公开(公告)号：TWI638905B

公开(公告)日：2018-10-21

申请号：TW106112158

申请日：2017-04-12

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 林劍鋒 ,  LIN, CHIEN FENG ,  楊懷德 ,  YANG, HUAI TEI ,  張世杰 ,  CHANG, SHIH CHIEH ,  張家睿 ,  CHANG, CHIA JUI ,  林礽豪 ,  LIN, JENG HAO

IPC: C23C16/46

公开(公告)号：TW201804524A

公开(公告)日：2018-02-01

申请号：TW105136100

申请日：2016-11-07

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 黃翊銘 ,  HUANG, YI MIN ,  陳秀亭 ,  CHEN, HSIU TING ,  張世杰 ,  CHANG, SHIH CHIEH

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/768 ,  H01L29/43

CPC classification number: H01L21/28518 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/535 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/7851

Abstract: 提供P-型金氧半場效電晶體的源極結構的製造方法。方法中，於場效電晶體的源極區上形成包含Si1-xGex的第一磊晶層。於第一磊晶層上形成包含Si1-yGey的第二磊晶層。於第二磊晶層上形成包含Si1-zGez的第三磊晶層。z小於y。

Abstract in simplified Chinese: 提供P-型金氧半场效应管的源极结构的制造方法。方法中，于场效应管的源极区上形成包含Si1-xGex的第一磊晶层。于第一磊晶层上形成包含Si1-yGey的第二磊晶层。于第二磊晶层上形成包含Si1-zGez的第三磊晶层。z小于y。

公开(公告)号：TWI582987B

公开(公告)日：2017-05-11

申请号：TW104137682

申请日：2015-11-16

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

Inventor： 廖晉毅 ,  LIAO, CHIN I ,  張世杰 ,  CHANG, SHIH CHIEH

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7851 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/165 ,  H01L29/36 ,  H01L29/7848

公开(公告)号：TW201719770A

公开(公告)日：2017-06-01

申请号：TW105137213

申请日：2016-11-15

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 廖晉毅 ,  LIAO, CHIN-I ,  張世杰 ,  CHANG, SHIH-CHIEH ,  張鼎張 ,  CHANG, TING-CHANG ,  周櫻旻 ,  CHOU, YING-MIN ,  侯孟南 ,  HOW, MON-NAN

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/283 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 本發明實施例提供了一種鰭式場效應電晶體的製造方法，此方法至少包括以下步驟。圖案化半導體基底以在半導體基底中形成多個溝槽並且在溝槽之間形成至少一個半導體鰭。在溝槽中形成絕緣體。在半導體鰭的部分上方和絕緣體的部分上方形成閘極堆疊件。在被閘極堆疊件暴露的半導體鰭的部分上方形成摻雜有導電摻雜劑的應變材料，並且透過選擇性地生長的具有漸變摻雜濃度的磊晶層來形成應變材料。

Abstract in simplified Chinese: 本发明实施例提供了一种鳍式场效应晶体管的制造方法，此方法至少包括以下步骤。图案化半导体基底以在半导体基底中形成多个沟槽并且在沟槽之间形成至少一个半导体鳍。在沟槽中形成绝缘体。在半导体鳍的部分上方和绝缘体的部分上方形成闸极堆栈件。在被闸极堆栈件暴露的半导体鳍的部分上方形成掺杂有导电掺杂剂的应变材料，并且透过选择性地生长的具有渐变掺杂浓度的磊晶层来形成应变材料。

公开(公告)号：TW201535607A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：TW103146199

申请日：2014-12-30

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張簡旭珂 ,  JANGJIAN, SHIU KO ,  王俊傑 ,  WANG, CHUN CHIEH ,  張世杰 ,  CHANG, SHIH CHIEH ,  周櫻旻 ,  CHOU, YING MIN

IPC: H01L21/8232

CPC classification number: H01L29/7847 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/324 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/165 ,  H01L29/32 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7848

Abstract: 一種製造一半導體積體電路(IC)的方法被揭露。上述方法包括提供一基板。上述基板包括一閘極堆疊，位於上述基板的上方，且源/汲極區域藉由上述閘極堆疊彼此隔開。上述方法並且包括於上述源/汲極區域內的一第一深度形成具有一第一夾點的一第一位錯。於上述源/汲極區域內的一第二深度形成具有一第二夾點的一第二位錯。上述第二深度實質上小於上述第一深度。

Abstract in simplified Chinese: 一种制造一半导体集成电路(IC)的方法被揭露。上述方法包括提供一基板。上述基板包括一闸极堆栈，位于上述基板的上方，且源/汲极区域借由上述闸极堆栈彼此隔开。上述方法并且包括于上述源/汲极区域内的一第一深度形成具有一第一夹点的一第一位错。于上述源/汲极区域内的一第二深度形成具有一第二夹点的一第二位错。上述第二深度实质上小于上述第一深度。

