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公开(公告)号：TW201812748A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106121147
申请日：2017-06-23
发明人： 塩野入豊 , SHIONOIRI, YUTAKA , 熱海知昭 , ATSUMI, TOMOAKI , 加藤清 , KATO, KIYOSHI , 松嵜隆德 , MATSUZAKI, TAKANORI
IPC分类号： G11C5/06 , H01L27/11556 , H01L27/11582 , H01L29/24
CPC分类号： G11C5/06 , G11C5/025 , G11C5/063 , G11C11/403 , G11C11/404 , G11C11/405 , G11C11/4074 , G11C11/4076 , G11C11/4091 , G11C11/4097 , H01L21/8258 , H01L27/0222 , H01L27/0688 , H01L27/11556 , H01L27/11582 , H01L29/24 , H01L29/7869
摘要： 本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種輸出電壓大的半導體裝置。第一電晶體的閘極藉由第一電容器電連接於第一端子。第二電晶體的閘極藉由第二電容器電連接於第二端子。第三電晶體的源極和汲極中的一個藉由第三電容器電連接於第一電晶體的閘極。第四電晶體的源極和汲極中的一個藉由第四電容器電連接於第二電晶體的閘極。第三電晶體的源極和汲極中的另一個及第四電晶體的源極和汲極中的另一個電連接於高電位電源。第三端子電連接於第二電晶體的源極和汲極中的一個。
简体摘要： 本发明的一个实施方式的目的之一是提供一种输出电压大的半导体设备。第一晶体管的闸极借由第一电容器电连接于第一端子。第二晶体管的闸极借由第二电容器电连接于第二端子。第三晶体管的源极和汲极中的一个借由第三电容器电连接于第一晶体管的闸极。第四晶体管的源极和汲极中的一个借由第四电容器电连接于第二晶体管的闸极。第三晶体管的源极和汲极中的另一个及第四晶体管的源极和汲极中的另一个电连接于高电位电源。第三端子电连接于第二晶体管的源极和汲极中的一个。
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公开(公告)号：TW201810267A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106112664
申请日：2017-04-14
发明人： 加藤清 , KATO, KIYOSHI , 塩野入豊 , SHIONOIRI, YUTAKA , 松嵜隆德 , MATSUZAKI, TAKANORI
IPC分类号： G11C11/4074 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L29/786
CPC分类号： H03K17/6871 , G11C5/025 , G11C7/06 , G11C11/404 , G11C11/405 , G11C11/4074 , G11C11/4091 , G11C11/4097 , H01L29/24 , H01L29/26 , H01L29/7782 , H01L29/7786 , H02M3/07 , H03K19/0944
摘要： 本發明的一個實施方式的目的是保持電位穩定、高精度地生成負電位或提供輸出電壓高的半導體裝置。一種包括第一電晶體、第二電晶體、電容器及比較器的半導體裝置。比較器包括非反相輸入端子、反相輸入端子及輸出端子，第一電晶體的源極和汲極中的一個與閘極電連接，第二電晶體的源極和汲極中的一個與比較器的非反相輸入端子、電容器的一個電極及第二電晶體的閘極電連接，第二電晶體的源極和汲極中的另一個與第一電晶體的源極和汲極中的一個電連接，第一電晶體及第二電晶體包含氧化物半導體。
简体摘要： 本发明的一个实施方式的目的是保持电位稳定、高精度地生成负电位或提供输出电压高的半导体设备。一种包括第一晶体管、第二晶体管、电容器及比较器的半导体设备。比较器包括非反相输入端子、反相输入端子及输出端子，第一晶体管的源极和汲极中的一个与闸极电连接，第二晶体管的源极和汲极中的一个与比较器的非反相输入端子、电容器的一个电极及第二晶体管的闸极电连接，第二晶体管的源极和汲极中的另一个与第一晶体管的源极和汲极中的一个电连接，第一晶体管及第二晶体管包含氧化物半导体。
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公开(公告)号：TW201733086A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW106116701
申请日：2011-08-04
发明人： 井上廣樹 , INOUE, HIROKI , 加藤清 , KATO, KIYOSHI , 松崎隆德 , MATSUZAKI, TAKANORI , 長塚修平 , NAGATSUKA, SHUHEI
IPC分类号： H01L27/115 , G11C16/04 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L27/1052 , G11C11/404 , G11C11/405 , G11C11/4091 , G11C16/0408 , G11C16/08 , G11C16/24 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L21/425 , H01L21/441 , H01L21/477 , H01L27/108 , H01L27/11521 , H01L27/11526 , H01L27/1156 , H01L27/1207 , H01L27/1222 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L29/66969 , H01L29/78651 , H01L29/7869 , H01L29/78696
