公开(公告)号：TWI443777B

公开(公告)日：2014-07-01

申请号：TW097129483

申请日：2008-08-04

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

Inventor： 徐鵬富 ,  HSU, PENG FU ,  侯永田 ,  HOU, YONG TIAN ,  李思毅 ,  LI, SSU YI ,  黃國泰 ,  HUANG, KUO TAI ,  梁孟松 ,  LIANG, MONG SONG

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L21/823857 ,  H01L21/823842 ,  H01L27/092

公开(公告)号：TWI406414B

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：TW098126504

申请日：2009-08-06

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 陳建豪 ,  CHEN, CHIEN HAO ,  連浩明 ,  LIEN, HAO MING ,  李思毅 ,  LI, SSU YI ,  李啟弘 ,  LI, CHII HORNG ,  陳建良 ,  CHEN, CHIEN LIANG ,  費中豪 ,  FEI, CHUNG HAU ,  楊文誌 ,  YANG, WEN CHIH ,  黃仁安 ,  NG, JIN-AUN ,  張啟新 ,  CHANG, CHI HSIN ,  林俊銘 ,  LIN, CHUN MING ,  莊學理 ,  CHUANG, HARRY ,  葉俊林 ,  YEH, JUN LIN ,  林綱正 ,  LIN, KANG CHENG ,  黃國泰 ,  HUANG, KUO TAI

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L21/28088 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

公开(公告)号：TW201010083A

公开(公告)日：2010-03-01

申请号：TW098126504

申请日：2009-08-06

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 陳建豪 ,  連浩明 ,  李思毅 ,  李啟弘 ,  陳建良 ,  費中豪 ,  楊文誌 ,  黃仁安 ,  張啟新 ,  林俊銘 ,  莊學理 ,  葉俊林 ,  林綱正 ,  黃國泰

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/28088 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 本發明提供一半導體裝置，包含一半導體基材及一形成於該基材中之電晶體，該電晶體包含一具有一高介電常數介電質及金屬閘極之閘極堆疊，一密封層形成於該閘極堆疊之側壁上，該密封層具有一內部邊緣及一外部邊緣，該內部邊緣與該閘極堆疊相接合，一間隔物形成於該密封層之外部邊緣上，及一源/汲極區形成於該閘極堆疊之兩側上，該源/汲極區包含一沿著該密封層之外部邊緣之輕摻雜源/汲極區。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一半导体设备，包含一半导体基材及一形成于该基材中之晶体管，该晶体管包含一具有一高介电常数介电质及金属闸极之闸极堆栈，一密封层形成于该闸极堆栈之侧壁上，该密封层具有一内部边缘及一外部边缘，该内部边缘与该闸极堆栈相接合，一间隔物形成于该密封层之外部边缘上，及一源/汲极区形成于该闸极堆栈之两侧上，该源/汲极区包含一沿着该密封层之外部边缘之轻掺杂源/汲极区。