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公开(公告)号：TWI565042B
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW104137570
申请日：2015-11-13
发明人： 李正德 , LEE, CHENG TE , 喻中一 , YU, CHUNG YI , 劉人誠 , LIU, JEN CHENG , 黃冠傑 , HUANG, KUAN CHIEH , 杜友倫 , TU, YEUR LUEN
IPC分类号： H01L27/146 , H01L25/04
CPC分类号： H01L25/50 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/0257 , H01L21/02636 , H01L21/223 , H01L21/283 , H01L21/30 , H01L21/304 , H01L21/30604 , H01L21/76254 , H01L21/768 , H01L24/11 , H01L24/81 , H01L25/00 , H01L27/14634 , H01L27/1469 , H01L29/0684 , H01L29/167 , H01L29/36 , H01L2224/16235 , H01L2225/06517 , H01L2225/06548
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公开(公告)号：TWI528536B
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW102128945
申请日：2013-08-13
发明人： 丁世汎 , TING, SHYH FANN , 盧玠甫 , LU, JIECH FUN , 王銘義 , WANG, MING I , 杜友倫 , TU, YEUR LUEN , 王俊智 , WANG, CHUN CHING
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/1464 , H01L21/76838 , H01L27/14623 , H01L27/14687
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公开(公告)号：TW201436120A
公开(公告)日：2014-09-16
申请号：TW103100030
申请日：2014-01-02
发明人： 陳 崑崙 , TRAN, LUAN C. , 杜友倫 , TU, YEUR LUEN , 王俊智 , WANG, CHUN CHING
CPC分类号： H01L24/09 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/08 , H01L24/80 , H01L25/0657 , H01L2224/02375 , H01L2224/0401 , H01L2224/05553 , H01L2224/06133 , H01L2224/06134 , H01L2224/06135 , H01L2224/08121 , H01L2224/08147 , H01L2224/0901 , H01L2224/0903 , H01L2224/131 , H01L2224/16105 , H01L2224/80203 , H01L2224/80357 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/94 , H01L2225/06527 , H01L2924/01013 , H01L2924/01079 , H01L2924/14 , H01L2224/80 , H01L2924/00012 , H01L2924/014
摘要： 一種晶圓接合封裝結構，包括一第一封裝元件、一第一延長接合墊、一第二封裝元件及一第二延長接合墊。第一延長接合墊係位於第一封裝元件之一表面處。第一延長接合墊具有位於一第一縱長方向中之一第一長度以及一第一寬度。第一寬度係小於第一長度。第二延長接合墊係位於第二封裝元件之一表面處，並且係接合於第一延長接合墊。第二延長接合墊具有位於一第二縱長方向中之一第二長度以及一第二寬度。第二寬度係小於第一長度。第二縱長方向係不平行於第一縱長方向。
简体摘要： 一种晶圆接合封装结构，包括一第一封装组件、一第一延长接合垫、一第二封装组件及一第二延长接合垫。第一延长接合垫系位于第一封装组件之一表面处。第一延长接合垫具有位于一第一纵长方向中之一第一长度以及一第一宽度。第一宽度系小于第一长度。第二延长接合垫系位于第二封装组件之一表面处，并且系接合于第一延长接合垫。第二延长接合垫具有位于一第二纵长方向中之一第二长度以及一第二宽度。第二宽度系小于第一长度。第二纵长方向系不平行于第一纵长方向。
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公开(公告)号：TW201417227A
公开(公告)日：2014-05-01
申请号：TW102134695
申请日：2013-09-26
发明人： 劉丙寅 , LIU, PING YIN , 陳思瑩 , CHEN, SZU YING , 王銓中 , WANG, CHEN JONG , 黃志輝 , HUANG, CHIH HUI , 黃信華 , HUANG, XIN HUA , 趙蘭璘 , CHAO, LAN LIN , 杜友倫 , TU, YEUR LUEN , 蔡嘉雄 , TSAI, CHIA SHIUNG , 陳曉萌 , CHEN, XIAOMENG
