公开(公告)号：TWI478339B

公开(公告)日：2015-03-21

申请号：TW098128480

申请日：2009-08-25

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 陳建豪 ,  CHEN, CHIEN HAO ,  侯永田 ,  HOU, YONG-TIAN ,  林綱正 ,  LIN, KANG CHENG ,  黃國泰 ,  HUANG, KUO TAI

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/28088 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28247 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

公开(公告)号：TWI416667B

公开(公告)日：2013-11-21

申请号：TW098128780

申请日：2009-08-27

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 徐鵬富 ,  HSU, PENG FU ,  林綱正 ,  LIN, KANG CHENG ,  黃國泰 ,  HUANG, KUO TAI

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/092 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51

公开(公告)号：TWI406414B

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：TW098126504

申请日：2009-08-06

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 陳建豪 ,  CHEN, CHIEN HAO ,  連浩明 ,  LIEN, HAO MING ,  李思毅 ,  LI, SSU YI ,  李啟弘 ,  LI, CHII HORNG ,  陳建良 ,  CHEN, CHIEN LIANG ,  費中豪 ,  FEI, CHUNG HAU ,  楊文誌 ,  YANG, WEN CHIH ,  黃仁安 ,  NG, JIN-AUN ,  張啟新 ,  CHANG, CHI HSIN ,  林俊銘 ,  LIN, CHUN MING ,  莊學理 ,  CHUANG, HARRY ,  葉俊林 ,  YEH, JUN LIN ,  林綱正 ,  LIN, KANG CHENG ,  黃國泰 ,  HUANG, KUO TAI

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L21/28088 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

公开(公告)号：TWI397962B

公开(公告)日：2013-06-01

申请号：TW097125668

申请日：2008-07-08

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 趙元舜 ,  CHAO, DONALD Y. ,  荊鳳德 ,  CHIN, ALBERT ,  洪彬舫 ,  HUNG, PING FANG ,  顏豐裕 ,  YEN, FONG YU ,  林綱正 ,  LIN, KANG CHENG ,  黃國泰 ,  HUANG, KUO TAI

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28185 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/517 ,  H01L29/665

公开(公告)号：TW201019382A

公开(公告)日：2010-05-16

申请号：TW098128781

申请日：2009-08-27

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 徐鵬富 ,  柯昕君 ,  林綱正 ,  黃國泰

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/28194 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

Abstract: 本發明提供一種半導體元件及其製法。此半導體元件之高介電常數金屬閘極中具有一緩衝層，此緩衝層介於界面氧化層與高介電常數閘極介電層之間。於一實施例中，緩衝層包括氧化鋁。緩衝層與高介電常數閘極介電層可使用原子沉積製程於原處形成。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种半导体组件及其制法。此半导体组件之高介电常数金属闸极中具有一缓冲层，此缓冲层介于界面氧化层与高介电常数闸极介电层之间。于一实施例中，缓冲层包括氧化铝。缓冲层与高介电常数闸极介电层可使用原子沉积制程于原处形成。

公开(公告)号：TW201010010A

公开(公告)日：2010-03-01

申请号：TW098128780

申请日：2009-08-27

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 徐鵬富 ,  林綱正 ,  黃國泰

IPC: H01L

CPC classification number: H01L27/092 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51

Abstract: 本發明提供一種半導體元件之製造方法。提供一具有一第一區和一第二區之半導體基底，形成一高介電常數介電層於半導體基底上方，形成一蓋層於第一區之高介電常數介電層上方，形成一第一金屬層於第一區之蓋層上方和第二區之高介電常數介電層上方，形成一第一閘極堆疊於第一區中和一第二閘極堆疊於第二區中，在第二閘極堆疊之第一金屬層上進行一處理製程時，保護第一閘極堆疊之第一金屬層，及形成一第二金屬層於第一閘極堆疊之第一金屬層上方和第二閘極堆疊之處理過的第一金屬層上方。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种半导体组件之制造方法。提供一具有一第一区和一第二区之半导体基底，形成一高介电常数介电层于半导体基底上方，形成一盖层于第一区之高介电常数介电层上方，形成一第一金属层于第一区之盖层上方和第二区之高介电常数介电层上方，形成一第一闸极堆栈于第一区中和一第二闸极堆栈于第二区中，在第二闸极堆栈之第一金属层上进行一处理制程时，保护第一闸极堆栈之第一金属层，及形成一第二金属层于第一闸极堆栈之第一金属层上方和第二闸极堆栈之处理过的第一金属层上方。

