公开(公告)号：TW201830533A

公开(公告)日：2018-08-16

申请号：TW106124762

申请日：2017-07-24

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 楊岱宜 ,  YANG, TAI I ,  朱韋臻 ,  CHU, WEI CHEN ,  劉相瑋 ,  LIU, HSIANG WEI ,  眭曉林 ,  SHUE, SHAU LIN ,  蘇莉玲 ,  SU, LI LIN ,  吳永旭 ,  WU, YUNG HSU

IPC分类号： H01L21/60

摘要： 光微影上覆誤差為導致低晶圓產量之圖案化缺陷之一來源。本文揭露一種使用具有自對準互連件之圖案化光微影/蝕刻製程之互連件形成製程。此互連形成製程尤其改良光微影上覆(OVL)邊際，因為對準係在較寬圖案上完成。此外，此圖案化光微影/蝕刻製程支持多金屬間隙填充及具有空穴的低介電常數介電質形成。

简体摘要： 光微影上覆误差为导致低晶圆产量之图案化缺陷之一来源。本文揭露一种使用具有自对准互连件之图案化光微影/蚀刻制程之互连件形成制程。此互连形成制程尤其改良光微影上覆(OVL)边际，因为对准系在较宽图案上完成。此外，此图案化光微影/蚀刻制程支持多金属间隙填充及具有空穴的低介电常数介电质形成。

公开(公告)号：TWI605561B

公开(公告)日：2017-11-11

申请号：TW104139610

申请日：2015-11-27

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

发明人： 蔡政勳 ,  TSAI, CHENG HSIUNG ,  李忠儒 ,  LEE, CHUNG JU ,  眭曉林 ,  SHUE, SHAU LIN ,  包天一 ,  BAO, TIEN I

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76829 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5283

公开(公告)号：TWI575604B

公开(公告)日：2017-03-21

申请号：TW104139352

申请日：2015-11-26

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 楊士億 ,  YANG, SHIN YI ,  李明翰 ,  LEE, MING HAN ,  眭曉林 ,  SHUE, SHAU LIN ,  郭子駿 ,  KUO, TZ JUN

IPC分类号： H01L21/314 ,  H01L21/311 ,  H01L21/318 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/482

CPC分类号： H01L23/528 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/53214 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53233 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53242 ,  H01L23/53257 ,  H01L23/53271 ,  H01L29/42376 ,  H01L2924/0002

公开(公告)号：TWI543244B

公开(公告)日：2016-07-21

申请号：TW104100363

申请日：2015-01-07

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 吳佳典 ,  WU, CHIA TIEN ,  林天祿 ,  LIN, TIEN LU ,  眭曉林 ,  SHUE, SHAU LIN

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76831 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53228 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TWI538128B

公开(公告)日：2016-06-11

申请号：TW103145046

申请日：2014-12-23

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 蔡政勳 ,  TSAI, CHENGHSIUNG ,  包天一 ,  BAO, TIENI ,  眭曉林 ,  SHUE, SHAULIN ,  陳海清 ,  CHEN, HAICHING ,  李忠儒 ,  LEE, CHUNGJU

IPC分类号： H01L23/482 ,  H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/528 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76852 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53204 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TWI446419B

公开(公告)日：2014-07-21

申请号：TW099123933

申请日：2010-07-21

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 吳文進 ,  WU, WEN JIN ,  邱文智 ,  CHIOU, WEN CHIH ,  眭曉林 ,  SHUE, SHAU LIN

IPC分类号： H01L21/30 ,  H01L21/304

CPC分类号： H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/76898 ,  H01L25/0657 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

公开(公告)号：TWI400770B

公开(公告)日：2013-07-01

申请号：TW096139817

申请日：2007-10-24

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 石健學 ,  SHIH, CHIEN HSUEH ,  眭曉林 ,  SHUE, SHAU LIN

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L23/53238 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76858 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201133756A