CPC分类号： H01L24/03 , H01L21/76831 , H01L21/76834 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/80 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0345 , H01L2224/0346 , H01L2224/0347 , H01L2224/0348 , H01L2224/0361 , H01L2224/03616 , H01L2224/05026 , H01L2224/0508 , H01L2224/05147 , H01L2224/05187 , H01L2224/05547 , H01L2224/05553 , H01L2224/05564 , H01L2224/05571 , H01L2224/05576 , H01L2224/05578 , H01L2224/05647 , H01L2224/05687 , H01L2224/08121 , H01L2224/08147 , H01L2224/80121 , H01L2224/80203 , H01L2225/06513 , H01L2924/00014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/05032 , H01L2924/0504 , H01L2924/05442 , H01L2924/00012 , H01L2924/05042 , H01L2924/059 , H01L2224/05552
摘要： 本發明實施例之擴散阻障層係提供形成一銅擴散阻障層的機制，以避免因晶圓混成接合造成元件衰退。擴散阻障層係包圍用於混成接合製程的含銅導電墊。擴散阻障層可位於兩個接合晶片的其中之一上或位於兩個接合晶片上。
简体摘要： 本发明实施例之扩散阻障层系提供形成一铜扩散阻障层的机制，以避免因晶圆混成接合造成组件衰退。扩散阻障层系包围用于混成接合制程的含铜导电垫。扩散阻障层可位于两个接合芯片的其中之一上或位于两个接合芯片上。
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公开(公告)号：TW201349468A
公开(公告)日：2013-12-01
申请号：TW102112989
申请日：2013-04-12
发明人： 林杏蓮 , LIN, HSING LIEN , 杜友倫 , TU, YEUR LUEN , 蔡正原 , TSAI, CHENG YUAN , 吳政達 , WU, CHENG TA , 蔡嘉雄 , TSAI, CHIA SHIUNG
CPC分类号： H01L27/14625 , H01L27/14609 , H01L27/1462 , H01L27/14627 , H01L27/1464 , H01L27/14685 , H01L31/02168
摘要： 本發明形成影像感測元件的方法包括形成感光區於矽基板的正面表面中，以及形成圖案化之金屬層於其上。接著沉積金屬氧化物抗反射層板於基板的第一表面上。金屬氧化物抗反射層板包含一或多個複合層，其具有薄金屬氧化物堆疊於光二極體上。每一複合層包含兩個或多個金屬氧化物層，其中一金屬氧化物為高能帶隙金屬氧化物，而另一金屬氧化物為高折射率金屬氧化物。
简体摘要： 本发明形成影像传感组件的方法包括形成感光区于硅基板的正面表面中，以及形成图案化之金属层于其上。接着沉积金属氧化物抗反射层板于基板的第一表面上。金属氧化物抗反射层板包含一或多个复合层，其具有薄金属氧化物堆栈于光二极管上。每一复合层包含两个或多个金属氧化物层，其中一金属氧化物为高能带隙金属氧化物，而另一金属氧化物为高折射率金属氧化物。
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公开(公告)号：TWI578556B
公开(公告)日：2017-04-11
申请号：TW103135384
申请日：2014-10-13
发明人： 周正賢 , CHOU, CHENGHSIEN , 周世培 , CHOU, SHIHPEI , 賴志育 , LAI, CHIHYU , 陳昇照 , CHEN, SHENGCHAU , 陳志達 , CHEN, CHIHTA , 杜友倫 , TU, YEURLUEN , 蔡嘉雄 , TSAI, CHIASHIUNG
IPC分类号： H01L31/042 , H01L21/762
CPC分类号： H01L27/14685 , H01L27/1462 , H01L27/1463 , H01L27/14687 , H01L33/20
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公开(公告)号：TW201635508A
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW104136618
申请日：2015-11-06
发明人： 徐鴻文 , HSU, HUNG WEN , 蘇慶忠 , SU, CHING CHUNG , 周正賢 , CHOU, CHENG HSIEN , 盧玠甫 , LU, JIECH FUN , 周世培 , CHOU, SHIH PEI , 杜友倫 , TU, YEUR LUEN
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14623 , H01L27/1462 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/14687 , H01L27/14689
摘要： 提供一種影像感測裝置結構。影像感測裝置結構包含：一基底，且基底包含一陣列區及一邊緣區。影像感測裝置結構包含：一抗反射層形成於基底上，以及一緩衝層形成於抗反射層上。影像感測裝置結構包含：一第一蝕刻停止層形成於緩衝層上，以及一金屬柵格結構形成於第一蝕刻停止層上。影像感測裝置結構亦包含：一介電層形成於金屬柵格結構上。
