公开(公告)号：TWI694548B

公开(公告)日：2020-05-21

申请号：TW104129281

申请日：2015-09-04

申请人： 日商吉帝偉士股份有限公司 ,  J-DEVICES CORPORATION

发明人： 松原寬明 ,  MATSUBARA, HIROAKI ,  近井智哉 ,  CHIKAI, TOMOSHIGE ,  石堂仁則 ,  ISHIDO, KIMINORI ,  中村卓 ,  NAKAMURA, TAKASHI ,  本多広一 ,  HONDA, HIROKAZU ,  出町浩 ,  DEMACHI, HIROSHI ,  熊谷欣一 ,  KUMAGAYA, YOSHIKAZU ,  作元祥太朗 ,  SAKUMOTO, SHOTARO ,  渡邉真司 ,  WATANABE, SHINJI ,  細山田澄和 ,  HOSOYAMADA, SUMIKAZU ,  中村慎吾 ,  NAKAMURA, SHINGO ,  宮腰武 ,  MIYAKOSHI, TAKESHI ,  岩崎俊寬 ,  IWASAKI, TOSHIHIRO ,  玉川道昭 ,  TAMAKAWA, MICHIAKI

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/498 ,  H01L23/28 ,  H01L21/304

公开(公告)号：TWI681514B

公开(公告)日：2020-01-01

申请号：TW104122944

申请日：2015-07-15

申请人： 日商吉帝偉士股份有限公司 ,  J-DEVICES CORPORATION

发明人： 渡邉真司 ,  WATANABE, SHINJI ,  細山田澄和 ,  HOSOYAMADA, SUMIKAZU ,  中村慎吾 ,  NAKAMURA, SHINGO ,  出町浩 ,  DEMACHI, HIROSHI ,  宮腰武 ,  MIYAKOSHI, TAKESHI ,  近井智哉 ,  CHIKAI, TOMOSHIGE ,  石堂仁則 ,  ISHIDO, KIMINORI ,  松原寬明 ,  MATSUBARA, HIROAKI ,  中村卓 ,  NAKAMURA, TAKASHI ,  本多広一 ,  HONDA, HIROKAZU ,  熊谷欣一 ,  KUMAGAYA, YOSHIKAZU ,  作元祥太朗 ,  SAKUMOTO, SHOTARO ,  岩崎俊寬 ,  IWASAKI, TOSHIHIRO ,  玉川道昭 ,  TAMAKAWA, MICHIAKI

IPC分类号： H01L23/28 ,  H01L23/373

公开(公告)号：TW201611186A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：TW104129281

申请日：2015-09-04

申请人： 吉帝偉士股份有限公司 ,  J-DEVICES CORPORATION

发明人： 松原寬明 ,  MATSUBARA, HIROAKI ,  近井智哉 ,  CHIKAI, TOMOSHIGE ,  石堂仁則 ,  ISHIDO, KIMINORI ,  中村卓 ,  NAKAMURA, TAKASHI ,  本多広一 ,  HONDA, HIROKAZU ,  出町浩 ,  DEMACHI, HIROSHI ,  熊谷欣一 ,  KUMAGAYA, YOSHIKAZU ,  作元祥太朗 ,  SAKUMOTO, SHOTARO ,  渡邉真司 ,  WATANABE, SHINJI ,  細山田澄和 ,  HOSOYAMADA, SUMIKAZU ,  中村慎吾 ,  NAKAMURA, SHINGO ,  宮腰武 ,  MIYAKOSHI, TAKESHI ,  岩崎俊寬 ,  IWASAKI, TOSHIHIRO ,  玉川道昭 ,  TAMAKAWA, MICHIAKI

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/498 ,  H01L23/28 ,  H01L21/304

CPC分类号： H01L24/96 ,  H01L21/3043 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/562 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/81 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/2518 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73209 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73259 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/8203 ,  H01L2224/92124 ,  H01L2224/92224 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

