公开(公告)号：TW201743425A

公开(公告)日：2017-12-16

申请号：TW105135654

申请日：2016-11-03

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 余振華 ,  YU, CHEN-HUA ,  劉重希 ,  LIU, CHUNG-SHI ,  林修任 ,  LIN, HSIU-JEN ,  郭炫廷 ,  KUO, HSUAN-TING ,  黃貴偉 ,  HUANG, KUEI-WEI ,  鄭明達 ,  CHENG, MING-DA ,  陳威宇 ,  CHEN, WEI-YU ,  謝靜華 ,  HSIEH, CHING-HUA

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L24/17 ,  H01L24/27 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/2731 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/8112 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/921 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/15313

Abstract: 一種堆疊式封裝體結構包括第一封裝體與第二封裝體。所述第二封裝體藉由一個連接件或更多個連接件耦接至所述第一封裝體。環氧助焊劑殘留物環繞連接件且與連接件連接。一種堆疊式封裝體結構的形成方法包括提供具有第一連接墊的第一封裝體，並提供具有相對應的第二連接墊的第二封裝體。將焊膏印在各第一連接墊上。環氧助焊劑印在各焊膏上。將第一連接墊對齊第二連接墊並將所述第一封裝體與所述第二封裝體壓合在一起。迴焊所述焊膏，以將第一連接墊連接至第二連接墊，並將環氧助焊劑殘留物留在各連接件的周圍。

Abstract in simplified Chinese: 一种堆栈式封装体结构包括第一封装体与第二封装体。所述第二封装体借由一个连接件或更多个连接件耦接至所述第一封装体。环氧助焊剂残留物环绕连接件且与连接件连接。一种堆栈式封装体结构的形成方法包括提供具有第一连接垫的第一封装体，并提供具有相对应的第二连接垫的第二封装体。将焊膏印在各第一连接垫上。环氧助焊剂印在各焊膏上。将第一连接垫对齐第二连接垫并将所述第一封装体与所述第二封装体压合在一起。回焊所述焊膏，以将第一连接垫连接至第二连接垫，并将环氧助焊剂残留物留在各连接件的周围。

公开(公告)号：TW201719840A

公开(公告)日：2017-06-01

申请号：TW105139327

申请日：2016-11-29

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 吳政達 ,  WU, CHENG-TAR ,  劉重希 ,  LIU, CHUNG-SHI ,  林志偉 ,  LIN, CHIH-WEI ,  黃暉閔 ,  HUANG, HUI-MIN ,  鄭明達 ,  CHENG, MING-DA

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/76834 ,  H01L21/56 ,  H01L21/76828 ,  H01L23/291 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/5328 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/10125 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014

Abstract: 一種形成晶圓級晶片尺度封裝內連線的方法可包含：在基底上方形成後鈍化內連線（PPI）層；在PPI層上方形成內連線；以及在基底上方釋放模製化合物材料，模製化合物材料流動以橫向地囊封內連線的一部分。

Abstract in simplified Chinese: 一种形成晶圆级芯片尺度封装内连接的方法可包含：在基底上方形成后钝化内连接（PPI）层；在PPI层上方形成内连接；以及在基底上方释放模制化合物材料，模制化合物材料流动以横向地囊封内连接的一部分。

公开(公告)号：TW202027167A

公开(公告)日：2020-07-16

申请号：TW108137412

申请日：2019-10-17

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 曾俊凱 ,  TZENG, CHUN-KAI ,  林政仁 ,  LIN, CHENG JEN ,  趙永清 ,  CHAO, YUNG-CHING ,  鄭明達 ,  CHENG, MING-DA ,  李明機 ,  LII, MIRNG-JI

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/4763

Abstract: 本發明實施例提供了形成積體電路結構的方法，此方法包含形成第一磁層、形成第一導線於第一磁層上、及塗佈感光塗層於第一磁層上。感光塗層包含直接位於第一導線上的第一部分、及從第一導線偏移的第二部分。第一部分連接至第二部分。此方法更包含在感光塗層的第一部分上進行第一曝光、在感光塗層的第一部分及第二部分上進行第二曝光、顯影感光塗層、及形成第二磁層於感光塗層上。

Abstract in simplified Chinese: 本发明实施例提供了形成集成电路结构的方法，此方法包含形成第一磁层、形成第一导线于第一磁层上、及涂布感光涂层于第一磁层上。感光涂层包含直接位于第一导在线的第一部分、及从第一导线偏移的第二部分。第一部分连接至第二部分。此方法更包含在感光涂层的第一部分上进行第一曝光、在感光涂层的第一部分及第二部分上进行第二曝光、显影感光涂层、及形成第二磁层于感光涂层上。

