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公开(公告)号：TW201541697A
公开(公告)日：2015-11-01
申请号：TW104106018
申请日：2015-02-25
申请人： 杰富意鋼鐵股份有限公司 , JFE STEEL CORPORATION
发明人： 矢野孝宜 , YANO, TAKAYOSHI , 石川伸 , ISHIKAWA, SHIN
CPC分类号： H01M8/021 , C23C28/02 , C25D3/12 , C25D3/40 , C25D3/46 , C25D3/48 , C25D3/60 , C25D5/12 , C25D5/36 , H01M8/0208 , H01M8/0228 , H01M8/026 , H01M8/1004 , H01M2008/1095 , H01M2250/20 , Y02T90/32
摘要： 本發明之固體高分子型燃料電池之分隔件用不銹鋼箔係於不銹鋼箔製之基體表面，介隔預鍍敷層而被覆Sn合金層皮膜，且將該預鍍敷層之基體被覆率設為2~70%。
简体摘要： 本发明之固体高分子型燃料电池之分隔件用不锈钢箔系于不锈钢箔制之基体表面，介隔预镀敷层而被覆Sn合金层皮膜，且将该预镀敷层之基体被覆率设为2~70%。
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公开(公告)号：TW201514347A
公开(公告)日：2015-04-16
申请号：TW103133878
申请日：2014-09-30
申请人： 荏原製作所股份有限公司 , EBARA CORPORATION
发明人： 南吉夫 , MINAMI, YOSHIO , 中田勉 , NAKADA, TSUTOMU
CPC分类号： C25D17/06 , C25D3/48 , C25D17/001 , C25D17/004 , C25D17/005 , C25D17/02 , C25D21/08
摘要： 提供一種無須增大設置面積，可減少附著於基板保持器之鍍覆液，進一步可對基板連續進行多階段鍍覆之鍍覆裝置。 本發明之鍍覆裝置具備：浸漬式鍍覆槽34，其係保持浸漬保持基板W之基板保持器8的第一鍍覆液；乾式鍍覆槽35，其係保持第二鍍覆液，並在側壁36具有孔36a；及按壓機構115，其係將保持基板W之基板保持器8按壓於乾式鍍覆槽35的側壁36，並以保持基板W之基板保持器8堵住孔36a。基板保持器8具備：第一密封部66，其係密封基板W與保持部件58之間的間隙；第二密封部68，其係密封基底部件54與保持部件58之間的間隙；及第三密封部69，其係密封保持部件58與乾式鍍覆槽35的側壁36之間的間隙。
简体摘要： 提供一种无须增大设置面积，可减少附着于基板保持器之镀覆液，进一步可对基板连续进行多阶段镀覆之镀覆设备。 本发明之镀覆设备具备：浸渍式镀覆槽34，其系保持浸渍保持基板W之基板保持器8的第一镀覆液；干式镀覆槽35，其系保持第二镀覆液，并在侧壁36具有孔36a；及按压机构115，其系将保持基板W之基板保持器8按压于干式镀覆槽35的侧壁36，并以保持基板W之基板保持器8堵住孔36a。基板保持器8具备：第一密封部66，其系密封基板W与保持部件58之间的间隙；第二密封部68，其系密封基底部件54与保持部件58之间的间隙；及第三密封部69，其系密封保持部件58与干式镀覆槽35的侧壁36之间的间隙。
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公开(公告)号：TWM491679U
公开(公告)日：2014-12-11
申请号：TW103213426
申请日：2014-07-29
发明人： 黃啓翔 , HUANG, CHI HSIANG , 張俊陽 , CHANG, CHUN YANG
IPC分类号： C25D5/00
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公开(公告)号：TW201425657A
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：TW102135804
申请日：2013-10-03
发明人： 露木純子 , TSUYUKI, JUNKO , 伊東正浩 , ITO, MASAHIRO
IPC分类号： C25D3/48 , C23C18/31 , C25D7/12 , H01L23/482 , H01L23/14