公开(公告)号：TWI484652B

公开(公告)日：2015-05-11

申请号：TW101143199

申请日：2012-11-20

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張世杰 ,  CHANG, SHIH CHIEH ,  蔡建欣 ,  TSAI, JIAN SHIN ,  黃志昌 ,  HUANG, CHIH CHANG ,  李盈儒 ,  LEE, ING JU ,  孫敬堯 ,  SUN, CHING YAO ,  吳鈞儒 ,  WU, JYUN RU ,  黃敬哲 ,  HUANG, CHING CHE ,  吳斯安 ,  WU, SZU AN ,  王英郎 ,  WANG, YING LANG

IPC: H01L31/167 ,  H01L31/173 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L27/1464 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/14685

公开(公告)号：TWI345288B

公开(公告)日：2011-07-11

申请号：TW095127271

申请日：2006-07-26

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 曹榮志 ,  陳科維 ,  張世杰 ,  林俞谷 ,  王英郎

IPC: H01L

CPC classification number: H01L23/485 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76865 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本發明提供一種半導體裝置，包括：一基底；一介電層，形成於該基底上；一開口，形成於該介電層中；一第一阻障層，覆蓋於該開口之側壁；一第二阻障層，覆蓋於該第一阻障層上與該開口之底部；以及一導電層，填入該開口。本發明另提供一種半導體裝置之製造方法。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种半导体设备，包括：一基底；一介电层，形成于该基底上；一开口，形成于该介电层中；一第一阻障层，覆盖于该开口之侧壁；一第二阻障层，覆盖于该第一阻障层上与该开口之底部；以及一导电层，填入该开口。本发明另提供一种半导体设备之制造方法。

公开(公告)号：TWI682441B

公开(公告)日：2020-01-11

申请号：TW106116616

申请日：2017-05-19

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 黃翊銘 ,  HUANG, YI MIN ,  張世杰 ,  CHANG, SHIH CHIEH ,  李承翰 ,  LEE, CHENG HAN

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/08 ,  H01L29/16 ,  H01L29/24 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

公开(公告)号：TW201830500A

公开(公告)日：2018-08-16

申请号：TW106118240

申请日：2017-06-02

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 黃士文 ,  HUANG, SHIH WEN ,  朱韻文 ,  CHU, YUN WEN ,  柯宏憲 ,  KE, HONG HSIEN ,  林嘉慧 ,  LIN, CHIA HUI ,  蔡釋嚴 ,  TSAI, SHIN YEU ,  張世杰 ,  CHANG, SHIH CHIEH

IPC: H01L21/283

Abstract: 提供了半導體裝置結構之製造方法。此半導體裝置結構之製造方法包括形成一閘極結構於一半導體基板上，形成複數個間隔構件鄰接該閘極結構之側壁，形成一保護材料層於該閘極結構上。上述形成該保護材料層之步驟包括非電漿步驟。此半導體裝置結構之製造方法更包括沈積一介電材料層於該保護材料層上。上述沈積該介電材料層之沈積步驟包括電漿步驟。

Abstract in simplified Chinese: 提供了半导体设备结构之制造方法。此半导体设备结构之制造方法包括形成一闸极结构于一半导体基板上，形成复数个间隔构件邻接该闸极结构之侧壁，形成一保护材料层于该闸极结构上。上述形成该保护材料层之步骤包括非等离子步骤。此半导体设备结构之制造方法更包括沉积一介电材料层于该保护材料层上。上述沉积该介电材料层之沉积步骤包括等离子步骤。

公开(公告)号：TW201824556A

公开(公告)日：2018-07-01

申请号：TW106110273

申请日：2017-03-28

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 李承翰 ,  LEE, CHENG HAN ,  馬志宇 ,  MA, CHIH YU ,  張世杰 ,  CHANG, SHIH CHIEH

IPC: H01L29/43

Abstract: 結構包含階狀的結晶基板，其具有較高階狀物、較低階狀物、與階狀隆起。第一鰭狀物包含具有第一晶格常數的結晶結構。第一鰭狀物形成於較低階狀物上。第二鰭狀物包含具有第二晶格常數的結晶結構，且第二晶格常數不同於第一晶格常數。第二鰭狀物可形成於較高階狀物上，並與第一鰭狀物分隔。第二結晶結構可形成於結晶結構上，且鰭狀物的頂部對齊。第一鰭狀物與第二鰭狀物之組成可為相同材料(具有不同高度及不同通道應力值)。第一鰭狀物可作為互補式金氧半鰭狀場效電晶體的n型金氧半鰭狀物，而第二鰭狀物可作為互補式金氧半鰭狀場效電晶體的p型金氧半鰭狀物。

Abstract in simplified Chinese: 结构包含阶状的结晶基板，其具有较高级状物、较低级状物、与阶状隆起。第一鳍状物包含具有第一晶格常数的结晶结构。第一鳍状物形成于较低级状物上。第二鳍状物包含具有第二晶格常数的结晶结构，且第二晶格常数不同于第一晶格常数。第二鳍状物可形成于较高级状物上，并与第一鳍状物分隔。第二结晶结构可形成于结晶结构上，且鳍状物的顶部对齐。第一鳍状物与第二鳍状物之组成可为相同材料(具有不同高度及不同信道应力值)。第一鳍状物可作为互补式金氧半鳍状场效应管的n型金氧半鳍状物，而第二鳍状物可作为互补式金氧半鳍状场效应管的p型金氧半鳍状物。