公开(公告)号：TW201349458A

公开(公告)日：2013-12-01

申请号：TW102116634

申请日：2013-05-10

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 林俊銘 ,  LIN, JYUN MING ,  吳偉成 ,  WU, WEI CHENG ,  鍾昇鎭 ,  CHUNG, SHENG CHEN ,  楊寶如 ,  YOUNG, BAO RU ,  莊學理 ,  CHUANG, HAK-LAY

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/823842 ,  H01L21/823857

Abstract: 本發明提供具有五個閘極堆疊於基板的不同區上之半導體元件與其形成方法。元件包括半導體基板，與隔離結構以分隔基板上的不同區域如p型場效電晶體核心區、p型場效電晶體輸入/輸出區、n型場效電晶體核心區、n型場效電晶體輸入/輸出區、與高電阻區。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供具有五个闸极堆栈于基板的不同区上之半导体组件与其形成方法。组件包括半导体基板，与隔离结构以分隔基板上的不同区域如p型场效应管内核区、p型场效应管输入/输出区、n型场效应管内核区、n型场效应管输入/输出区、与高电阻区。

公开(公告)号：TWI406414B

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：TW098126504

申请日：2009-08-06

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 陳建豪 ,  CHEN, CHIEN HAO ,  連浩明 ,  LIEN, HAO MING ,  李思毅 ,  LI, SSU YI ,  李啟弘 ,  LI, CHII HORNG ,  陳建良 ,  CHEN, CHIEN LIANG ,  費中豪 ,  FEI, CHUNG HAU ,  楊文誌 ,  YANG, WEN CHIH ,  黃仁安 ,  NG, JIN-AUN ,  張啟新 ,  CHANG, CHI HSIN ,  林俊銘 ,  LIN, CHUN MING ,  莊學理 ,  CHUANG, HARRY ,  葉俊林 ,  YEH, JUN LIN ,  林綱正 ,  LIN, KANG CHENG ,  黃國泰 ,  HUANG, KUO TAI

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L21/28088 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

公开(公告)号：TWI689043B

公开(公告)日：2020-03-21

申请号：TW106130670

申请日：2017-09-07

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 潘國華 ,  PAN, KUO HUA ,  許哲瑋 ,  HSU, JE WEI ,  陳華豐 ,  CHEN, HUA FENG ,  林俊銘 ,  LIN, JYUN MING ,  彭陳鍠 ,  PENG, CHEN HUANG ,  謝旻諺 ,  HSIEH, MIN YANN ,  巫嘉豪 ,  WU, JAVA

IPC: H01L21/768 ,  H01L29/45

公开(公告)号：TW201839910A

公开(公告)日：2018-11-01

申请号：TW106130670

申请日：2017-09-07

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 潘國華 ,  PAN, KUO HUA ,  許哲瑋 ,  HSU, JE WEI ,  陳華豐 ,  CHEN, HUA FENG ,  林俊銘 ,  LIN, JYUN MING ,  彭陳鍠 ,  PENG, CHEN HUANG ,  謝旻諺 ,  HSIEH, MIN YANN ,  巫嘉豪 ,  WU, JAVA

IPC: H01L21/768 ,  H01L29/45

Abstract: 一種方法包含形成電晶體，其係包含形成虛擬閘極堆疊在半導體區域上，以及形成層間介電質。虛擬閘極堆疊係在層間介電質內，且層間介電質覆蓋在半導體區域內的源極/汲極區域。方法更包含移除虛擬閘極堆疊，以形成溝渠在第一層間介電質內、形成低k閘極間隙壁在溝渠內、形成取代閘極介電質延伸至溝渠中、形成金屬層，以填充溝渠，及進行平坦化，以移除閘極介電質及金屬材料之多餘部分，以分別形成閘極介電質及金屬閘極。然後，源極區域及汲極區域係形成在金屬閘極的相反側上。