CPC分类号： C25D3/48 , C25D3/62 , C25D5/022 , C25D5/50 , C25D7/12 , C25D7/123 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L24/94 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/03848 , H01L2224/0401 , H01L2224/05644 , H01L2224/11462 , H01L2224/11848 , H01L2224/13144 , H01L2224/45144 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/01079 , H01L2924/01077 , H01L2924/01044 , H01L2924/01045 , H01L2924/01081 , H01L2924/00012 , H01L2224/03 , H01L2224/11 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要： 本發明提供一種非氰(non-cyanide)系電解鍍金液，其係即使在進行熱處理時，亦可形成可維持高硬度之鍍敷覆膜。本發明之非氰系電解鍍金液，其含有包含亞硫酸金鹼鹽或亞硫酸金銨之金源、及包含亞硫酸鹽及硫酸鹽之導電鹽，且當中所含銥、釕、銠之任一者的1種以上之鹽的金屬濃度為1至3000mg/L。同時，以含結晶調整劑為佳，特別以鉈更佳。
简体摘要： 本发明提供一种非氰(non-cyanide)系电解镀金液，其系即使在进行热处理时，亦可形成可维持高硬度之镀敷覆膜。本发明之非氰系电解镀金液，其含有包含亚硫酸金碱盐或亚硫酸金铵之金源、及包含亚硫酸盐及硫酸盐之导电盐，且当中所含铱、钌、铑之任一者的1种以上之盐的金属浓度为1至3000mg/L。同时，以含结晶调整剂为佳，特别以铊更佳。
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公开(公告)号：TW201415721A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：TW101139398
申请日：2012-10-25
发明人： 澀谷義孝 , SHIBUYA, YOSHITAKA , 深町一彥 , FUKAMACHI, KAZUHIKO , 兒玉篤志 , KODAMA, ATSUSHI
CPC分类号： C22C5/06 , B32B15/01 , C22C5/02 , C22C5/08 , C22C9/00 , C22C9/02 , C22C9/04 , C22C13/00 , C22C13/02 , C22C19/03 , C22C28/00 , C23C28/021 , C25D3/04 , C25D3/18 , C25D3/20 , C25D3/30 , C25D3/38 , C25D3/46 , C25D3/48 , C25D3/50 , C25D3/562 , C25D3/60 , C25D3/64 , C25D5/10 , C25D5/12 , C25D5/505 , C25D7/00
摘要： 本發明提供一種具有低插拔性、低晶鬚(whisker)性及高耐久性之電子零件用金屬材料及其製造方法。本發明之電子零件用金屬材料10具備基材11、A層、及B層；該A層14構成基材11之最表層，且由Sn、In或該等之合金形成；B層13設置於基材11與A層14之間而構成中層，且由Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os、Ir或該等之合金形成；且最表層(A層)14之厚度為0.002~0.2 μm，中層(B層)13之厚度厚於0.3 μm。
简体摘要： 本发明提供一种具有低插拔性、低晶须(whisker)性及高耐久性之电子零件用金属材料及其制造方法。本发明之电子零件用金属材料10具备基材11、A层、及B层；该A层14构成基材11之最表层，且由Sn、In或该等之合金形成；B层13设置于基材11与A层14之间而构成中层，且由Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os、Ir或该等之合金形成；且最表层(A层)14之厚度为0.002~0.2 μm，中层(B层)13之厚度厚于0.3 μm。
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公开(公告)号：TWI416649B
公开(公告)日：2013-11-21
申请号：TW100136140
申请日：2011-10-05
发明人： 理吉 詹斯A , RIEGE, JENS A. , 科諾德勒 海瑟L , KNOEDLER, HEATHER L. , 帝古 辛邦K , TIKU, SHIBAN K.
