公开(公告)号：TW201810450A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：TW106120272

申请日：2017-06-16

申请人： 吉帝偉士股份有限公司 ,  J-DEVICES CORPORATION

发明人： 町田紘一 ,  MACHIDA, HIROKAZU ,  北野一彥 ,  KITANO, KAZUHIKO

IPC分类号： H01L21/52

CPC分类号： H01L23/142 ,  H01L21/4803 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/4871 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/544 ,  H01L23/552 ,  H01L24/03 ,  H01L24/04 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/19 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/03914 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/11013 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/83132 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/0665

摘要： 在此提供一種具備高良率之半導體封裝件之製造方法。關於本發明之一實施型態之半導體封裝件之製造方法包含以下步驟。蝕刻基材之第一面及位於第一面與第二面間之側面部，且於第一面及側面部附著相異於金屬之其他金屬。此基材包含至少一種類之金屬且具有相對之第一面及第二面。於基材之第二面以外部端子非朝向第二面之方式配置具備外部端子之半導體裝置。形成樹脂絕緣層以覆蓋半導體裝置。於樹脂絕緣層上形成第一導電層。於第一導電層及樹脂絕緣層形成開口部以露出外部端子。於基材之第一面與側面部、於第一導電層上及於開口部內形成鍍覆層。

简体摘要： 在此提供一种具备高良率之半导体封装件之制造方法。关于本发明之一实施型态之半导体封装件之制造方法包含以下步骤。蚀刻基材之第一面及位于第一面与第二面间之侧面部，且于第一面及侧面部附着相异于金属之其他金属。此基材包含至少一种类之金属且具有相对之第一面及第二面。于基材之第二面以外部端子非朝向第二面之方式配置具备外部端子之半导体设备。形成树脂绝缘层以覆盖半导体设备。于树脂绝缘层上形成第一导电层。于第一导电层及树脂绝缘层形成开口部以露出外部端子。于基材之第一面与侧面部、于第一导电层上及于开口部内形成镀覆层。

公开(公告)号：TW201810454A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：TW106119829

申请日：2017-06-14

申请人： 吉帝偉士股份有限公司 ,  J-DEVICES CORPORATION

发明人： 荒木誠太 ,  ARAKI, SEITA ,  北野一彥 ,  KITANO, KAZUHIKO

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L21/78

CPC分类号： H01L21/561 ,  H01L21/56 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/03 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20

摘要： 在此提供一種具備高良率之半導體封裝件之製造方法。關於本發明之一實施型態之半導體封裝件之製造方法包含以下步驟。準備至少一半導體裝置，半導體裝置具備外部端子，於基材上以前述外部端子非朝向前述基材之方式配置半導體裝置。於設置有前述至少一半導體裝置之基材上以圍繞前述半導體裝置之周圍之方式形成框體。形成樹脂絕緣層，樹脂絕緣層於前述框體之內側含有樹脂絕緣材料，以密封前述半導體裝置。

简体摘要： 在此提供一种具备高良率之半导体封装件之制造方法。关于本发明之一实施型态之半导体封装件之制造方法包含以下步骤。准备至少一半导体设备，半导体设备具备外部端子，于基材上以前述外部端子非朝向前述基材之方式配置半导体设备。于设置有前述至少一半导体设备之基材上以围绕前述半导体设备之周围之方式形成框体。形成树脂绝缘层，树脂绝缘层于前述框体之内侧含有树脂绝缘材料，以密封前述半导体设备。

公开(公告)号：TW201803036A

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：TW106107950

申请日：2017-03-10

申请人： 吉帝偉士股份有限公司 ,  J-DEVICES CORPORATION

发明人： 竹原靖之 ,  TAKEHARA, YASUYUKI ,  北野一彥 ,  KITANO, KAZUHIKO

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L23/28 ,  H01L21/56 ,  H01L21/58

CPC分类号： H01L21/561 ,  H01L21/4871 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76874 ,  H01L23/13 ,  H01L23/142 ,  H01L23/293 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/4926 ,  H01L23/544 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13118 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244

摘要： 在此提供一種半導體封裝件之製造方法，為用以於將半導體裝置配置於基材時獲得高對準精確度。半導體封裝件包含基材、半導體裝置及樹脂絕緣層。基材設置有凹部。半導體裝置配置於基材之設置有凹部之表面。樹脂絕緣層覆蓋半導體裝置。半導體封裝件亦可更包含位於基材與半導體裝置之間之接合層。接合層亦可具有露出凹部之開口部，樹脂絕緣層亦可接觸於開口部之側壁。

简体摘要： 在此提供一种半导体封装件之制造方法，为用以于将半导体设备配置于基材时获得高对准精确度。半导体封装件包含基材、半导体设备及树脂绝缘层。基材设置有凹部。半导体设备配置于基材之设置有凹部之表面。树脂绝缘层覆盖半导体设备。半导体封装件亦可更包含位于基材与半导体设备之间之接合层。接合层亦可具有露出凹部之开口部，树脂绝缘层亦可接触于开口部之侧壁。

公开(公告)号：TW201739027A

公开(公告)日：2017-11-01

申请号：TW106112545

申请日：2017-04-14

申请人： 吉帝偉士股份有限公司 ,  J-DEVICES CORPORATION

发明人： 丸谷尚一 ,  MARUTANI, HISAKAZU ,  甲斐稔 ,  KAI, MINORU ,  北野一彥 ,  KITANO, KAZUHIKO

IPC分类号： H01L23/492 ,  H01L21/306 ,  B23K26/38

CPC分类号： H01L23/3107 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/82 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/544 ,  H01L24/17 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/83 ,  H01L24/97 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/8201 ,  H01L2224/82031 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/83132 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/182 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/83

摘要： 在此提供一種維護頻率降低之半導體封裝件之製造方法。半導體封裝件之製造方法包含以下步驟。於基材上配置多個半導體裝置。形成覆蓋多個半導體裝置之樹脂絕緣層。於樹脂絕緣層形成溝槽，溝槽圍繞多個半導體裝置之各個半導體裝置。令雷射照射於基材之對應於溝槽之區域中，以分離多個半導體裝置之各個半導體裝置。溝槽亦可到達基材。於形成溝槽時，亦可於基材之對應於形成有溝槽之位置形成凹部。

简体摘要： 在此提供一种维护频率降低之半导体封装件之制造方法。半导体封装件之制造方法包含以下步骤。于基材上配置多个半导体设备。形成覆盖多个半导体设备之树脂绝缘层。于树脂绝缘层形成沟槽，沟槽围绕多个半导体设备之各个半导体设备。令激光照射于基材之对应于沟槽之区域中，以分离多个半导体设备之各个半导体设备。沟槽亦可到达基材。于形成沟槽时，亦可于基材之对应于形成有沟槽之位置形成凹部。