Abstract in simplified Chinese: 一种方法包含形成晶体管，其系包含形成虚拟闸极堆栈在半导体区域上，以及形成层间介电质。虚拟闸极堆栈系在层间介电质内，且层间介电质覆盖在半导体区域内的源极/汲极区域。方法更包含移除虚拟闸极堆栈，以形成沟渠在第一层间介电质内、形成低k闸极间隙壁在沟渠内、形成取代闸极介电质延伸至沟渠中、形成金属层，以填充沟渠，及进行平坦化，以移除闸极介电质及金属材料之多余部分，以分别形成闸极介电质及金属闸极。然后，源极区域及汲极区域系形成在金属闸极的相反侧上。

公开(公告)号：TW201010083A

公开(公告)日：2010-03-01

申请号：TW098126504

申请日：2009-08-06

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 陳建豪 ,  連浩明 ,  李思毅 ,  李啟弘 ,  陳建良 ,  費中豪 ,  楊文誌 ,  黃仁安 ,  張啟新 ,  林俊銘 ,  莊學理 ,  葉俊林 ,  林綱正 ,  黃國泰

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/28088 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 本發明提供一半導體裝置，包含一半導體基材及一形成於該基材中之電晶體，該電晶體包含一具有一高介電常數介電質及金屬閘極之閘極堆疊，一密封層形成於該閘極堆疊之側壁上，該密封層具有一內部邊緣及一外部邊緣，該內部邊緣與該閘極堆疊相接合，一間隔物形成於該密封層之外部邊緣上，及一源/汲極區形成於該閘極堆疊之兩側上，該源/汲極區包含一沿著該密封層之外部邊緣之輕摻雜源/汲極區。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一半导体设备，包含一半导体基材及一形成于该基材中之晶体管，该晶体管包含一具有一高介电常数介电质及金属闸极之闸极堆栈，一密封层形成于该闸极堆栈之侧壁上，该密封层具有一内部边缘及一外部边缘，该内部边缘与该闸极堆栈相接合，一间隔物形成于该密封层之外部边缘上，及一源/汲极区形成于该闸极堆栈之两侧上，该源/汲极区包含一沿着该密封层之外部边缘之轻掺杂源/汲极区。

公开(公告)号：TW202018859A

公开(公告)日：2020-05-16

申请号：TW108139279

申请日：2019-10-30

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 陳冠榮 ,  CHEN, KUAN-JUNG ,  李宗霖 ,  LEE, TSUNG-LIN ,  林俊銘 ,  LIN, CHUN-MING ,  江文智 ,  CHIANG, WEN-CHIH ,  王證鈜 ,  WANG, CHENG-HUNG

IPC: H01L21/76

Abstract: 本揭露之一些實施例提供溝槽隔離的結構以及方法。在一些實施例中，揭露一種矽晶絕緣體結構。矽晶絕緣體結構包括一基板、一介電層以及一多晶矽區域。基板包括一處理層、一絕緣層、一埋入層以及一溝槽。絕緣層係佈設在處理層之上。埋入層係佈設在絕緣層之上。溝槽係從埋入層之一上表面向下延伸，並在處理層中終止。介電層係位於溝槽之一底表面上，並接觸處理層。多晶矽區域係位於溝槽中，並接觸介電層。

Abstract in simplified Chinese: 本揭露之一些实施例提供沟槽隔离的结构以及方法。在一些实施例中，揭露一种硅晶绝缘体结构。硅晶绝缘体结构包括一基板、一介电层以及一多晶硅区域。基板包括一处理层、一绝缘层、一埋入层以及一沟槽。绝缘层系布设在处理层之上。埋入层系布设在绝缘层之上。沟槽系从埋入层之一上表面向下延伸，并在处理层中终止。介电层系位于沟槽之一底表面上，并接触处理层。多晶硅区域系位于沟槽中，并接触介电层。