CPC分类号： H01L21/76898 , C25D3/48 , C25D5/08 , C25D7/123 , C25D17/001 , C25D17/06 , C25D17/10 , C25D17/12 , C25D21/10 , H01L21/304 , H01L21/6835 , H01L21/78 , H01L23/481 , H01L24/05 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2224/0557 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/1305 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
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公开(公告)号：TW201343979A
公开(公告)日：2013-11-01
申请号：TW102107670
申请日：2013-03-05
发明人： 彼德斯 亞歷山大 , PETERS, ALEXANDER VOLKER
IPC分类号： C25D3/48
摘要： 本發明係針對特殊的硫脲化合物在用於金和金合金的電解沈積方法中之用途。在該方法中，藉由添加到其電解質中的添加劑在低電流密度的區域中實現更高的金沈積。
简体摘要： 本发明系针对特殊的硫脲化合物在用于金和金合金的电解沉积方法中之用途。在该方法中，借由添加到其电解质中的添加剂在低电流密度的区域中实现更高的金沉积。
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公开(公告)号：TW201334326A
公开(公告)日：2013-08-16
申请号：TW101141492
申请日：2012-11-07
发明人： 鈴木智 , SUZUKI, SATOSHI , 小林良聰 , KOBAYASHI, YOSHIAKI
CPC分类号： C22C5/06 , B32B15/018 , C22C5/02 , C22C5/08 , C25D3/12 , C25D3/46 , C25D3/48 , C25D3/50 , C25D3/567 , C25D3/62 , C25D3/64 , C25D5/10 , C25D5/12 , C25D7/00 , H01R39/20
摘要： 本發明之整流器材料係於導電性基體之整面或一部分被覆銀或銀合金，進而於銀或銀合金之表面被覆金或金合金而成之材料，其特徵在於：於導電性基體被覆銀或銀合金後實施減面加工，其後被覆條紋狀之金或金合金。
简体摘要： 本发明之整流器材料系于导电性基体之整面或一部分被覆银或银合金，进而于银或银合金之表面被覆金或金合金而成之材料，其特征在于：于导电性基体被覆银或银合金后实施减面加工，其后被覆条纹状之金或金合金。
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公开(公告)号：TW201333275A
公开(公告)日：2013-08-16
申请号：TW101134472
申请日：2012-09-20
发明人： 惠姆勒 班德 , WEYHMUELLER, BERND , 馬茲 優偉 , MANZ, UWE , 伯朗德 克勞斯 , BRONDER, KLAUS , 托瑪卓尼 馬力歐 , TOMAZZONI, MARIO , 奧伯斯特 法蘭克 , OBERST, FRANK , 伯格 沙斯查 , BERGER, SASCHA
IPC分类号： C25D3/48
摘要： 本發明涉及一種用於(特別是)在電觸點上的金的電解沉積的方法。該方法的特徵在於：將多種特殊添加劑添加到該電解質中，該等添加劑允許了防止在低電流密度區域中所不希望的金沉積。
简体摘要： 本发明涉及一种用于(特别是)在电触点上的金的电解沉积的方法。该方法的特征在于：将多种特殊添加剂添加到该电解质中，该等添加剂允许了防止在低电流密度区域中所不希望的金沉积。
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公开(公告)号：TWI404835B
公开(公告)日：2013-08-11
申请号：TW098108444
申请日：2009-03-16
发明人： 高柳守 , TAKAYANAGI, MAMORU , 小田和弘 , ODA, KAZUHIRO , 道野貴由 , MICHINO, TAKAYOSHI , 鈴木岳彥 , SUZUKI, TAKEHIKO
IPC分类号： C25D5/12 , H01L23/488
CPC分类号： H01L23/4924 , C25D3/48 , C25D3/50 , C25D3/562 , C25D5/12 , C25D7/00 , H01L23/49582 , H01L24/48 , H01L2224/48245 , H01L2224/48247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01046 , H01L2924/01057 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H05K3/244 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
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