公开(公告)号：TWI685107B

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：TW107133608

申请日：2018-09-25

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 陳奕寰 ,  CHEN, YI HUAN ,  陳奕升 ,  CHEN, YI SHENG ,  范富傑 ,  FAN, FU JIER ,  劉思賢 ,  LIU, SZU HSIEN ,  林大為 ,  LIN, TA WEI ,  鄭光茗 ,  THEI, KONG BENG ,  周建志 ,  CHOU, CHIEN CHIH

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L21/76

公开(公告)号：TWI247369B

公开(公告)日：2006-01-11

申请号：TW089116304

申请日：2000-08-11

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 林國偉 LIN, KUO WEI ,  陳燕銘 CHEN, YEN MING ,  范富傑 ,  朱政宇 ,  彭秋憲 PENG, CHIOU SHIAN ,  范揚通 ,  林士禎

IPC: H01L

CPC classification number: H01L2224/11 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本發明包含沈積護層於金屬墊之上，接著，蝕刻護層以暴露出金屬墊，再沈積阻障層與一利於銅材質電鍍的銅種子層於蝕刻後之護層及暴露金屬墊之上，之後，利用微影製程形成具有開口之光阻圖案於銅種子層之上。以電鍍法形成銅於銅種子層之上，再以電鍍法在電鍍銅層表面形成鎳層。塗佈錫膏於光阻圖案之上，接著利用刮刀刮動錫膏將錫膏刮入光阻圖案之開口中，去除光阻圖案形成錫凸塊。以錫凸塊做為蝕刻罩幕，將被暴露出之鎳層及電鍍銅層蝕刻。之後，以熱流將錫凸塊形成球狀結構完成錫球之製作。

Abstract in simplified Chinese: 本发明包含沉积护层于金属垫之上，接着，蚀刻护层以暴露出金属垫，再沉积阻障层与一利于铜材质电镀的铜种子层于蚀刻后之护层及暴露金属垫之上，之后，利用微影制程形成具有开口之光阻图案于铜种子层之上。以电镀法形成铜于铜种子层之上，再以电镀法在电镀铜层表面形成镍层。涂布锡膏于光阻图案之上，接着利用刮刀刮动锡膏将锡膏刮入光阻图案之开口中，去除光阻图案形成锡凸块。以锡凸块做为蚀刻罩幕，将被暴露出之镍层及电镀铜层蚀刻。之后，以热流将锡凸块形成球状结构完成锡球之制作。

公开(公告)号：TWI643348B

公开(公告)日：2018-12-01

申请号：TW106103361

申请日：2017-01-26

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

Inventor： 陳奕升 ,  CHEN, YI-SHENG ,  鄭光茗 ,  THEI, KONG-BENG ,  范富傑 ,  FAN, FU-JIER ,  高榮輝 ,  KAO, JUNG-HUI ,  陳奕寰 ,  CHEN, YI-HUAN ,  林國樹 ,  LIN, KAU-CHU

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

公开(公告)号：TWI638427B

公开(公告)日：2018-10-11

申请号：TW105122580

申请日：2016-07-18

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

Inventor： 陳奕寰 ,  CHEN, YI HUAN ,  范富傑 ,  FAN, FU JIER ,  鄭光茗 ,  THEI, KONG BENG ,  霍克孝 ,  HUO, KER HSIAO ,  陳奕升 ,  CHEN, YI SHENG ,  劉思賢 ,  LIU, SZU HSIEN ,  林國樹 ,  LIN, KAU CHU ,  葉力瑄 ,  YEH, LI HSUAN