简体摘要： 提供一种影像传感设备结构。影像传感设备结构包含：一基底，且基底包含一数组区及一边缘区。影像传感设备结构包含：一抗反射层形成于基底上，以及一缓冲层形成于抗反射层上。影像传感设备结构包含：一第一蚀刻停止层形成于缓冲层上，以及一金属栅格结构形成于第一蚀刻停止层上。影像传感设备结构亦包含：一介电层形成于金属栅格结构上。
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公开(公告)号：TWI544614B
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：TW103146492
申请日：2014-12-31
发明人： 鄭有宏 , CHENG, YU HUNG , 曾東雄 , TSENG, TUNG HSIUNG , 吳政達 , WU, CHENG TA , 杜友倫 , TU, YEUR LUEN , 蔡嘉雄 , TSAI, CHIA SHIUNG , 李汝諒 , LEE, RU LIANG , 丁世汎 , TING, SHYH FANN , 施俊吉 , SZE, JHY JYI , 林東毅 , LIN, TUNG I , 陳韋立 , CHEN, WEI LI
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14643 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/14614 , H01L27/1462 , H01L27/1463 , H01L27/14685 , H01L27/14689 , H01L27/14698 , H01L31/02161 , H01L31/0288 , H01L31/0336 , H01L31/036 , H01L31/1868 , Y02E10/50
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公开(公告)号：TWI523121B
公开(公告)日：2016-02-21
申请号：TW102149205
申请日：2013-12-31
发明人： 劉丙寅 , LIU, PING YIN , 黃信華 , HUANG, XIN HUA , 黃志輝 , HUANG, CHIH HUI , 趙蘭璘 , CHAO, LAN LIN , 杜友倫 , TU, YEUR LUEN , 盧彥池 , LU, YAN CHIH , 施俊吉 , SZE, JHY JYI , 蔡嘉雄 , TSAI, CHIA SHIUNG
IPC分类号： H01L21/50 , H01L21/324
CPC分类号： H01L24/03 , H01L24/08 , H01L24/74 , H01L24/80 , H01L24/94 , H01L2224/08145 , H01L2224/74 , H01L2224/7501 , H01L2224/7525 , H01L2224/75251 , H01L2224/75252 , H01L2224/753 , H01L2224/757 , H01L2224/7598 , H01L2224/80011 , H01L2224/80013 , H01L2224/80065 , H01L2224/80075 , H01L2224/80121 , H01L2224/80204 , H01L2224/80209 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/80907 , H01L2224/80948 , H01L2224/94 , H01L2924/01322 , H01L2924/00012 , H01L2224/80 , H01L2924/00
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公开(公告)号：TW201601334A
公开(公告)日：2016-01-01
申请号：TW103135384
申请日：2014-10-13
发明人： 周正賢 , CHOU, CHENGHSIEN , 周世培 , CHOU, SHIHPEI , 賴志育 , LAI, CHIHYU , 陳昇照 , CHEN, SHENGCHAU , 陳志達 , CHEN, CHIHTA , 杜友倫 , TU, YEURLUEN , 蔡嘉雄 , TSAI, CHIASHIUNG
IPC分类号： H01L31/042 , H01L21/762
CPC分类号： H01L27/14685 , H01L27/1462 , H01L27/1463 , H01L27/14687 , H01L33/20
摘要： 本揭露之一些實施例係有關於一種深溝渠隔離(DTI)結構，用以提升光伏元件之效率與性能。此光伏元件包含功能層設於半導體基材之上表面、以及一對像素形成於半導體基材中，此對像素被深溝渠隔離結構所分開。深溝渠隔離結構設置在深溝渠中。在蝕刻深溝渠前，以沿著功能層形成之保護套局部覆蓋深溝渠之側壁。在蝕刻深溝渠時，保護套防止功能層的蝕刻，藉此防止汙染物擴散至此對像素中。保護套亦窄化深溝渠隔離結構之寬度，而可增加像素面積，進而可增進光伏元件之效率與性能。
简体摘要： 本揭露之一些实施例系有关于一种深沟渠隔离(DTI)结构，用以提升光伏组件之效率与性能。此光伏组件包含功能层设于半导体基材之上表面、以及一对像素形成于半导体基材中，此对像素被深沟渠隔离结构所分开。深沟渠隔离结构设置在深沟渠中。在蚀刻深沟渠前，以沿着功能层形成之保护套局部覆盖深沟渠之侧壁。在蚀刻深沟渠时，保护套防止功能层的蚀刻，借此防止污染物扩散至此对像素中。保护套亦窄化深沟渠隔离结构之宽度，而可增加像素面积，进而可增进光伏组件之效率与性能。
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