯示區上；以及一第二薄膜電晶體單元，設於該非顯示區上。其中，該第一薄膜電晶體單元之一第一半導體層具有一第一厚度；該第二電晶體單元之一第二半導體層具有一第二厚度；而該第一厚度小於該第二厚度。

简体摘要： 本揭露系提供一种显示设备，包括：一基板，设有一显示区及一非显示区，且该非显示区系围绕该显示区设置；一第一薄膜晶体管单元，设于该显示区上；以及一第二薄膜晶体管单元，设于该非显示区上。其中，该第一薄膜晶体管单元之一第一半导体层具有一第一厚度；该第二晶体管单元之一第二半导体层具有一第二厚度；而该第一厚度小于该第二厚度。

公开(公告)号：TW201714298A

公开(公告)日：2017-04-16

申请号：TW105107093

申请日：2016-03-08

申请人： 上海新昇半導體科技有限公司 ,  ZING SEMICONDUCTOR CORPORATION

发明人： 肖德元 ,  XIAO, DEYUAN

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L29/778 ,  H01L21/8238 ,  B82Y40/00

CPC分类号： H01L21/823807 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/092 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/068 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/267 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66469 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696

摘要： 本發明提供一種互補金氧半場效電晶體及其製備方法，包括一半導體基板，位於半導體基板中的相互隔離的一N型場效電晶體以及一P型場效電晶體。N型場效電晶體包括一第一鍺奈米線、一包圍在第一鍺奈米線四周的第一III-V化合物層、一位於第一III-V化合物層上的第一勢壘層、一第一閘極介電層和一第一閘極，以及分別位於第一閘極兩側的第一源區和第一汲區。P型場效電晶體包括第二鍺奈米線、包圍在第二鍺奈米線四周的第二III-V化合物層、位於第二III-V化合物層上的第二勢壘層、第二閘極介電層和第二閘極，以及分別位於第二閘極兩側的第二源區和第二汲區。本發明互補金氧半場效電晶體形成二維電子氣和二維電洞氣，且為閘極全包圍的元件，載子遷移率高。

简体摘要： 本发明提供一种互补金氧半场效应管及其制备方法，包括一半导体基板，位于半导体基板中的相互隔离的一N型场效应管以及一P型场效应管。N型场效应管包括一第一锗奈米线、一包围在第一锗奈米线四周的第一III-V化合物层、一位于第一III-V化合物层上的第一势垒层、一第一闸极介电层和一第一闸极，以及分别位于第一闸极两侧的第一源区和第一汲区。P型场效应管包括第二锗奈米线、包围在第二锗奈米线四周的第二III-V化合物层、位于第二III-V化合物层上的第二势垒层、第二闸极介电层和第二闸极，以及分别位于第二闸极两侧的第二源区和第二汲区。本发明互补金氧半场效应管形成二维电子气和二维电洞气，且为闸极全包围的组件，载子迁移率高。

公开(公告)号：TWI578543B

公开(公告)日：2017-04-11

申请号：TW103136119

申请日：2014-10-20

申请人： 群創光電股份有限公司 ,  INNOLUX CORPORATION

发明人： 沈義和 ,  SHEN, I HO ,  張榮芳 ,  CHANG, JUNG FANG

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L29/78618 ,  H01L27/288 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78696 ,  H01L51/0053 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0558

公开(公告)号：TWI578535B

公开(公告)日：2017-04-11

申请号：TW101138257

申请日：2012-10-17

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  早川昌彥 ,  HAYAKAWA, MASAHIKO ,  本田達也 ,  HONDA, TATSUYA

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L29/78606 ,  G02F1/1368 ,  G02F2203/01 ,  G02F2203/64 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/14616 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/24 ,  H01L29/45 ,  H01L29/49 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

公开(公告)号：TWI577026B

公开(公告)日：2017-04-01

申请号：TW099131867

申请日：2010-09-20

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 宮永昭治 ,  MIYANAGA, AKIHARU ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  坂倉真之 ,  SAKAKURA, MASAYUKI ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC分类号： H01L29/786

CPC分类号： H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/477 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696