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06

公开(公告)号：TW403961B

公开(公告)日：2000-09-01

申请号：TW088101279

申请日：1999-01-28

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 范富傑 ,  劉芳昌

IPC: H01L

Abstract: 本發明揭露了一種於特定區域製作氧化層之方法，本方法首先於一半導體基板上形成第一氧化層，再於其上覆蓋一層光罩，用以定義出欲製作氧化層之區域。接著對光阻未覆蓋之氧化層區域進行氮原子植入，隨後並除去該光罩，以露出含有氮原子之第一氧化層與不含氮原子之第一氧化層。最後，對整個半導體結構進行氧化，此時不含氮原子之第一氧化層會直接於定義之位置進一步長成所需之第二氧化層，而氮原子則會漸次逸出半導體表面，使得原先含有氮原子之區域還原成最初所形成之第一氧化層。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭露了一种于特定区域制作氧化层之方法，本方法首先于一半导体基板上形成第一氧化层，再于其上覆盖一层光罩，用以定义出欲制作氧化层之区域。接着对光阻未覆盖之氧化层区域进行氮原子植入，随后并除去该光罩，以露出含有氮原子之第一氧化层与不含氮原子之第一氧化层。最后，对整个半导体结构进行氧化，此时不含氮原子之第一氧化层会直接于定义之位置进一步长成所需之第二氧化层，而氮原子则会渐次逸出半导体表面，使得原先含有氮原子之区域还原成最初所形成之第一氧化层。

公开(公告)号：TW201725654A

公开(公告)日：2017-07-16

申请号：TW105144308

申请日：2016-12-30

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

Inventor： 范富傑 ,  FAN, FU-JIER ,  鄭光茗 ,  THEI, KONG-BENG ,  劉思賢 ,  LIU, SZU-HSIEN

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/6656 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823864 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/78

Abstract: 提供一種間隔件結構以及一種其之成形加工方法。第一及第二導電結構係形成於一基板上方。係形成一第一圖案化介電層，以覆蓋該第一導電結構以及暴露出該第二導電結構。係形成一第二介電層，以覆蓋該第一圖案化介電層以及該第二導電結構的一上表面及側壁。係移除放置於該第一導電結構的一上表面以及該第二導電結構的該上表面上方之該第二介電層。放置於該第一導電結構的該等側壁上之該第一圖案化介電層以及該第二介電層係形成一第一間隔件結構，以及放置於該第二導電結構的該等側壁上的該第二介電層係形成一第二間隔件結構。該第一間隔件結構的一寬度大於該第二間隔件結構的一寬度。

Abstract in simplified Chinese: 提供一种间隔件结构以及一种其之成形加工方法。第一及第二导电结构系形成于一基板上方。系形成一第一图案化介电层，以覆盖该第一导电结构以及暴露出该第二导电结构。系形成一第二介电层，以覆盖该第一图案化介电层以及该第二导电结构的一上表面及侧壁。系移除放置于该第一导电结构的一上表面以及该第二导电结构的该上表面上方之该第二介电层。放置于该第一导电结构的该等侧壁上之该第一图案化介电层以及该第二介电层系形成一第一间隔件结构，以及放置于该第二导电结构的该等侧壁上的该第二介电层系形成一第二间隔件结构。该第一间隔件结构的一宽度大于该第二间隔件结构的一宽度。

公开(公告)号：TWI323493B

公开(公告)日：2010-04-11

申请号：TW095108398

申请日：2006-03-13

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 姚皓然 ,  范富傑 ,  吳毓瑞 ,  王明義 ,  王祥維 ,  林晃生 ,  陳明賢 ,  薛瑞雲

