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公开(公告)号：TWI457982B
公开(公告)日：2014-10-21
申请号：TW101103741
申请日：2012-02-06
申请人： 富士通股份有限公司 , FUJITSU LIMITED
发明人： 中村哲一 , NAKAMURA, NORIKAZU , 尾崎史朗 , OZAKI, SHIROU , 武田正行 , TAKEDA, MASAYUKI , 宮島豐生 , MIYAJIMA, TOYOO , 多木俊裕 , OHKI, TOSHIHIRO , 金村雅仁 , KANAMURA, MASAHITO , 今西健治 , IMANISHI, KENJI , 吉川俊英 , KIKKAWA, TOSHIHIDE , 渡部慶二 , WATANABE, KEIJI
IPC分类号： H01L21/18 , H01L21/314 , H01L21/44 , H01L29/778
CPC分类号： H01L29/66462 , H01J37/32055 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01J37/32669 , H01L21/28264 , H01L29/2003 , H01L29/41766 , H01L29/4236 , H01L29/51 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/7786 , H01L29/7787 , H01L2224/0603 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/4903
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公开(公告)号：TW201413961A
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW102125224
申请日：2013-07-15
申请人： 富士通股份有限公司 , FUJITSU LIMITED
发明人： 西森理人 , NISHIMORI, MASATO , 今田忠紘 , IMADA, TADAHIRO , 多木俊裕 , OHKI, TOSHIHIRO
CPC分类号： H01L29/12 , H01L21/02378 , H01L21/02458 , H01L21/02521 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L29/2003 , H01L29/66462 , H01L29/7787
摘要： 一種化合物半導體裝置包括：一第一層；一第二層，係能帶間隙比該第一層大，且形成在該第一層上方；一第三層，其具有一p型導電型，且形成在該第二層上方；一閘極電極，係透過該第三層形成在該第二層上方；一第四層，係能帶間隙比該第二層大，且形成為與在該第二層上方之該第三層接觸；及一第五層，係能帶間隙比該第四層小，且形成為與在該第四層上方之該第三層接觸，作為多數化合物半導體層。
简体摘要： 一种化合物半导体设备包括：一第一层；一第二层，系能带间隙比该第一层大，且形成在该第一层上方；一第三层，其具有一p型导电型，且形成在该第二层上方；一闸极电极，系透过该第三层形成在该第二层上方；一第四层，系能带间隙比该第二层大，且形成为与在该第二层上方之该第三层接触；及一第五层，系能带间隙比该第四层小，且形成为与在该第四层上方之该第三层接触，作为多数化合物半导体层。
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公开(公告)号：TW201344903A
公开(公告)日：2013-11-01
申请号：TW102107787
申请日：2013-03-06
申请人： 富士通股份有限公司 , FUJITSU LIMITED
发明人： 多木俊裕 , OHKI, TOSHIHIRO
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/778 , H01L21/02365 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L29/1029 , H01L29/2003 , H01L29/66462 , H01L29/7787 , H01L2224/0603 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48472 , H01L2924/00
摘要： 一種化合物半導體裝置包括化合物半導體複合結構，在該化合物半導體複合結構中產生有二維電子氣體；以及在化合物半導體複合結構上形成之電極，其中，化合物半導體複合結構包括位於產生二維電子氣體處之部份下方的p型半導體層，以及p型半導體層包括含有比p型半導體層之其它部份還大量的離子化受體的部份，該部份係置於電極下方。
简体摘要： 一种化合物半导体设备包括化合物半导体复合结构，在该化合物半导体复合结构中产生有二维电子气体；以及在化合物半导体复合结构上形成之电极，其中，化合物半导体复合结构包括位于产生二维电子气体处之部份下方的p型半导体层，以及p型半导体层包括含有比p型半导体层之其它部份还大量的离子化受体的部份，该部份系置于电极下方。
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公开(公告)号：TWI608605B
公开(公告)日：2017-12-11
申请号：TW103142394
申请日：2014-12-05
申请人： 富士通股份有限公司 , FUJITSU LIMITED
发明人： 多木俊裕 , OHKI, TOSHIHIRO , 朱雷 , ZHU, LEI , 岡本直哉 , OKAMOTO, NAOYA , 美濃浦優一 , MINOURA, YUICHI , 尾崎史朗 , OZAKI, SHIROU
IPC分类号： H01L29/20 , H01L29/778 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/205 , H01L29/0878 , H01L29/1045 , H01L29/2003 , H01L29/4236 , H01L29/4983 , H01L29/517 , H01L29/66462 , H01L29/66704 , H01L29/7786 , H01L29/7825
