专利检索 cpc:"H01L29/78696" 第 9 页

81.

发明专利
薄膜電晶體有权
简体标题：薄膜晶体管

公开(公告)号：TWI556453B

公开(公告)日：2016-11-01

申请号：TW104103723

申请日：2015-02-04

申请人： 國立中山大學 , NATIONAL SUN YAT-SEN UNIVERSITY

发明人： 張鼎張 , CHANG, TING CHANG , 蔡明諺 , TSAI, MING YEN , 謝天宇 , HSIEH, TIAN YU

IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336

CPC分类号： H01L29/78696 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/7869

82.

发明专利
使用選擇性再生的頂部接點的半導體裝置及其製造方法有权
简体标题：使用选择性再生的顶部接点的半导体设备及其制造方法

公开(公告)号：TWI556322B

公开(公告)日：2016-11-01

申请号：TW104101665

申请日：2015-01-19

申请人： 英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION

发明人： 朱功班傑明 , CHU-KUNG, BENJAMIN , 狄威吉伯特 , DEWEY, GILBERT , 雷凡 , LE, VAN H. , 卡瓦萊羅斯傑克 , KAVALIEROS, JACK T. , 拉多撒福傑維克馬可 , RADOSAVLJEVIC, MARKO , 皮拉瑞斯提拉維 , PILLARISETTY, RAVI , 陳漢威 , THEN, HAN WUI , 穆可吉尼洛依 , MUKHERJEE, NILOY , 達斯古塔山薩塔克 , DASGUPTA, SANSAPTAK

IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7848 , H01L29/0676 , H01L29/0847 , H01L29/41741 , H01L29/42392 , H01L29/66356 , H01L29/66666 , H01L29/66742 , H01L29/66977 , H01L29/7391 , H01L29/7827 , H01L29/78618 , H01L29/78642 , H01L29/78681 , H01L29/78684 , H01L29/78696

83.

发明专利
奈米尺度結構上的磊晶膜审中-公开
简体标题：奈米尺度结构上的磊晶膜

公开(公告)号：TW201639004A

公开(公告)日：2016-11-01

申请号：TW105108267

申请日：2013-11-28

申请人： 英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION

发明人： 朱功班傑明 , CHU-KUNG, BENJAMIN , 雷凡 , LE, VAN H. , 喬羅伯特 , CHAU, ROBERT S. , 達斯古塔山薩塔克 , DASGUPTA, SANSAPTAK , 狄威吉伯特 , DEWEY, GILBERT , 高爾尼堤 , GOEL, NITI , 卡瓦萊羅斯傑克 , KAVALIEROS, JACK T. , 梅茲馬修 , METZ, MATTHEW V. , 穆可吉尼洛依 , MUKHERJEE, NILOY , 皮拉瑞斯提拉維 , PILLARISETTY, RAVI , 瑞奇曼第威利 , RACHMADY, WILLY , 拉多撒福傑維克馬可 , RADOSAVLJEVIC, MARKO , 陳漢威 , THEN, HAN WUI , 薛力格南西 , ZELICK, NANCY M.

IPC分类号： H01L21/205 , H01L29/78

CPC分类号： H01L29/1033 , H01L21/3086 , H01L29/04 , H01L29/0665 , H01L29/0669 , H01L29/0673 , H01L29/165 , H01L29/267 , H01L29/42392 , H01L29/66545 , H01L29/775 , H01L29/785 , H01L29/78696

摘要： 本發明之具體例包括磊晶層，其以使該層能以二或三個自由度鬆弛的方式直接接觸例如奈米線、翼片或柱體。該磊晶層可被包括在電晶體之通道區中。該奈米線、翼片或柱體可被移除以能更接近該磊晶層。完成此移除使能有"環繞式閘極"結構，其中該閘極圍繞該磊晶層之頂部、底部及側壁。其他具體例在本文中被描述。

简体摘要： 本发明之具体例包括磊晶层，其以使该层能以二或三个自由度松弛的方式直接接触例如奈米线、翼片或柱体。该磊晶层可被包括在晶体管之信道区中。该奈米线、翼片或柱体可被移除以能更接近该磊晶层。完成此移除使能有"环绕式闸极"结构，其中该闸极围绕该磊晶层之顶部、底部及侧壁。其他具体例在本文中被描述。

84.