IPC: H01L

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L24/03 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本發明揭示一種接合墊(bond pad)結構，其包括一頂部介層窗(via)圖案。頂部介層窗圖案具有至少一第一介層窗組以及與其相鄰的至少一第二介層窗組。第一介層窗組具有朝一第一方向延伸之至少兩個線型介層窗，而第二介層窗組具有朝不同於第一方向之一第二方向延伸之至少兩個線型介層窗。第一介層窗組之線型介層窗不與第二介層窗組之線型介層窗相交。 A bond pad structure. The bond pad structure includes a top via pattern having at least one first via group and at least one second via group adjacent to each other. The first via group has at least two line vias extending in a first direction. The second via group has at least two line vias extending in a second direction different from the first direction. The line via of the first via group does not cross the line via of the second via group. 【創作特點】 有鑑於此，本發明之目的在於提供一種用於接合墊結構之頂部介層窗圖案，用以避免在線型介層窗相交之處具有不良的覆蓋率(coverage)，進而改善可靠度、接合度以及品質控制。
根據上述之目的，本發明之一實施例係提供一種接合墊結構，其包括：一第一金屬層、位於第一金屬層上方的一第二金屬層、位於第一金屬層與第二金屬層之間的一介電層以及設置於介電層中且電性連接至第一金屬層與第二金屬層金屬介層窗圖案。金屬介層窗圖案具有至少二第一介層窗組以及與其相鄰的至少二第二介層窗組，且第一及第二介層窗組沿著一第一方向及不同於第一方向之一第二方向輪流排列。第一介層窗組具有朝第一方向延伸之至少兩個第一線型介層窗，而第二介層窗組具有朝第二方向延伸之至少兩個第二線型介層窗，且第一線型介層窗不與第二線型介層窗相交。
本發明之另一實施例係提供一種金屬介層窗圖案，其具有依矩陣陣列排列之複數第一介層窗組及複數第二介層窗組，且第一及第二介層窗組沿著一第一方向及不同於第一方向之一第二方向輪流排列。第一介層窗組具有朝一第一方向延伸之至少兩個第一線型介層窗，而第二介層窗組具有朝垂直於第一方向之一第二方向延伸之至少兩個第二線型介層窗。第一介層窗組具有三個平行排置的線型介層窗。第二介層窗組具有三個平行排置的線型介層窗。一積體電路係設置於接合墊結構之下方。
為讓本發明之上述目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种接合垫(bond pad)结构，其包括一顶部介层窗(via)图案。顶部介层窗图案具有至少一第一介层窗组以及与其相邻的至少一第二介层窗组。第一介层窗组具有朝一第一方向延伸之至少两个线型介层窗，而第二介层窗组具有朝不同于第一方向之一第二方向延伸之至少两个线型介层窗。第一介层窗组之线型介层窗不与第二介层窗组之线型介层窗相交。 A bond pad structure. The bond pad structure includes a top via pattern having at least one first via group and at least one second via group adjacent to each other. The first via group has at least two line vias extending in a first direction. The second via group has at least two line vias extending in a second direction different from the first direction. The line via of the first via group does not cross the line via of the second via group. 【创作特点】 有鉴于此，本发明之目的在于提供一种用于接合垫结构之顶部介层窗图案，用以避免在线型介层窗相交之处具有不良的覆盖率(coverage)，进而改善可靠度、接合度以及品质控制。 根据上述之目的，本发明之一实施例系提供一种接合垫结构，其包括：一第一金属层、位于第一金属层上方的一第二金属层、位于第一金属层与第二金属层之间的一介电层以及设置于介电层中且电性连接至第一金属层与第二金属层金属介层窗图案。金属介层窗图案具有至少二第一介层窗组以及与其相邻的至少二第二介层窗组，且第一及第二介层窗组沿着一第一方向及不同于第一方向之一第二方向轮流排列。第一介层窗组具有朝第一方向延伸之至少两个第一线型介层窗，而第二介层窗组具有朝第二方向延伸之至少两个第二线型介层窗，且第一线型介层窗不与第二线型介层窗相交。 本发明之另一实施例系提供一种金属介层窗图案，其具有依矩阵数组排列之复数第一介层窗组及复数第二介层窗组，且第一及第二介层窗组沿着一第一方向及不同于第一方向之一第二方向轮流排列。第一介层窗组具有朝一第一方向延伸之至少两个第一线型介层窗，而第二介层窗组具有朝垂直于第一方向之一第二方向延伸之至少两个第二线型介层窗。第一介层窗组具有三个平行排置的线型介层窗。第二介层窗组具有三个平行排置的线型介层窗。一集成电路系设置于接合垫结构之下方。 为让本发明之上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：

公开(公告)号：TW452853B

公开(公告)日：2001-09-01

申请号：TW089123567

申请日：2000-11-08

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 范揚通 ,  朱政宇 ,  彭秋憲 ,  林士禎 ,  陳燕銘 ,  范富傑 ,  林國偉

IPC: H01L

Abstract: 一種在彩色濾光片製程中調整微透鏡形狀之方法於此處揭露。首先，提供一半導體底材。其中，在此半導體底材上具有光二極體與導電結構，用以作為光感應元件使用。並且，在光二極體的上方並具有彩色濾光片，用以將入射光線過濾為三原色光，再投射於光感應元件上。至於，在彩色濾光片上表面，則具有透光性的間隙層。接著，可塗佈光阻層於間隙層上表面，並以微影程序移除部份光阻層以形成複數個光阻區塊於間隙層上。隨後，先以紫外線照射複數個光阻區塊，來達到控制後續微透鏡型狀之目的。隨後，可對複數個光阻區塊進行熱熔程序，而製作出所需的微透鏡。