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公开(公告)号：TWI496283B
公开(公告)日：2015-08-11
申请号：TW100139118
申请日：2011-10-27
申请人： 富士通股份有限公司 , FUJITSU LIMITED
发明人： 尾崎史朗 , OZAKI, SHIROU , 中村哲一 , NAKAMURA, NORIKAZU , 多木俊裕 , OHKI, TOSHIHIRO , 金村雅仁 , KANAMURA, MASAHITO
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/335 , H01L21/8234
CPC分类号： H01L29/7788 , H01L21/02057 , H01L21/283 , H01L21/306 , H01L21/30621 , H01L29/2003 , H01L29/42316 , H01L29/4236 , H01L29/66462 , H01L29/7787 , H03F1/3247
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公开(公告)号：TWI487102B
公开(公告)日：2015-06-01
申请号：TW100145010
申请日：2011-12-07
申请人： 富士通股份有限公司 , FUJITSU LIMITED
发明人： 多木俊裕 , OHKI, TOSHIHIRO
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/40
CPC分类号： H01L29/7787 , H01L29/2003 , H01L29/402 , H01L29/405 , H01L29/408 , H01L29/42356 , H01L29/42376 , H01L29/517 , H01L29/66462
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公开(公告)号：TWI487036B
公开(公告)日：2015-06-01
申请号：TW100147080
申请日：2011-12-19
申请人： 富士通股份有限公司 , FUJITSU LIMITED
发明人： 美濃浦優一 , MINOURA, YUICHI , 吉川俊英 , KIKKAWA, TOSHIHIDE , 多木俊裕 , OHKI, TOSHIHIRO
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/778
CPC分类号： H01L29/7787 , H01L21/2654 , H01L29/0603 , H01L29/1075 , H01L29/2003 , H01L29/42356 , H01L29/42376 , H01L29/452 , H01L29/66462
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公开(公告)号：TWI476914B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：TW101132714
申请日：2012-09-07
申请人： 富士通股份有限公司 , FUJITSU LIMITED
发明人： 金村雅仁 , KANAMURA, MASAHITO , 宮島豊生 , MIYAJIMA, TOYOO , 多木俊裕 , OHKI, TOSHIHIRO
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/42364 , H01L21/28264 , H01L29/2003 , H01L29/66462 , H01L29/7787 , H01L2224/0603 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48472 , H01L2224/4903 , H03F1/3247
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公开(公告)号：TWI466291B
公开(公告)日：2014-12-21
申请号：TW100140907
申请日：2011-11-09
申请人： 富士通股份有限公司 , FUJITSU LIMITED
发明人： 遠藤浩 , ENDO, HIROSHI , 多木俊裕 , OHKI, TOSHIHIRO , 吉川俊英 , KIKKAWA, TOSHIHIDE
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7787 , H01L29/2003 , H01L29/42356 , H01L29/4236 , H01L29/42364 , H01L29/66462 , H01L29/7839 , H01L2224/0603 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257
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公开(公告)号：TWI535008B
公开(公告)日：2016-05-21
申请号：TW103110689
申请日：2014-03-21
申请人： 富士通股份有限公司 , FUJITSU LIMITED
发明人： 尾崎史朗 , OZAKI, SHIROU , 岡本直哉 , OKAMOTO, NAOYA , 牧山剛三 , MAKIYAMA, KOZO , 多木俊裕 , OHKI, TOSHIHIRO
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/66462 , H01L21/283 , H01L21/764 , H01L21/7682 , H01L21/76825 , H01L21/76826 , H01L21/76879 , H01L23/315 , H01L23/5222 , H01L23/53295 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/408 , H01L29/7786 , H01L29/7787 , H01L29/78 , H01L2924/0002 , H02M5/458 , H03F3/19 , H01L2924/00
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