摘要： 提供一種具有非揮發性儲存單元的半導體裝置，該非揮發性儲存單元包括使用氧化物半導體的寫入用電晶體、使用與該寫入用電晶體不同的半導體材料的讀出用電晶體以及電容元件。藉由使寫入用電晶體成為導通狀態，將電位供應到寫入用電晶體的源極電極(或汲極電極)、電容元件的一方電極、讀出用電晶體的閘極電極彼此電連接的節點，然後，藉由使寫入用電晶體成為截止狀態，使節點保持預定量的電荷，以對儲存單元寫入資訊。另外，作為讀出用電晶體使用p通道型電晶體，而將讀出電位設定為正的電位。
简体摘要： 提供一种具有非挥发性存储单元的半导体设备，该非挥发性存储单元包括使用氧化物半导体的写入用晶体管、使用与该写入用晶体管不同的半导体材料的读出用晶体管以及电容组件。借由使写入用晶体管成为导通状态，将电位供应到写入用晶体管的源极电极(或汲极电极)、电容组件的一方电极、读出用晶体管的闸极电极彼此电连接的节点，然后，借由使写入用晶体管成为截止状态，使节点保持预定量的电荷，以对存储单元写入信息。另外，作为读出用晶体管使用p信道型晶体管，而将读出电位设置为正的电位。
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公开(公告)号：TWI552315B
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW100127747
申请日：2011-08-04
发明人： 井上廣樹 , INOUE, HIROKI , 加藤清 , KATO, KIYOSHI , 松崎隆德 , MATSUZAKI, TAKANORI , 長塚修平 , NAGATSUKA, SHUHEI
IPC分类号： H01L27/115 , G11C16/04 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L27/1052 , G11C11/404 , G11C11/405 , G11C11/4091 , G11C16/0408 , G11C16/08 , G11C16/24 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L21/425 , H01L21/441 , H01L21/477 , H01L27/108 , H01L27/11521 , H01L27/11526 , H01L27/1156 , H01L27/1207 , H01L27/1222 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L29/66969 , H01L29/78651 , H01L29/7869 , H01L29/78696
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公开(公告)号：TWI544493B
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：TW101112632
申请日：2012-04-10
发明人： 松崎隆德 , MATSUZAKI, TAKANORI
IPC分类号： G11C7/00
CPC分类号： G11C7/00 , G11C11/404 , G11C16/0416 , H01L27/1156 , H01L27/1225
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公开(公告)号：TWI529737B
公开(公告)日：2016-04-11
申请号：TW100104212
申请日：2011-02-09
发明人： 齋藤利彥 , SAITO, TOSHIHIKO , 松崎隆德 , MATSUZAKI, TAKANORI , 長塚修平 , NAGATSUKA, SHUHEI , 井上廣樹 , INOUE, HIROKI
IPC分类号： G11C5/06 , G11C11/405
CPC分类号： G11C11/405 , H01L27/11521 , H01L27/1156 , H01L27/1225 , H01L28/40
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公开(公告)号：TW201537570A
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：TW104121318
申请日：2010-12-24
发明人： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 小山潤 , KOYAMA, JUN , 加藤清 , KATO, KIYOSHI , 長塚修平 , NAGATSUKA, SHUHEI , 松崎隆德 , MATSUZAKI, TAKANORI , 井上廣樹 , INOUE, HIROKI
IPC分类号： G11C11/405 , H01L27/105
CPC分类号： H01L29/7869 , G11C16/0425 , H01L27/105 , H01L27/108 , H01L27/10802 , H01L27/10805 , H01L27/11 , H01L27/115 , H01L27/11517 , H01L27/11551 , H01L27/1156 , H01L27/11563 , H01L27/11568 , H01L27/1225 , H01L28/40 , H01L29/78693 , H01L29/788 , H01L29/7881 , H01L29/792