公开(公告)号：TW201733113A

公开(公告)日：2017-09-16

申请号：TW105143691

申请日：2016-12-28

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 林俊銘 ,  LIN, JYUN MING ,  陳華豐 ,  CHEN, HUA FENG ,  潘國華 ,  PAN, KUO HUA ,  謝旻諺 ,  HSIEH, MIN YANN ,  巫嘉豪 ,  WU, JAVA

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66553 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823468 ,  H01L23/535 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/512 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/78

Abstract: 本揭露內容提供一種半導體裝置和其製造方法。半導體裝置包含電晶體的第一閘極電極、第一側壁間隔件、第一絕緣層及第二側壁間隔件。第一側壁間隔件沿閘極圖案的側壁配置。第一絕緣層接觸第一側壁間隔件並具有平坦化的頂面。第二側壁間隔件形成於第一絕緣層的平坦化頂面。第二側壁間隔件可形成於第一間隔件上方。第二側壁間隔件的寬度等於或大於第一側壁間隔件的寬度。

Abstract in simplified Chinese: 本揭露内容提供一种半导体设备和其制造方法。半导体设备包含晶体管的第一闸极电极、第一侧壁间隔件、第一绝缘层及第二侧壁间隔件。第一侧壁间隔件沿闸极图案的侧壁配置。第一绝缘层接触第一侧壁间隔件并具有平坦化的顶面。第二侧壁间隔件形成于第一绝缘层的平坦化顶面。第二侧壁间隔件可形成于第一间隔件上方。第二侧壁间隔件的宽度等于或大于第一侧壁间隔件的宽度。

公开(公告)号：TWI574309B

公开(公告)日：2017-03-11

申请号：TW103115769

申请日：2014-05-02

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 何偉碩 ,  HO, WEI SHUO ,  江宗育 ,  CHIANG, TSUNG YU ,  張家銘 ,  CHANG, CHIA MING ,  林俊銘 ,  LIN, JYUN MING

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/823456 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/283 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32133 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823475 ,  H01L27/088 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659

公开(公告)号：TWI525796B

公开(公告)日：2016-03-11

申请号：TW102116634

申请日：2013-05-10

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 林俊銘 ,  LIN, JYUN MING ,  吳偉成 ,  WU, WEI CHENG ,  鍾昇鎭 ,  CHUNG, SHENG CHEN ,  楊寶如 ,  YOUNG, BAO RU ,  莊學理 ,  CHUANG, HAK-LAY

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/823842 ,  H01L21/823857

公开(公告)号：TW201532129A

公开(公告)日：2015-08-16

申请号：TW103115769

申请日：2014-05-02

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 何偉碩 ,  HO, WEI SHUO ,  江宗育 ,  CHIANG, TSUNG YU ,  張家銘 ,  CHANG, CHIA MING ,  林俊銘 ,  LIN, JYUN MING

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/823456 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/283 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32133 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823475 ,  H01L27/088 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659

Abstract: 本發明的實施例提供一種半導體裝置結構，包括：基板；第一金屬閘極結構，形成在基板上，其中第一金屬閘極結構具有第一寬度。半導體裝置結構還包括第一接觸插塞，形成於鄰近第一金屬閘極結構；第二金屬閘極結構，形成在基板上，其中第二金屬閘極結構具有第二寬度小於第一寬度。半導體裝置結構還包括絕緣層，形成在第二金屬閘極結構上，以及第二接觸插塞，自對準(self-algned)於第二金屬閘極結構。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的实施例提供一种半导体设备结构，包括：基板；第一金属闸极结构，形成在基板上，其中第一金属闸极结构具有第一宽度。半导体设备结构还包括第一接触插塞，形成于邻近第一金属闸极结构；第二金属闸极结构，形成在基板上，其中第二金属闸极结构具有第二宽度小于第一宽度。半导体设备结构还包括绝缘层，形成在第二金属闸极结构上，以及第二接触插塞，自对准(self-algned)于第二金属闸极结构。