公开(公告)号：TW202011518A

公开(公告)日：2020-03-16

申请号：TW108130355

申请日：2019-08-26

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 顏政雄 ,  YEN, CHENG-HSIUNG ,  馬大鈞 ,  MA, TA-CHUN ,  蘇建彰 ,  SU, CHIEN-CHANG ,  陳俊仁 ,  CHEN, JUNG-JEN ,  鄭培仁 ,  JENG, PEI-REN ,  李啟弘 ,  LI, CHII-HORNG ,  陳科維 ,  CHEN, KEI-WEI

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/302

Abstract: 裝置的形成方法為提供含矽的基板，且基板具有半導體鰭狀物自主要表面凸起。形成襯墊層與淺溝槽隔離區，以與半導體鰭狀物相鄰。沉積矽蓋於半導體鰭狀物上。矽蓋由半導體鰭狀物上的結晶矽層，以及該襯墊層與該淺溝槽隔離區上的非晶矽部份所組成。進行氯化氫蝕刻烘烤製程，以移除襯墊層與淺溝槽隔離區上的非晶矽部份。

Abstract in simplified Chinese: 设备的形成方法为提供含硅的基板，且基板具有半导体鳍状物自主要表面凸起。形成衬垫层与浅沟槽隔离区，以与半导体鳍状物相邻。沉积硅盖于半导体鳍状物上。硅盖由半导体鳍状物上的结晶硅层，以及该衬垫层与该浅沟槽隔离区上的非晶硅部份所组成。进行氯化氢蚀刻烘烤制程，以移除衬垫层与浅沟槽隔离区上的非晶硅部份。

公开(公告)号：TW201735356A

公开(公告)日：2017-10-01

申请号：TW105136667

申请日：2016-11-10

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 李啟弘 ,  LI, CHII HORNG ,  郭建億 ,  KUO, CHIEN I ,  舒麗麗 ,  SU, LILLY ,  蘇建彰 ,  SU, CHIEN CHANG ,  曾奕凱 ,  TSENG, YI KAI ,  李英瑋 ,  LI, YING WEI

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/16 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/167 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/167 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66575

Abstract: 本揭露內容有關於一種半導體裝置。前述半導體裝置包括矽基板、至少一源極/汲極部份以及頂蓋層。前述源極/汲極部份設於矽基板中，且源極/汲極部份包含至少一含n型摻質部分。前述頂蓋層係疊置且覆蓋源極/汲極部份，且頂蓋層包含碳化矽或鍺濃度較低的矽鍺，藉此避免在後續熱處理及清潔製程後，源極/汲極部份之至少一含n型摻質部分之n型摻質被分解。

Abstract in simplified Chinese: 本揭露内容有关于一种半导体设备。前述半导体设备包括硅基板、至少一源极/汲极部份以及顶盖层。前述源极/汲极部份设于硅基板中，且源极/汲极部份包含至少一含n型掺质部分。前述顶盖层系叠置且覆盖源极/汲极部份，且顶盖层包含碳化硅或锗浓度较低的硅锗，借此避免在后续热处理及清洁制程后，源极/汲极部份之至少一含n型掺质部分之n型掺质被分解。

公开(公告)号：TW201724351A

公开(公告)日：2017-07-01

申请号：TW105128818

申请日：2016-09-06

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 李彥儒 ,  LEE, YEN RU ,  李啟弘 ,  LI, CHII HORNG ,  丁姮彣 ,  TING, HENG WEN ,  徐梓翔 ,  HSU, TZU HSIANG ,  金志昀 ,  CHIN, CHIH YUN

IPC: H01L21/76 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7851

Abstract: 一種半導體裝置包含基板、至少一第一隔離結構、至少二第二隔離結構以及複數個磊晶結構。基板具有複數個半導體鰭片於其中。第一隔離結構置於半導體鰭片之間。半導體鰭片置於第二隔離結構之間，且相較於第一隔離結構，第二隔離結構更往基板的內部延伸。磊晶結構分別置於半導體鰭片上。磊晶結構彼此分離，且至少一磊晶結構具有實質為圓形的輪廓。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备包含基板、至少一第一隔离结构、至少二第二隔离结构以及复数个磊晶结构。基板具有复数个半导体鳍片于其中。第一隔离结构置于半导体鳍片之间。半导体鳍片置于第二隔离结构之间，且相较于第一隔离结构，第二隔离结构更往基板的内部延伸。磊晶结构分别置于半导体鳍片上。磊晶结构彼此分离，且至少一磊晶结构具有实质为圆形的轮廓。

公开(公告)号：TWI685111B

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：TW105128817

申请日：2016-09-06

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 李彥儒 ,  LEE, YEN RU ,  李啟弘 ,  LI, CHII HORNG ,  郭建億 ,  KUO, CHIEN I ,  丁姮彣 ,  TING, HENG WEN ,  戴榮吉 ,  TAI, JUNG CHI ,  舒麗麗 ,  SU, LILLY ,  蕭揚泰 ,  HSIAO, YANG TAI

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

公开(公告)号：TWI675407B

公开(公告)日：2019-10-21

申请号：TW106135909

申请日：2017-10-19

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 林資敬 ,  LIN, TZU CHING ,  郭建億 ,  KUO, CHIEN I ,  江威德 ,  CHIANG, WEI TE ,  呂惟皓 ,  LU, WEI HAO ,  舒麗麗 ,  SU, LI LI ,  李啟弘 ,  LI, CHII HORNG