Abstract in simplified Chinese: 一种在彩色滤光片制程中调整微透镜形状之方法于此处揭露。首先，提供一半导体底材。其中，在此半导体底材上具有光二极管与导电结构，用以作为光感应组件使用。并且，在光二极管的上方并具有彩色滤光片，用以将入射光线过滤为三原色光，再投射于光感应组件上。至于，在彩色滤光片上表面，则具有透光性的间隙层。接着，可涂布光阻层于间隙层上表面，并以微影进程移除部份光阻层以形成复数个光阻区块于间隙层上。随后，先以紫外线照射复数个光阻区块，来达到控制后续微透镜型状之目的。随后，可对复数个光阻区块进行热熔进程，而制作出所需的微透镜。

公开(公告)号：TW402776B

公开(公告)日：2000-08-21

申请号：TW087119216

申请日：1998-11-20

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 林士琦 ,  范富傑 ,  許正東

IPC: H01L

Abstract: 一種半導體電容器之介電層製作方法，係利用化學氣相沉積法，以四氫化矽與一氧化二氮為反應氣體，先在電容器第一極板上沉積一二氧化矽介電質薄膜，持績以上述之氣體形成薄膜的過程中，並逐漸加入氨氣或氮氣，該氨氣或氮氣之流量是以線性方式由零遞增至一固定值，再保持該固定值之流量一段時間，直到沉積至適當厚度，即完成介電層的製作，最後，於上述之介電層上形成一電容器第二極板。該介電層接近底部結構為二氧化矽，而接近頂部結構為氮氧化矽，故本介電層介電係數在接近底部約為3.7，往頂部介電係數逐步升高，而接近頂部的介電係數可由上述固定值之流量比例決定，介電層的厚度可由沉積的時間控制，因此，調整上述不同成份的厚度比例，可不改變介電層厚度而獲得所需電容值。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体电容器之介电层制作方法，系利用化学气相沉积法，以四氢化硅与一氧化二氮为反应气体，先在电容器第一极板上沉积一二氧化硅介电质薄膜，持绩以上述之气体形成薄膜的过程中，并逐渐加入氨气或氮气，该氨气或氮气之流量是以线性方式由零递增至一固定值，再保持该固定值之流量一段时间，直到沉积至适当厚度，即完成介电层的制作，最后，于上述之介电层上形成一电容器第二极板。该介电层接近底部结构为二氧化硅，而接近顶部结构为氮氧化硅，故本介电层介电系数在接近底部约为3.7，往顶部介电系数逐步升高，而接近顶部的介电系数可由上述固定值之流量比例决定，介电层的厚度可由沉积的时间控制，因此，调整上述不同成份的厚度比例，可不改变介电层厚度而获得所需电容值。

公开(公告)号：TW201735264A

公开(公告)日：2017-10-01

申请号：TW105122580

申请日：2016-07-18

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

Inventor： 陳奕寰 ,  CHEN, YI HUAN ,  范富傑 ,  FAN, FU JIER ,  鄭光茗 ,  THEI, KONG BENG ,  霍克孝 ,  HUO, KER HSIAO ,  陳奕升 ,  CHEN, YI SHENG ,  劉思賢 ,  LIU, SZU HSIEN ,  林國樹 ,  LIN, KAU CHU ,  葉力瑄 ,  YEH, LI HSUAN

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L27/088 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823493 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66621

Abstract: 本發明揭示一種方法，其包含形成延伸至一半導體基板中之一隔離區、蝕刻該隔離區之一頂部部分，以在該隔離區中形成一凹陷及形成延伸至該凹陷中且與該隔離區之一下部分重疊之一閘極堆疊。一源極區及一汲極區形成於該閘極堆疊之相對側上。該閘極堆疊、該源極區及該汲極區為一金屬氧化物半導體器件(MOS)之部分。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种方法，其包含形成延伸至一半导体基板中之一隔离区、蚀刻该隔离区之一顶部部分，以在该隔离区中形成一凹陷及形成延伸至该凹陷中且与该隔离区之一下部分重叠之一闸极堆栈。一源极区及一汲极区形成于该闸极堆栈之相对侧上。该闸极堆栈、该源极区及该汲极区为一金属氧化物半导体器件(MOS)之部分。