公开(公告)号：TW447103B

公开(公告)日：2001-07-21

申请号：TW089115005

申请日：2000-07-27

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 林綱正

IPC: H01L

CPC classification number: H01L24/05

Abstract: 本發明提供一種接合墊區域之銅金屬結構，包括：一第一介電層；一第一銅金屬圖案，鑲嵌於該第一介電層內，並且該第一銅金屬圖案係由複數個相互連接的銅區塊構成；一第二介電層，形成於該第一銅金屬圖案上方；一第三介電層，形成於該第二介電層表面；一第二銅金屬圖案，鑲嵌於該第三介電層內，並且該第二銅金屬圖案係由複數個相互連接的銅區塊構成；一銅插塞，形成於該第二介電層內，用以連接該第一銅金屬圖案以及該第二銅金屬圖案。根據本發明的銅金屬結構，可保持化學機械研磨後銅金屬圖案的上表面平坦度。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种接合垫区域之铜金属结构，包括：一第一介电层；一第一铜金属图案，镶嵌于该第一介电层内，并且该第一铜金属图案系由复数个相互连接的铜区块构成；一第二介电层，形成于该第一铜金属图案上方；一第三介电层，形成于该第二介电层表面；一第二铜金属图案，镶嵌于该第三介电层内，并且该第二铜金属图案系由复数个相互连接的铜区块构成；一铜插塞，形成于该第二介电层内，用以连接该第一铜金属图案以及该第二铜金属图案。根据本发明的铜金属结构，可保持化学机械研磨后铜金属图案的上表面平坦度。

公开(公告)号：TWI473148B

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：TW098128781

申请日：2009-08-27

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 徐鵬富 ,  HSU, PENG FU ,  柯昕君 ,  KO, HSIN CHUN ,  林綱正 ,  LIN, KANG CHENG ,  黃國泰 ,  HUANG, KUO TAI

IPC: H01L21/285 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L21/28194 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

公开(公告)号：TW201010083A

公开(公告)日：2010-03-01

申请号：TW098126504

申请日：2009-08-06

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 陳建豪 ,  連浩明 ,  李思毅 ,  李啟弘 ,  陳建良 ,  費中豪 ,  楊文誌 ,  黃仁安 ,  張啟新 ,  林俊銘 ,  莊學理 ,  葉俊林 ,  林綱正 ,  黃國泰

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/28088 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 本發明提供一半導體裝置，包含一半導體基材及一形成於該基材中之電晶體，該電晶體包含一具有一高介電常數介電質及金屬閘極之閘極堆疊，一密封層形成於該閘極堆疊之側壁上，該密封層具有一內部邊緣及一外部邊緣，該內部邊緣與該閘極堆疊相接合，一間隔物形成於該密封層之外部邊緣上，及一源/汲極區形成於該閘極堆疊之兩側上，該源/汲極區包含一沿著該密封層之外部邊緣之輕摻雜源/汲極區。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一半导体设备，包含一半导体基材及一形成于该基材中之晶体管，该晶体管包含一具有一高介电常数介电质及金属闸极之闸极堆栈，一密封层形成于该闸极堆栈之侧壁上，该密封层具有一内部边缘及一外部边缘，该内部边缘与该闸极堆栈相接合，一间隔物形成于该密封层之外部边缘上，及一源/汲极区形成于该闸极堆栈之两侧上，该源/汲极区包含一沿着该密封层之外部边缘之轻掺杂源/汲极区。

公开(公告)号：TW508783B

公开(公告)日：2002-11-01

申请号：TW090123989

申请日：2001-09-27

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 林綱正 ,  夏勁秋

IPC: H01L

Abstract: 一種在積體電路上用以降低銅熔絲厚度之方法。此方法係於形成銅熔絲開口與介層洞後，利用光阻保護所形成之銅熔絲開口，再繼續進行後續之蝕刻製程。如此即可確保所形成之銅熔絲開口，不會遭受後續蝕刻製程之影響，因此可獲得厚度薄之銅熔絲。

Abstract in simplified Chinese: 一种在集成电路上用以降低铜熔丝厚度之方法。此方法系于形成铜熔丝开口与介层洞后，利用光阻保护所形成之铜熔丝开口，再继续进行后续之蚀刻制程。如此即可确保所形成之铜熔丝开口，不会遭受后续蚀刻制程之影响，因此可获得厚度薄之铜熔丝。