公开(公告)日：2011-10-01

申请号：TW099134682

申请日：2010-10-12

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司

发明人： 張宏賓 ,  邱建明 ,  吳倉聚 ,  眭曉林 ,  余振華

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/525 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 本發明提供應用於堆疊晶粒形態的多層內連線結構。首先形成複數個穿透基板通孔於半導體基板中。接著薄化半導體基板的背面以露出穿透基板通孔。之後形成絕緣膜於半導體基板背面上與露出的穿透基板通孔上。之後形成的第一導電單元係分別電性耦合至每一穿透基板通孔,且第一導電單元延伸於絕緣膜上。接著形成一或多個額外絕緣膜與導電單元。之後形成連線單元如焊球以電性耦合至最上層的導電單元。

简体摘要： 本发明提供应用于堆栈晶粒形态的多层内连接结构。首先形成复数个穿透基板通孔于半导体基板中。接着薄化半导体基板的背面以露出穿透基板通孔。之后形成绝缘膜于半导体基板背面上与露出的穿透基板通孔上。之后形成的第一导电单元系分别电性耦合至每一穿透基板通孔,且第一导电单元延伸于绝缘膜上。接着形成一或多个额外绝缘膜与导电单元。之后形成连接单元如焊球以电性耦合至最上层的导电单元。

公开(公告)号：TW559995B

公开(公告)日：2003-11-01

申请号：TW091116409

申请日：2002-07-23

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司

发明人： 林俊成 ,  黃震麟 ,  眭曉林 ,  梁孟松

IPC分类号： H01L

摘要： 一種免阻障層之介層窗製程，且特別是有關於一種緻密鍵結、大幅增加導線電傳導性且避免遷移效應之介層窗結構製程。本發明提供一層金屬合金與一預先材料層反應，所形成之金屬化合物可取代傳統介層窗之阻障層結構，不但節省了製程成本，更在遷移效應與電傳導性等相關介層窗問題上，徹底地獲得改進。

简体摘要： 一种免阻障层之介层窗制程，且特别是有关于一种致密键结、大幅增加导线电传导性且避免迁移效应之介层窗结构制程。本发明提供一层金属合金与一预先材料层反应，所形成之金属化合物可取代传统介层窗之阻障层结构，不但节省了制程成本，更在迁移效应与电传导性等相关介层窗问题上，彻底地获得改进。

公开(公告)号：TW495918B

公开(公告)日：2002-07-21

申请号：TW090117609

申请日：2001-07-18

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司

发明人： 林俊成 ,  眭曉林

IPC分类号： H01L

摘要： 本發明是關於一種銅雙鑲嵌的溝槽阻障層之製程方法，利用加入摻質矽(Si)的氮化鈦(Titanium Nitride，TiN)而形成的含矽氮化鈦[TiN(Si)]作為雙鑲嵌溝槽的阻障層材料。含矽氮化鈦[TiN(Si)]對不同材質具有選擇性沉積速度的特質，在銅上之化學氣相沉積速度較其在介電層(Inter-Metal Dielectric，IMD)上緩慢。適當地控制沉積時間，含矽氮化鈦將在溝槽側壁之介電層上形成一定厚度的阻障薄膜，以防止導線銅和介電層間的電性遷移，但在相同時間內，並未在銅上形成顯著的阻障層沉積，因此上下層導線間之電阻率降低，而避免過高之RC時間延遲效應，改善元件的速度表現。

简体摘要： 本发明是关于一种铜双镶嵌的沟槽阻障层之制程方法，利用加入掺质硅(Si)的氮化钛(Titanium Nitride，TiN)而形成的含硅氮化钛[TiN(Si)]作为双镶嵌沟槽的阻障层材料。含硅氮化钛[TiN(Si)]对不同材质具有选择性沉积速度的特质，在铜上之化学气相沉积速度较其在介电层(Inter-Metal Dielectric，IMD)上缓慢。适当地控制沉积时间，含硅氮化钛将在沟槽侧壁之介电层上形成一定厚度的阻障薄膜，以防止导线铜和介电层间的电性迁移，但在相同时间内，并未在铜上形成显着的阻障层沉积，因此上下层导线间之电阻率降低，而避免过高之RC时间延迟效应，改善组件的速度表现。