公开(公告)号：TWI630644B

公开(公告)日：2018-07-21

申请号：TW105125200

申请日：2016-08-08

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 劉書豪 ,  LIU, SU HAO ,  蔡彥明 ,  TSAI, YAN MING ,  魏仲廷 ,  WEI, CHUNG TING ,  方子韋 ,  FANG, ZIWEI ,  張志維 ,  CHANG, CHIH WEI ,  陳建豪 ,  CHEN, CHIEN HAO ,  張惠政 ,  CHANG, HUI CHENG

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/16 ,  H01L29/165 ,  H01L29/167 ,  H01L29/45 ,  H01L29/78

公开(公告)号：TW201738943A

公开(公告)日：2017-11-01

申请号：TW105125200

申请日：2016-08-08

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 劉書豪 ,  LIU, SU HAO ,  蔡彥明 ,  TSAI, YAN MING ,  魏仲廷 ,  WEI, CHUNG TING ,  方子韋 ,  FANG, ZIWEI ,  張志維 ,  CHANG, CHIH WEI ,  陳建豪 ,  CHEN, CHIEN HAO ,  張惠政 ,  CHANG, HUI CHENG

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/16 ,  H01L29/165 ,  H01L29/167 ,  H01L29/45 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/092 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/324 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823828 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/165 ,  H01L29/167 ,  H01L29/456 ,  H01L29/7848

Abstract: 本揭露提供一方法，在具有第一主動區和第二主動區之半導體基板；於半導體基板上第一主動區中形成第一閘極，而第二主動區中形成第二閘極。第一主動區內的半導體基板上形成具有n型摻雜劑的半導體材料的第一源/汲特徵；而在第二主動區內的半導體基板上形成具有P型摻雜劑的半導體材料的第二源/汲特徵。上述第一與第二半導體主動區的材料成分不同。本揭露，其製程包含對第一源與第二源/汲特徵形成金屬矽化物層，與對金屬矽化物特徵區和源/汲特徵區執行物種的植入製程，以利將物種導入至金屬矽化物層與源/汲特徵之接面。

Abstract in simplified Chinese: 本揭露提供一方法，在具有第一主动区和第二主动区之半导体基板；于半导体基板上第一主动区中形成第一闸极，而第二主动区中形成第二闸极。第一主动区内的半导体基板上形成具有n型掺杂剂的半导体材料的第一源/汲特征；而在第二主动区内的半导体基板上形成具有P型掺杂剂的半导体材料的第二源/汲特征。上述第一与第二半导体主动区的材料成分不同。本揭露，其制程包含对第一源与第二源/汲特征形成金属硅化物层，与对金属硅化物特征区和源/汲特征区运行物种的植入制程，以利将物种导入至金属硅化物层与源/汲特征之接面。

公开(公告)号：TW201017757A

公开(公告)日：2010-05-01

申请号：TW098130694

申请日：2009-09-11

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 林益安 ,  陳嘉仁 ,  陳建豪 ,  黃國泰 ,  陳薏新 ,  林志忠 ,  林毓超

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/823828 ,  H01L21/3221 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

Abstract: 本發明提供一種半導體元件的製造方法，包括：於一基底前側上之半導體基底的上方形成一界面層；於該界面層上形成高介電常數(high-k)介電層；於該高介電常數介電層上形成一蓋層；於該蓋層上形成一金屬層；於該金屬層上形成一第一多晶矽層；以及於該基底背側上之半導體基底的上方形成一第二多晶矽層。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种半导体组件的制造方法，包括：于一基底前侧上之半导体基底的上方形成一界面层；于该界面层上形成高介电常数(high-k)介电层；于该高介电常数介电层上形成一盖层；于该盖层上形成一金属层；于该金属层上形成一第一多晶硅层；以及于该基底背侧上之半导体基底的上方形成一第二多晶硅层。

公开(公告)号：TW201013930A

公开(公告)日：2010-04-01

申请号：TW098128480

申请日：2009-08-25

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 陳建豪 ,  侯永田 ,  林綱正 ,  黃國泰

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/28088 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28247 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 本發明提供一種半導體元件，此元件包括一半導體基材，一電晶體形成於基材之中，電晶體具有一高介電常數介電層形成於基材之上，從高介電常數介電層之一側壁測量到另一側壁，其具有一第一長度，以及一金屬閘極層形成於高介電常數介電層之上，且從金屬閘極層之一側壁測量到另一側壁，其具有一第二長度，其中第二長度大於第一長度。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种半导体组件，此组件包括一半导体基材，一晶体管形成于基材之中，晶体管具有一高介电常数介电层形成于基材之上，从高介电常数介电层之一侧壁测量到另一侧壁，其具有一第一长度，以及一金属闸极层形成于高介电常数介电层之上，且从金属闸极层之一侧壁测量到另一侧壁，其具有一第二长度，其中第二长度大于第一长度。