摘要： 半導體裝置包括源極線、位元線、信號線、字線、在源極線與位元線之間並聯連接的記憶胞、經由切換元件電連接至源極線及位元線之第一驅動器電路、經由切換元件電連接至源極線之第二驅動器電路、電連接至信號線之第三驅動器電路、以及電連接至字線之第四驅動器電路。記憶胞包括包含第一閘極電極、第一源極電極、及第一汲極電極之第一電晶體、包含第二閘極電極、第二源極電極、及第二汲極電極之第二電晶體、以及電容器。第二電晶體包含氧化物半導體材料。
简体摘要： 半导体设备包括源极线、比特线、信号线、字线、在源极线与比特线之间并联连接的记忆胞、经由切换组件电连接至源极线及比特线之第一驱动器电路、经由切换组件电连接至源极线之第二驱动器电路、电连接至信号线之第三驱动器电路、以及电连接至字线之第四驱动器电路。记忆胞包括包含第一闸极电极、第一源极电极、及第一汲极电极之第一晶体管、包含第二闸极电极、第二源极电极、及第二汲极电极之第二晶体管、以及电容器。第二晶体管包含氧化物半导体材料。
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公开(公告)号：TWI647818B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：TW106116701
申请日：2011-08-04
发明人： 井上廣樹 , INOUE, HIROKI , 加藤清 , KATO, KIYOSHI , 松崎隆德 , MATSUZAKI, TAKANORI , 長塚修平 , NAGATSUKA, SHUHEI
IPC分类号： H01L27/115 , G11C16/04
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公开(公告)号：TWI594403B
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105121104
申请日：2011-08-04
发明人： 井上廣樹 , INOUE, HIROKI , 加藤清 , KATO, KIYOSHI , 松崎隆德 , MATSUZAKI, TAKANORI , 長塚修平 , NAGATSUKA, SHUHEI
IPC分类号： H01L27/115 , G11C16/04 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L27/1052 , G11C11/404 , G11C11/405 , G11C11/4091 , G11C16/0408 , G11C16/08 , G11C16/24 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L21/425 , H01L21/441 , H01L21/477 , H01L27/108 , H01L27/11521 , H01L27/11526 , H01L27/1156 , H01L27/1207 , H01L27/1222 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L29/66969 , H01L29/78651 , H01L29/7869 , H01L29/78696
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公开(公告)号：TW201637179A
公开(公告)日：2016-10-16
申请号：TW105121104
申请日：2011-08-04
发明人： 井上廣樹 , INOUE, HIROKI , 加藤清 , KATO, KIYOSHI , 松崎隆德 , MATSUZAKI, TAKANORI , 長塚修平 , NAGATSUKA, SHUHEI
IPC分类号： H01L27/115 , G11C16/04 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L27/1052 , G11C11/404 , G11C11/405 , G11C11/4091 , G11C16/0408 , G11C16/08 , G11C16/24 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L21/425 , H01L21/441 , H01L21/477 , H01L27/108 , H01L27/11521 , H01L27/11526 , H01L27/1156 , H01L27/1207 , H01L27/1222 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L29/66969 , H01L29/78651 , H01L29/7869 , H01L29/78696
摘要： 提供一種具有非揮發性儲存單元的半導體裝置，該非揮發性儲存單元包括使用氧化物半導體的寫入用電晶體、使用與該寫入用電晶體不同的半導體材料的讀出用電晶體以及電容元件。藉由使寫入用電晶體成為導通狀態，將電位供應到寫入用電晶體的源極電極(或汲極電極)、電容元件的一方電極、讀出用電晶體的閘極電極彼此電連接的節點，然後，藉由使寫入用電晶體成為截止狀態，使節點保持預定量的電荷，以對儲存單元寫入資訊。另外，作為讀出用電晶體使用p通道型電晶體，而將讀出電位設定為正的電位。
简体摘要： 提供一种具有非挥发性存储单元的半导体设备，该非挥发性存储单元包括使用氧化物半导体的写入用晶体管、使用与该写入用晶体管不同的半导体材料的读出用晶体管以及电容组件。借由使写入用晶体管成为导通状态，将电位供应到写入用晶体管的源极电极(或汲极电极)、电容组件的一方电极、读出用晶体管的闸极电极彼此电连接的节点，然后，借由使写入用晶体管成为截止状态，使节点保持预定量的电荷，以对存储单元写入信息。另外，作为读出用晶体管使用p信道型晶体管，而将读出电位设置为正的电位。
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