发明专利
顯示裝置及具有顯示裝置之電子裝置审中-公开
简体标题：显示设备及具有显示设备之电子设备

公开(公告)号：TW201638919A

公开(公告)日：2016-11-01

申请号：TW105122428

申请日：2010-10-13

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 小山潤 , KOYAMA, JUN , 三宅博之 , MIYAKE, HIROYUKI

IPC分类号： G09G3/30 , G09G3/20 , G09F9/00 , H01L27/12

CPC分类号： G09G3/3208 , G09G3/2003 , G09G3/3233 , G09G2330/021 , H01L27/1225 , H01L27/3262 , H01L27/3276 , H01L29/78609 , H01L29/7869 , H01L29/78693 , H01L29/78696

摘要： 本發明的目的係設置降低電力消耗之顯示裝置，設置降低電力消耗且能夠在黑暗處長期使用之自發光顯示裝置。使用薄膜電晶體形成電路，在該薄膜電晶體中使用高純度的氧化物半導體和像素能夠保持某種狀態(已寫入視頻信號之狀態)。結果，甚至在顯示靜止影像時，仍容易執行穩定操作。此外，可延長驅動器電路的操作間距，如此能夠降低顯示裝置的電力消耗。而且，在自發光顯示裝置的像素部中使用光儲存材料來儲存光，藉以可長時間在黑暗處使用該顯示裝置。

简体摘要： 本发明的目的系设置降低电力消耗之显示设备，设置降低电力消耗且能够在黑暗处长期使用之自发光显示设备。使用薄膜晶体管形成电路，在该薄膜晶体管中使用高纯度的氧化物半导体和像素能够保持某种状态(已写入视频信号之状态)。结果，甚至在显示静止影像时，仍容易运行稳定操作。此外，可延长驱动器电路的操作间距，如此能够降低显示设备的电力消耗。而且，在自发光显示设备的像素部中使用光存储材料来存储光，借以可长时间在黑暗处使用该显示设备。

85.

发明专利
製造高效能與電安定之半導體金屬氧化物層的方法，此方法製造的層以及其應用有权
简体标题：制造高性能与电安定之半导体金属氧化物层的方法，此方法制造的层以及其应用

公开(公告)号：TWI555088B

公开(公告)日：2016-10-21

申请号：TW101136507

申请日：2012-10-03

申请人： 贏創德固賽有限責任公司 , EVONIK DEGUSSA GMBH

发明人： 史堤格喬根 , STEIGER, JUERGEN , 范德西 , PHAM, DUY VU , 紐曼安妮塔 , NEUMANN, ANITA , 馬可洛夫艾力克席 , MERKULOV, ALEXEY , 霍普爾恩 , HOPPE, ARNE

IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/762 , H01L21/336

CPC分类号： H01L29/78696 , C23C18/1208 , C23C18/1225 , C23C18/1279 , C23C18/14 , H01L21/02472 , H01L21/02483 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02614 , H01L21/02628 , H01L21/02664 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/7869

86.

发明专利
半導體裝置的製造方法有权
简体标题：半导体设备的制造方法

公开(公告)号：TWI555087B

公开(公告)日：2016-10-21

申请号：TW101114918

申请日：2012-04-26

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 肥塚純一 , KOEZUKA, JUNICHI , 山出直人 , YAMADE, NAOTO , 佐藤裕平 , SATO, YUHEI , 岡崎豐 , OKAZAKI, YUTAKA , 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/336 , H01L21/324 , H01L29/786

CPC分类号： H01L27/1274 , H01L21/02565 , H01L21/02609 , H01L21/02667 , H01L21/383 , H01L21/44 , H01L21/477 , H01L27/1225 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/7869 , H01L29/78696

87.

发明专利
主動元件結構及其製作方法审中-公开
简体标题：主动组件结构及其制作方法

公开(公告)号：TW201637212A

公开(公告)日：2016-10-16

申请号：TW104111798

申请日：2015-04-13

申请人： 友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION

发明人： 葉柏良 , YEH, PO LIANG , 吳振中 , WU, CHEN CHUNG , 張君安 , CHANG, CHUN AN , 游江津 , YOU, JIANG JIN , 張家銘 , CHANG, CHIA MING

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7869 , H01L21/02164 , H01L21/02274 , H01L21/477 , H01L27/1225 , H01L27/1229 , H01L29/04 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/78648 , H01L29/78696

摘要： 一種主動元件結構及製作方法，其中主動元件結構包括閘極、氧化物通道層、源極、汲極、與高能量絕緣層。氧化物通道層與閘極上下疊置，其中氧化物通道包括一上層與一下層，且上層的晶格結構與下層的晶格結構不同。源極及汲極皆與氧化物通道層接觸，其中源極與汲極以氧化物通道層相隔一間距並定義出一通道區。高能量與絕緣層氧化物通道層的上層接觸。氧化物通道層的上層結構可以提供擋光效果，進而改善氧化物通道層照光而產生的臨界電壓偏移問題。

简体摘要： 一种主动组件结构及制作方法，其中主动组件结构包括闸极、氧化物信道层、源极、汲极、与高能量绝缘层。氧化物信道层与闸极上下叠置，其中氧化物信道包括一上层与一下层，且上层的晶格结构与下层的晶格结构不同。源极及汲极皆与氧化物信道层接触，其中源极与汲极以氧化物信道层相隔一间距并定义出一信道区。高能量与绝缘层氧化物信道层的上层接触。氧化物信道层的上层结构可以提供挡光效果，进而改善氧化物信道层照光而产生的临界电压偏移问题。