公开(公告)号：TW201731054A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：TW105142322

申请日：2016-12-20

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

Inventor： 余振華 ,  YU, CHEN-HUA ,  蘇安治 ,  SU, AN-JHIH ,  陳星兆 ,  CHEN, SHING-CHAO ,  謝靜華 ,  HSIEH, CHING-HUA ,  劉重希 ,  LIU, CHUNG-SHI ,  葉德強 ,  YEH, DER-CHYANG ,  鄭明達 ,  CHENG, MING-DA

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L25/50 ,  H01L21/561 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/11 ,  H01L24/81 ,  H01L24/98 ,  H01L25/105 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/19102

Abstract: 一實施例係一種方法，其包括以第一組焊點接合一第一封裝件至一第二封裝件的一第一組導電墊；測試該第一封裝件的缺陷；藉由基於測試該第一封裝件的缺陷將一雷射光束導引在該第一封裝件的一表面以加熱該第一組焊點；在該第一組焊點被加熱之後，移除該第一封裝件；以及接合一第三封裝件至該第二封裝件的該第一組導電墊。

Abstract in simplified Chinese: 一实施例系一种方法，其包括以第一组焊点接合一第一封装件至一第二封装件的一第一组导电垫；测试该第一封装件的缺陷；借由基于测试该第一封装件的缺陷将一激光光束导引在该第一封装件的一表面以加热该第一组焊点；在该第一组焊点被加热之后，移除该第一封装件；以及接合一第三封装件至该第二封装件的该第一组导电垫。

公开(公告)号：TW201830598A

公开(公告)日：2018-08-16

申请号：TW106131638

申请日：2017-09-14

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

Inventor： 陳承先 ,  CHEN, CHEN-SHIEN ,  林修任 ,  LIN, HSIU-JEN ,  游明志 ,  YEW, MING-CHIH ,  鄭明達 ,  CHENG, MING-DA ,  賴怡仁 ,  LAI, YI-JEN ,  蘇昱澤 ,  SU, YU-TSE ,  孫詩平 ,  SUN, SEY-PING ,  陳揚哲 ,  CHEN, YANG-CHE

IPC: H01L23/28 ,  H01L23/48 ,  H01L25/065 ,  H01L21/56

Abstract: 一種實施例封裝包含一第一封裝。該第一封裝包含：一第一積體電路晶粒；一囊封劑，其圍繞該第一積體電路晶粒；及重佈層，其位於該囊封劑及該第一積體電路晶粒上方。該封裝亦包含藉由複數個功能連接器來接合至該第一封裝之一第二封裝。該等功能連接器及該等重佈層將該第二封裝之一第二積體電路晶粒電連接至該第一積體電路晶粒。該封裝亦包含經安置於該第一封裝與該第二封裝之間的複數個虛設連接器。面向該第一封裝之該複數個虛設連接器之各者之一端與該第一封裝實體分離。

Abstract in simplified Chinese: 一种实施例封装包含一第一封装。该第一封装包含：一第一集成电路晶粒；一囊封剂，其围绕该第一集成电路晶粒；及重布层，其位于该囊封剂及该第一集成电路晶粒上方。该封装亦包含借由复数个功能连接器来接合至该第一封装之一第二封装。该等功能连接器及该等重布层将该第二封装之一第二集成电路晶粒电连接至该第一集成电路晶粒。该封装亦包含经安置于该第一封装与该第二封装之间的复数个虚设连接器。面向该第一封装之该复数个虚设连接器之各者之一端与该第一封装实体分离。

公开(公告)号：TW201830530A

公开(公告)日：2018-08-16

申请号：TW106124603

申请日：2017-07-21

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

Inventor： 洪政男 ,  HUNG, JENG-NAN ,  余俊輝 ,  YU, CHUN-HUI ,  余國寵 ,  YEE, KUO-CHUNG ,  蔡易達 ,  TSAI, YI-DA ,  林威宏 ,  LIN, WEI-HUNG ,  鄭明達 ,  CHENG, MING-DA ,  謝靜華 ,  HSIEH, CHING-HUA

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: 本發明實施例提供一種製造一半導體封裝結構之方法。提供經形成於載體基板上方之一堆疊結構，其中該堆疊結構具有含一開口之一通道。將該堆疊結構浸入至一流體模塑材料中以使該流體模塑材料透過該等開口流入至該通道中。

Abstract in simplified Chinese: 本发明实施例提供一种制造一半导体封装结构之方法。提供经形成于载体基板上方之一堆栈结构，其中该堆栈结构具有含一开口之一信道。将该堆栈结构浸入至一流体模塑材料中以使该流体模塑材料透过该等开口流入至该信道中。