公开(公告)号：TW201639136A

公开(公告)日：2016-11-01

申请号：TW104139364

申请日：2015-11-26

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

Inventor： 黃志昌 ,  HUANG, CHIH CHANG ,  盧祈鳴 ,  LU, CHI MING ,  陳建明 ,  CHEN, JIAN MING ,  曹榮志 ,  TSAO, JUNG CHIH ,  梁耀祥 ,  LIANG, YAO HSIANG

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76889 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14689 ,  H01L27/14698

Abstract: 本揭露的某些實施方式提出一種背照式(BSI)影像感測器。所述背照式(BSI)影像感測器包括半導體基板與位於半導體基板前側之層間介電(ILD)層。ILD層包括位於半導體基板上之介電層，以及部分埋設於半導體基板內之接點。所述接點包括一矽化物層，其有一預定厚度，其範圍接近約600埃至約1200埃。

Abstract in simplified Chinese: 本揭露的某些实施方式提出一种背照式(BSI)影像传感器。所述背照式(BSI)影像传感器包括半导体基板与位于半导体基板前侧之层间介电(ILD)层。ILD层包括位于半导体基板上之介电层，以及部分埋设于半导体基板内之接点。所述接点包括一硅化物层，其有一预定厚度，其范围接近约600埃至约1200埃。

公开(公告)号：TWI316285B

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：TW095133194

申请日：2006-09-08

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 王喻生 ,  曹榮志 ,  陳科維 ,  張世杰 ,  王英郎

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/76846 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76865

Abstract: 本發明提供一種半導體裝置的製作方法、內連線結構及其製作方法。在上述內連線結構的製作方法中，包括製作具有改良之阻障層，其中阻障層設置於內連線的導電材料與形成之內連線凹槽的介電層之間。形成一介電層於具有至少一接觸區域的基底上方。藉由形成一內連線凹槽，接著，沈積氮化鉭的第一阻障層，且以再濺射步驟處理此第一阻障層的操作，製作用來供應給接觸區域的一內連線。之後，沈積及再濺射鉭薄膜的第二阻障層。接下，形成一晶種層，接著使用導電材料填充內連線凹槽。平坦化基底表面，使得進行更進一步的製作以完成半導體的製程。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种半导体设备的制作方法、内连接结构及其制作方法。在上述内连接结构的制作方法中，包括制作具有改良之阻障层，其中阻障层设置于内连接的导电材料与形成之内连接凹槽的介电层之间。形成一介电层于具有至少一接触区域的基底上方。借由形成一内连接凹槽，接着，沉积氮化钽的第一阻障层，且以再溅射步骤处理此第一阻障层的操作，制作用来供应给接触区域的一内连接。之后，沉积及再溅射钽薄膜的第二阻障层。接下，形成一晶种层，接着使用导电材料填充内连接凹槽。平坦化基底表面，使得进行更进一步的制作以完成半导体的制程。

公开(公告)号：TWI634631B

公开(公告)日：2018-09-01

申请号：TW106122048

申请日：2017-06-30

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 梁耀祥 ,  LIANG, YAO HSIANG ,  盧祈鳴 ,  LU, CHI MING ,  黃之駿 ,  HUANG, CHIH CHUN ,  黃志昌 ,  HUANG, CHIH CHANG ,  曹榮志 ,  TSAO, JUNG CHIH

IPC: H01L23/34

公开(公告)号：TWI345288B

公开(公告)日：2011-07-11

申请号：TW095127271

申请日：2006-07-26

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 曹榮志 ,  陳科維 ,  張世杰 ,  林俞谷 ,  王英郎

IPC: H01L

CPC classification number: H01L23/485 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76865 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本發明提供一種半導體裝置，包括：一基底；一介電層，形成於該基底上；一開口，形成於該介電層中；一第一阻障層，覆蓋於該開口之側壁；一第二阻障層，覆蓋於該第一阻障層上與該開口之底部；以及一導電層，填入該開口。本發明另提供一種半導體裝置之製造方法。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种半导体设备，包括：一基底；一介电层，形成于该基底上；一开口，形成于该介电层中；一第一阻障层，覆盖于该开口之侧壁；一第二阻障层，覆盖于该第一阻障层上与该开口之底部；以及一导电层，填入该开口。本发明另提供一种半导体设备之制造方法。

公开(公告)号：TWI612613B

公开(公告)日：2018-01-21

申请号：TW106108023

申请日：2017-03-10

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 李家銘 ,  LI, JIA MING ,  梁耀祥 ,  LIANG, YAO HSIANG ,  曹榮志 ,  TSAO, JUNG CHIH ,  朱炫權 ,  CHU, HSUAN CHUAN ,  蘇賢紘 ,  SU, SHIAN HUNG

