公开(公告)号：TWI406414B

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：TW098126504

申请日：2009-08-06

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 陳建豪 ,  CHEN, CHIEN HAO ,  連浩明 ,  LIEN, HAO MING ,  李思毅 ,  LI, SSU YI ,  李啟弘 ,  LI, CHII HORNG ,  陳建良 ,  CHEN, CHIEN LIANG ,  費中豪 ,  FEI, CHUNG HAU ,  楊文誌 ,  YANG, WEN CHIH ,  黃仁安 ,  NG, JIN-AUN ,  張啟新 ,  CHANG, CHI HSIN ,  林俊銘 ,  LIN, CHUN MING ,  莊學理 ,  CHUANG, HARRY ,  葉俊林 ,  YEH, JUN LIN ,  林綱正 ,  LIN, KANG CHENG ,  黃國泰 ,  HUANG, KUO TAI

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L21/28088 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

公开(公告)号：TW201019381A

公开(公告)日：2010-05-16

申请号：TW098135566

申请日：2009-10-21

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 黃仁安 ,  楊文誌 ,  陳建良 ,  費中豪 ,  張啟新 ,  楊寶如 ,  莊學理

IPC: H01L

CPC classification number: H01L29/1054 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7848

Abstract: 本發明提供一種半導體裝置及其製造方法。上述製作具有金屬閘極堆疊的半導體裝置的方法包括形成一淺溝槽隔離(STI)構造於一矽基底中，定義一第一主動區域配置供一P-型場效電晶體(PFET)及一第二主動區域配置供一N-型場效電晶體(NFET)；在該矽基底上形成一硬遮罩，其具有一開口以露出在該第一主動區域內的該矽基底。透過該硬遮罩的開口蝕刻該矽基底以形成一凹陷區在該第一主動區域內的該矽基底中。成長一矽鍺(SiGe)層於該凹陷區中使得在該第一主動區域內該矽鍺層的頂表面與在該第二主動區域內該矽基底的頂表面實質上為共平面。形成金屬閘極材料層於該矽基底和該矽鍺層上。圖案化該些金屬閘極材料層以形成一金屬閘極堆疊於該第一主動區域內的該矽鍺層上。形成一eSiGe源極/汲極應力子分佈於該第一主動區域內的該矽鍺層和該矽基底上。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种半导体设备及其制造方法。上述制作具有金属闸极堆栈的半导体设备的方法包括形成一浅沟槽隔离(STI)构造于一硅基底中，定义一第一主动区域配置供一P-型场效应管(PFET)及一第二主动区域配置供一N-型场效应管(NFET)；在该硅基底上形成一硬遮罩，其具有一开口以露出在该第一主动区域内的该硅基底。透过该硬遮罩的开口蚀刻该硅基底以形成一凹陷区在该第一主动区域内的该硅基底中。成长一硅锗(SiGe)层于该凹陷区中使得在该第一主动区域内该硅锗层的顶表面与在该第二主动区域内该硅基底的顶表面实质上为共平面。形成金属闸极材料层于该硅基底和该硅锗层上。图案化该些金属闸极材料层以形成一金属闸极堆栈于该第一主动区域内的该硅锗层上。形成一eSiGe源极/汲极应力子分布于该第一主动区域内的该硅锗层和该硅基底上。

公开(公告)号：TWI413183B

公开(公告)日：2013-10-21

申请号：TW098129014

申请日：2009-08-28

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 李啟弘 ,  LI, CHII HORNG ,  陳柏年 ,  CHEN, PO NIEN ,  費中豪 ,  FEI, CHUNG HAU ,  陳建良 ,  CHEN, CHIEN LIANG ,  楊文誌 ,  YANG, WEN CHIH ,  莊學理 ,  CHUANG, HARRY

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L27/0629

公开(公告)号：TWI478218B

公开(公告)日：2015-03-21

申请号：TW098135566

申请日：2009-10-21

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 黃仁安 ,  NG, JIN-AUN ,  楊文誌 ,  YANG, WEN CHIH ,  陳建良 ,  CHEN, CHIEN LIANG ,  費中豪 ,  FEI, CHUNG HAU ,  張啟新 ,  CHANG, MAXI ,  楊寶如 ,  YOUNG, BAO RU ,  莊學理 ,  CHUANG, HARRY

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/8232 ,  H01L27/085

CPC classification number: H01L29/1054 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7848

公开(公告)号：TW201010083A

公开(公告)日：2010-03-01

申请号：TW098126504

申请日：2009-08-06

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 陳建豪 ,  連浩明 ,  李思毅 ,  李啟弘 ,  陳建良 ,  費中豪 ,  楊文誌 ,  黃仁安 ,  張啟新 ,  林俊銘 ,  莊學理 ,  葉俊林 ,  林綱正 ,  黃國泰

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/28088 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 本發明提供一半導體裝置，包含一半導體基材及一形成於該基材中之電晶體，該電晶體包含一具有一高介電常數介電質及金屬閘極之閘極堆疊，一密封層形成於該閘極堆疊之側壁上，該密封層具有一內部邊緣及一外部邊緣，該內部邊緣與該閘極堆疊相接合，一間隔物形成於該密封層之外部邊緣上，及一源/汲極區形成於該閘極堆疊之兩側上，該源/汲極區包含一沿著該密封層之外部邊緣之輕摻雜源/汲極區。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一半导体设备，包含一半导体基材及一形成于该基材中之晶体管，该晶体管包含一具有一高介电常数介电质及金属闸极之闸极堆栈，一密封层形成于该闸极堆栈之侧壁上，该密封层具有一内部边缘及一外部边缘，该内部边缘与该闸极堆栈相接合，一间隔物形成于该密封层之外部边缘上，及一源/汲极区形成于该闸极堆栈之两侧上，该源/汲极区包含一沿着该密封层之外部边缘之轻掺杂源/汲极区。

公开(公告)号：TW201009937A

公开(公告)日：2010-03-01

申请号：TW098129014

申请日：2009-08-28

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 李啟弘 ,  陳柏年 ,  費中豪 ,  陳建良 ,  楊文誌 ,  莊學理

IPC: H01L

CPC classification number: H01L27/0629

Abstract: 本發明提供一種半導體元件與其製作方法。製作方法包括以下步驟：提供一具有一第一區域與一第二區域之半導體基材；形成一高介電常數層位於該半導體基材之上；形成一蓋層位於該高介電常數層之上；形成一金屬層位於該蓋層之上；移除位於該第二區域之金屬層與蓋層；形成一多晶矽層位於該第一區域之金屬層之上，且位於該第二區域之高介電常數層之上；以及於該第一區域中形成一含有該金屬層之主動元件，且於該第二區域中形成不含有該金屬層之被動元件。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种半导体组件与其制作方法。制作方法包括以下步骤：提供一具有一第一区域与一第二区域之半导体基材；形成一高介电常数层位于该半导体基材之上；形成一盖层位于该高介电常数层之上；形成一金属层位于该盖层之上；移除位于该第二区域之金属层与盖层；形成一多晶硅层位于该第一区域之金属层之上，且位于该第二区域之高介电常数层之上；以及于该第一区域中形成一含有该金属层之主动组件，且于该第二区域中形成不含有该金属层之被动组件。