公开(公告)号：TW544790B

公开(公告)日：2003-08-01

申请号：TW091118847

申请日：2002-08-20

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 鄭俊一 ,  陳建豪

IPC: H01L

Abstract: 一種降低熱預算(Thermal Budget)與缺陷之方法。本發明之降低熱預算與缺陷之方法之特徵在於，在沉積間隙壁(Spacer)材料層前先進行電漿處理製程，而不需在蝕刻閘極介電層與閘極多晶矽層後進行再氧化製程。運用本發明之降低熱預算與缺陷之方法，可藉以降低製程中的熱預算以及元件中的缺陷。

Abstract in simplified Chinese: 一种降低热预算(Thermal Budget)与缺陷之方法。本发明之降低热预算与缺陷之方法之特征在于，在沉积间隙壁(Spacer)材料层前雪铁龙行等离子处理制程，而不需在蚀刻闸极介电层与闸极多晶硅层后进行再氧化制程。运用本发明之降低热预算与缺陷之方法，可借以降低制程中的热预算以及组件中的缺陷。

公开(公告)号：TWI694523B

公开(公告)日：2020-05-21

申请号：TW107132262

申请日：2018-09-13

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 余德偉 ,  YU, DE WEI ,  陳建豪 ,  CHEN, CHIEN HAO

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/76

公开(公告)号：TWI562210B

公开(公告)日：2016-12-11

申请号：TW098128192

申请日：2009-08-21

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 葉明熙 ,  YEH, MATT ,  林舜武 ,  LIN, SHUN WU ,  陳啟群 ,  CHEN, CHI CHUN ,  陳嘉仁 ,  CHEN, RYAN CHIA JEN ,  陳薏新 ,  CHEN, YI HSING ,  陳建豪 ,  CHEN, CHIEN HAO ,  趙元舜 ,  CHAO, DONALD Y. ,  黃國彬 ,  HUANG, KUO BIN

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/28105 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/28158 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32139 ,  H01L29/401

公开(公告)号：TWI393218B

公开(公告)日：2013-04-11

申请号：TW098127686

申请日：2009-08-18

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 陳嘉仁 ,  CHEN, RYAN CHIA JEN ,  林益安 ,  LIN, YIH ANN ,  林志忠 ,  LIN, JR JUNG ,  莫亦先 ,  MOR, YI SHIEN ,  陳建豪 ,  CHEN, CHIEN HAO ,  黃國泰 ,  HUANG, KUO TAI ,  陳薏新 ,  CHEN, YI HSING

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/82385 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/401 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517

公开(公告)号：TW201025430A

公开(公告)日：2010-07-01

申请号：TW098128192

申请日：2009-08-21

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 葉明熙 ,  林舜武 ,  陳啟群 ,  陳嘉仁 ,  陳薏新 ,  陳建豪 ,  趙元舜 ,  黃國彬

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/28105 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/28158 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32139 ,  H01L29/401

Abstract: 本發明提供多種含有高介電常數之閘極介電層的圖案化金屬閘極結構之方法。在一實施例中,可溶硬遮罩層可作為圖案化金屬閘極的遮罩單元。藉由水或光阻顯影液可將可溶硬遮罩自基板上移除。在一實施例中,硬遮罩層包含高介電常數之介電材料。在另一實施例中,保護層係形成於光阻圖案下。在剝除光阻的步驟中,保護層可保護基板上的一或多層結構。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供多种含有高介电常数之闸极介电层的图案化金属闸极结构之方法。在一实施例中,可溶硬遮罩层可作为图案化金属闸极的遮罩单元。借由水或光阻显影液可将可溶硬遮罩自基板上移除。在一实施例中,硬遮罩层包含高介电常数之介电材料。在另一实施例中,保护层系形成于光阻图案下。在剥除光阻的步骤中,保护层可保护基板上的一或多层结构。

公开(公告)号：TW201010083A

公开(公告)日：2010-03-01

申请号：TW098126504

申请日：2009-08-06

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 陳建豪 ,  連浩明 ,  李思毅 ,  李啟弘 ,  陳建良 ,  費中豪 ,  楊文誌 ,  黃仁安 ,  張啟新 ,  林俊銘 ,  莊學理 ,  葉俊林 ,  林綱正 ,  黃國泰

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/28088 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 本發明提供一半導體裝置，包含一半導體基材及一形成於該基材中之電晶體，該電晶體包含一具有一高介電常數介電質及金屬閘極之閘極堆疊，一密封層形成於該閘極堆疊之側壁上，該密封層具有一內部邊緣及一外部邊緣，該內部邊緣與該閘極堆疊相接合，一間隔物形成於該密封層之外部邊緣上，及一源/汲極區形成於該閘極堆疊之兩側上，該源/汲極區包含一沿著該密封層之外部邊緣之輕摻雜源/汲極區。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一半导体设备，包含一半导体基材及一形成于该基材中之晶体管，该晶体管包含一具有一高介电常数介电质及金属闸极之闸极堆栈，一密封层形成于该闸极堆栈之侧壁上，该密封层具有一内部边缘及一外部边缘，该内部边缘与该闸极堆栈相接合，一间隔物形成于该密封层之外部边缘上，及一源/汲极区形成于该闸极堆栈之两侧上，该源/汲极区包含一沿着该密封层之外部边缘之轻掺杂源/汲极区。