IPC: H01L21/683 ,  B23Q3/15

公开(公告)号：TWI605580B

公开(公告)日：2017-11-11

申请号：TW104139364

申请日：2015-11-26

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

Inventor： 黃志昌 ,  HUANG, CHIH CHANG ,  盧祈鳴 ,  LU, CHI MING ,  陳建明 ,  CHEN, JIAN MING ,  曹榮志 ,  TSAO, JUNG CHIH ,  梁耀祥 ,  LIANG, YAO HSIANG

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76889 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14689 ,  H01L27/14698

公开(公告)号：TWI343421B

公开(公告)日：2011-06-11

申请号：TW094146699

申请日：2005-12-27

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 曹榮志 ,  劉繼文 ,  馮憲平 ,  鄭錫圭 ,  林士琦 ,  鄭閔元

IPC: C25D

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/76861 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76876

Abstract: 本發明係提供一種形成低缺陷金屬層之方法，包括提供一結構，形成一包含一開口之介電層於該結構上，形成一金屬晶種層內襯於該開口，以一清潔步驟處理該金屬晶種層以清除污染物，以及形成一金屬層於該金屬晶種層上。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系提供一种形成低缺陷金属层之方法，包括提供一结构，形成一包含一开口之介电层于该结构上，形成一金属晶种层内衬于该开口，以一清洁步骤处理该金属晶种层以清除污染物，以及形成一金属层于该金属晶种层上。

公开(公告)号：TW201834130A

公开(公告)日：2018-09-16

申请号：TW106108023

申请日：2017-03-10

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 李家銘 ,  LI, JIA MING ,  梁耀祥 ,  LIANG, YAO HSIANG ,  曹榮志 ,  TSAO, JUNG CHIH ,  朱炫權 ,  CHU, HSUAN CHUAN ,  蘇賢紘 ,  SU, SHIAN HUNG

IPC: H01L21/683 ,  B23Q3/15

Abstract: 本揭露提出一種靜電式晶圓吸附座及其製造方法，其中靜電式晶圓吸附座包含具有第一表面的承載座以及複數個突起結構。所述複數個突起結構係分佈在前述第一表面上，且每一個突起結構包含氧化鋁層、黏著層以及抗磨耗層，其中氧化鋁層係埋設於第一表面中，黏著層係設置於氧化鋁層上，而抗磨耗層係設置於黏著層上。上述方法包含將黏著層先沉積於埋設在承載座中之氧化鋁層上，以及將抗磨耗層沉積在黏著層上。

Abstract in simplified Chinese: 本揭露提出一种静电式晶圆吸附座及其制造方法，其中静电式晶圆吸附座包含具有第一表面的承载座以及复数个突起结构。所述复数个突起结构系分布在前述第一表面上，且每一个突起结构包含氧化铝层、黏着层以及抗磨耗层，其中氧化铝层系埋设于第一表面中，黏着层系设置于氧化铝层上，而抗磨耗层系设置于黏着层上。上述方法包含将黏着层先沉积于埋设在承载座中之氧化铝层上，以及将抗磨耗层沉积在黏着层上。

公开(公告)号：TWI611508B

公开(公告)日：2018-01-11

申请号：TW104137689

申请日：2015-11-16

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

Inventor： 方立言 ,  FANG, LI YEN ,  黃志昌 ,  HUANG, CHIH CHANG ,  曹榮志 ,  TSAO, JUNG CHIH ,  梁耀祥 ,  LIANG, YAO HSIANG ,  林俞谷 ,  LIN, YU KU

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/53238 ,  H01L25/0657 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14687

公开(公告)号：TW201639076A

公开(公告)日：2016-11-01

申请号：TW104137689

申请日：2015-11-16

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

Inventor： 方立言 ,  FANG, LI YEN ,  黃志昌 ,  HUANG, CHIH CHANG ,  曹榮志 ,  TSAO, JUNG CHIH ,  梁耀祥 ,  LIANG, YAO HSIANG ,  林俞谷 ,  LIN, YU KU

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/53238 ,  H01L25/0657 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14687

Abstract: 半導體結構包括：基板，包括第一側、與第一側相對的第二側和位於第二側上方的器件層；以及導電通路，延伸穿過基板並且包括鄰近第一側的第一部分和鄰近器件層的第二部分，其中，導電通路包括位於第一部分和第二部分之間的界面，第一部分的平均顆粒尺寸與第二部分的平均顆粒尺寸基本上不同。

Abstract in simplified Chinese: 半导体结构包括：基板，包括第一侧、与第一侧相对的第二侧和位于第二侧上方的器件层；以及导电通路，延伸穿过基板并且包括邻近第一侧的第一部分和邻近器件层的第二部分，其中，导电通路包括位于第一部分和第二部分之间的界面，第一部分的平均颗粒尺寸与第二部分的平均颗粒尺寸基本上不同。