摘要： 提供一種半導體裝置之製造方法以抑制晶片破裂及凸狀電極連接不良且提升良率及信賴性，包含以下步驟。經由凸狀電極電性連接半導體晶片及半導體晶圓。連接前或後，於二者間隙形成第一絕緣樹脂層。於半導體晶圓上形成第二絕緣樹脂層以掩埋半導體晶片。研磨第二絕緣樹脂層及半導體晶片至半導體晶片成為指定厚度。第二絕緣樹脂層上及半導體晶片上形成第一絕緣層，且於第一絕緣層及第二絕緣樹脂層形成露出電極之開口部。導電性材料埋設於開口部。於第一絕緣層上形成配線連接導電性材料。形成第一端子電性連接配線。研磨半導體晶圓達到完成厚度。

简体摘要： 提供一种半导体设备之制造方法以抑制芯片破裂及凸状电极连接不良且提升良率及信赖性，包含以下步骤。经由凸状电极电性连接半导体芯片及半导体晶圆。连接前或后，于二者间隙形成第一绝缘树脂层。于半导体晶圆上形成第二绝缘树脂层以掩埋半导体芯片。研磨第二绝缘树脂层及半导体芯片至半导体芯片成为指定厚度。第二绝缘树脂层上及半导体芯片上形成第一绝缘层，且于第一绝缘层及第二绝缘树脂层形成露出电极之开口部。导电性材料埋设于开口部。于第一绝缘层上形成配线连接导电性材料。形成第一端子电性连接配线。研磨半导体晶圆达到完成厚度。

公开(公告)号：TW201605002A

公开(公告)日：2016-02-01

申请号：TW104122944

申请日：2015-07-15

申请人： 吉帝偉士股份有限公司 ,  J-DEVICES CORPORATION

发明人： 渡邉真司 ,  WATANABE, SHINJI ,  細山田澄和 ,  HOSOYAMADA, SUMIKAZU ,  中村慎吾 ,  NAKAMURA, SHINGO ,  出町浩 ,  DEMACHI, HIROSHI ,  宮腰武 ,  MIYAKOSHI, TAKESHI ,  近井智哉 ,  CHIKAI, TOMOSHIGE ,  石堂仁則 ,  ISHIDO, KIMINORI ,  松原寬明 ,  MATSUBARA, HIROAKI ,  中村卓 ,  NAKAMURA, TAKASHI ,  本多広一 ,  HONDA, HIROKAZU ,  熊谷欣一 ,  KUMAGAYA, YOSHIKAZU ,  作元祥太朗 ,  SAKUMOTO, SHOTARO ,  岩崎俊寬 ,  IWASAKI, TOSHIHIRO ,  玉川道昭 ,  TAMAKAWA, MICHIAKI

IPC分类号： H01L23/28 ,  H01L23/373

CPC分类号： H05K1/181 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/3733 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49816 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1094 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/1815 ,  H05K1/0204 ,  H05K1/0206 ,  H05K1/0209 ,  H05K1/141 ,  H05K2201/0275 ,  H05K2201/066 ,  H05K2201/10515 ,  H05K2203/1311 ,  H05K2203/1322 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： 以提供於堆疊型半導體封裝中減輕從下側晶片朝向上側晶片之熱量傳遞之半導體封裝為目的。提供一種堆疊型半導體封裝，包含一第一半導體封裝、一第二半導體封裝及一熱傳導材料。第一半導體封裝包含一第一電路基板及安裝於第一電路基板之一第一半導體元件。第二半導體封裝包含一第二電路基板及安裝於第二電路基板之一第二半導體元件。第二半導體封裝堆疊於第一半導體封裝。熱傳導材料配置於第一半導體元件上及位於第一半導體元件之周邊之第一電路基板上。

简体摘要： 以提供于堆栈型半导体封装中减轻从下侧芯片朝向上侧芯片之热量传递之半导体封装为目的。提供一种堆栈型半导体封装，包含一第一半导体封装、一第二半导体封装及一热传导材料。第一半导体封装包含一第一电路基板及安装于第一电路基板之一第一半导体组件。第二半导体封装包含一第二电路基板及安装于第二电路基板之一第二半导体组件。第二半导体封装堆栈于第一半导体封装。热传导材料配置于第一半导体组件上及位于第一半导体组件之周边之第一电路基板上。