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/41 ,  H01L29/78

公开(公告)号：TWI449177B

公开(公告)日：2014-08-11

申请号：TW100115564

申请日：2011-05-04

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 鄭有宏 ,  CHENG, YU HUNG ,  李啟弘 ,  LI, CHII HORNG ,  李資良 ,  LEE, TZE LIANG

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L29/66636 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823878 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7848

公开(公告)号：TWI649874B

公开(公告)日：2019-02-01

申请号：TW105136318

申请日：2016-11-08

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 李啟弘 ,  LI, CHII HORNG ,  陳志山 ,  CHEN, CHIH SHAN ,  戴榮吉 ,  TAI, JUNG CHI ,  林益安 ,  LIN, YIH ANN ,  李彥儒 ,  LEE, YEN RU ,  林資敬 ,  LIN, TZU CHING

IPC: H01L29/41 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L21/336

公开(公告)号：TW201824373A

公开(公告)日：2018-07-01

申请号：TW106122823

申请日：2017-07-07

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 鄭程文 ,  CHENG, CHENG WEN ,  舒麗麗 ,  SU, LILLY ,  李啟弘 ,  LI, CHII HORNG ,  吳 卓斌 ,  NG, TUOH BIN

IPC: H01L21/28

Abstract: 半導體裝置的形成方法包括：形成多個鰭狀區於基板上，形成圖案化的多晶矽結構於鰭狀區上，以及回蝕刻圖案化的多晶矽結構未覆蓋的部份鰭狀區，以形成多個凹陷的鰭狀區。此方法亦包括形成合併磊晶區於凹陷的鰭狀區上，以及採用蝕刻氣體與沉積氣體形成蓋層於合併磊晶區上。形成蓋層之步驟包括：調整蝕刻氣體中的第一單元濃度與沉積氣體中的第二單元濃度之間的比例，使沿著蓋層的第一晶向磊晶成長蓋層的速率，比沿著蓋層的第二晶向磊晶成長蓋層的速率快，第一單元與第二單元彼此不同，且第一晶向與第二晶向彼此不同。

Abstract in simplified Chinese: 半导体设备的形成方法包括：形成多个鳍状区于基板上，形成图案化的多晶硅结构于鳍状区上，以及回蚀刻图案化的多晶硅结构未覆盖的部份鳍状区，以形成多个凹陷的鳍状区。此方法亦包括形成合并磊晶区于凹陷的鳍状区上，以及采用蚀刻气体与沉积气体形成盖层于合并磊晶区上。形成盖层之步骤包括：调整蚀刻气体中的第一单元浓度与沉积气体中的第二单元浓度之间的比例，使沿着盖层的第一晶向磊晶成长盖层的速率，比沿着盖层的第二晶向磊晶成长盖层的速率快，第一单元与第二单元彼此不同，且第一晶向与第二晶向彼此不同。

公开(公告)号：TW201010083A

公开(公告)日：2010-03-01

申请号：TW098126504

申请日：2009-08-06

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 陳建豪 ,  連浩明 ,  李思毅 ,  李啟弘 ,  陳建良 ,  費中豪 ,  楊文誌 ,  黃仁安 ,  張啟新 ,  林俊銘 ,  莊學理 ,  葉俊林 ,  林綱正 ,  黃國泰

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/28088 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 本發明提供一半導體裝置，包含一半導體基材及一形成於該基材中之電晶體，該電晶體包含一具有一高介電常數介電質及金屬閘極之閘極堆疊，一密封層形成於該閘極堆疊之側壁上，該密封層具有一內部邊緣及一外部邊緣，該內部邊緣與該閘極堆疊相接合，一間隔物形成於該密封層之外部邊緣上，及一源/汲極區形成於該閘極堆疊之兩側上，該源/汲極區包含一沿著該密封層之外部邊緣之輕摻雜源/汲極區。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一半导体设备，包含一半导体基材及一形成于该基材中之晶体管，该晶体管包含一具有一高介电常数介电质及金属闸极之闸极堆栈，一密封层形成于该闸极堆栈之侧壁上，该密封层具有一内部边缘及一外部边缘，该内部边缘与该闸极堆栈相接合，一间隔物形成于该密封层之外部边缘上，及一源/汲极区形成于该闸极堆栈之两侧上，该源/汲极区包含一沿着该密封层之外部边缘之轻掺杂源/汲极区。

公开(公告)号：TW201009937A

公开(公告)日：2010-03-01

申请号：TW098129014

申请日：2009-08-28

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 李啟弘 ,  陳柏年 ,  費中豪 ,  陳建良 ,  楊文誌 ,  莊學理

IPC: H01L

CPC classification number: H01L27/0629

Abstract: 本發明提供一種半導體元件與其製作方法。製作方法包括以下步驟：提供一具有一第一區域與一第二區域之半導體基材；形成一高介電常數層位於該半導體基材之上；形成一蓋層位於該高介電常數層之上；形成一金屬層位於該蓋層之上；移除位於該第二區域之金屬層與蓋層；形成一多晶矽層位於該第一區域之金屬層之上，且位於該第二區域之高介電常數層之上；以及於該第一區域中形成一含有該金屬層之主動元件，且於該第二區域中形成不含有該金屬層之被動元件。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种半导体组件与其制作方法。制作方法包括以下步骤：提供一具有一第一区域与一第二区域之半导体基材；形成一高介电常数层位于该半导体基材之上；形成一盖层位于该高介电常数层之上；形成一金属层位于该盖层之上；移除位于该第二区域之金属层与盖层；形成一多晶硅层位于该第一区域之金属层之上，且位于该第二区域之高介电常数层之上；以及于该第一区域中形成一含有该金属层之主动组件，且于该第二区域中形成不含有该金属层之被动组件。