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公开(公告)号：TW201314893A
公开(公告)日：2013-04-01
申请号：TW101126025
申请日：2012-07-19
Applicant: 富士通股份有限公司 , FUJITSU LIMITED
Inventor： 宮島豐生 , MIYAJIMA, TOYOO , 今西健治 , IMANISHI, KENJI , 山田敦史 , YAMADA, ATSUSHI , 中村哲一 , NAKAMURA, NORIKAZU
IPC: H01L29/778 , H01L29/04
CPC classification number: H01L29/045 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/517 , H01L29/66462 , H01L29/7787
Abstract: 一種化合物半導體多層結構係形成在一Si基材上。該化合物半導體多層結構包括一電極傳輸層，一形成在該電子傳輸層上方之電子供應層，及一形成在該電子供應層上方之蓋層。該蓋層包含一以與該電子傳輸層與該電子供應層相同之方向極化之第一結晶，及一以與該電子傳輸層及該電子供應層之極化方向相反之方向極化之第二結晶。
Abstract in simplified Chinese: 一种化合物半导体多层结构系形成在一Si基材上。该化合物半导体多层结构包括一电极传输层，一形成在该电子传输层上方之电子供应层，及一形成在该电子供应层上方之盖层。该盖层包含一以与该电子传输层与该电子供应层相同之方向极化之第一结晶，及一以与该电子传输层及该电子供应层之极化方向相反之方向极化之第二结晶。
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公开(公告)号：TWI512972B
公开(公告)日：2015-12-11
申请号：TW100142553
申请日：2011-11-21
Applicant: 富士通股份有限公司 , FUJITSU LIMITED
Inventor： 清水早苗 , SHIMIZU, SANAE , 今西健治 , IMANISHI, KENJI , 山田敦史 , YAMADA, ATSUSHI , 宮島豊生 , MIYAJIMA, TOYOO
IPC: H01L29/778 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L29/2003 , H01L29/66462
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公开(公告)号：TWI457982B
公开(公告)日：2014-10-21
申请号：TW101103741
申请日：2012-02-06
Applicant: 富士通股份有限公司 , FUJITSU LIMITED
Inventor： 中村哲一 , NAKAMURA, NORIKAZU , 尾崎史朗 , OZAKI, SHIROU , 武田正行 , TAKEDA, MASAYUKI , 宮島豐生 , MIYAJIMA, TOYOO , 多木俊裕 , OHKI, TOSHIHIRO , 金村雅仁 , KANAMURA, MASAHITO , 今西健治 , IMANISHI, KENJI , 吉川俊英 , KIKKAWA, TOSHIHIDE , 渡部慶二 , WATANABE, KEIJI
IPC: H01L21/18 , H01L21/314 , H01L21/44 , H01L29/778
CPC classification number: H01L29/66462 , H01J37/32055 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01J37/32669 , H01L21/28264 , H01L29/2003 , H01L29/41766 , H01L29/4236 , H01L29/51 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/7786 , H01L29/7787 , H01L2224/0603 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/4903
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公开(公告)号：TWI511285B
公开(公告)日：2015-12-01
申请号：TW102105189
申请日：2013-02-08
Applicant: 富士通股份有限公司 , FUJITSU LIMITED
Inventor： 中村哲一 , NAKAMURA, NORIKAZU , 山田敦史 , YAMADA, ATSUSHI , 石黑哲郎 , ISHIGURO, TETSURO , 宮島豊生 , MIYAJIMA, TOYOO , 今西健治 , IMANISHI, KENJI
IPC: H01L29/778 , H01L21/205
CPC classification number: H01L29/2003 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L24/06 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L29/7786 , H01L2224/04042 , H01L2224/0603 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48472 , H01L2224/4903 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
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公开(公告)号：TW201318165A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：TW101132714
申请日：2012-09-07
Applicant: 富士通股份有限公司 , FUJITSU LIMITED
Inventor： 金村雅仁 , KANAMURA, MASAHITO , 宮島豊生 , MIYAJIMA, TOYOO , 多木俊裕 , OHKI, TOSHIHIRO
IPC: H01L29/778 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/42364 , H01L21/28264 , H01L29/2003 , H01L29/66462 , H01L29/7787 , H01L2224/0603 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48472 , H01L2224/4903 , H03F1/3247
Abstract: 一種半導體裝置，包含：一設置在一基體上的第一半導體層；一設置在該第一半導體層上的第二半導體層；一設置在該第二半導體層上的下絕緣薄膜；一設置在該下絕緣薄膜上的p-型導電性氧化薄膜；一設置在該氧化薄膜上的上絕緣薄膜；及一設置在該上絕緣薄膜上的閘極電極，其中，在該閘極電極下面的該下絕緣薄膜具有一凹陷部份。
Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备，包含：一设置在一基体上的第一半导体层；一设置在该第一半导体层上的第二半导体层；一设置在该第二半导体层上的下绝缘薄膜；一设置在该下绝缘薄膜上的p-型导电性氧化薄膜；一设置在该氧化薄膜上的上绝缘薄膜；及一设置在该上绝缘薄膜上的闸极电极，其中，在该闸极电极下面的该下绝缘薄膜具有一凹陷部份。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TWI579992B
公开(公告)日：2017-04-21
申请号：TW102138054
申请日：2013-10-22
Applicant: 富士通股份有限公司 , FUJITSU LIMITED
Inventor： 清水浩三 , SHIMIZU, KOZO , 作山誠樹 , SAKUYAMA, SEIKI , 宮島豊生 , MIYAJIMA, TOYOO
IPC: H01L23/488 , H01L23/538
CPC classification number: H01L24/13 , B23K35/004 , B23K35/007 , B23K35/0244 , B23K35/24 , B23K35/262 , B23K35/264 , B23K2201/40 , H01L21/76843 , H01L23/49811 , H01L23/49866 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/0401 , H01L2224/05082 , H01L2224/05083 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/05582 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16501 , H01L2224/73204 , H01L2224/81075 , H01L2224/81211 , H01L2224/81815 , H01L2924/0103 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/15311 , H05K3/244 , H05K3/3436 , H05K3/3463 , H05K3/3494 , H05K2201/10734 , H01L2924/00014 , H01L2924/01083 , H01L2924/0105 , H01L2924/01015 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01024 , H01L2924/01032 , H01L2924/00
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公开(公告)号：TWI487109B
公开(公告)日：2015-06-01
申请号：TW100137843
申请日：2011-10-19
Applicant: 富士通股份有限公司 , FUJITSU LIMITED
Inventor： 尾崎史朗 , OZAKI, SHIROU , 金村雅仁 , KANAMURA, MASAHITO , 中村哲一 , NAKAMURA, NORIKAZU , 宮島豊生 , MIYAJIMA, TOYOO , 武田正行 , TAKEDA, MASAYUKI , 渡部慶二 , WATANABE, KEIJI , 吉川俊英 , KIKKAWA, TOSHIHIDE , 今西健治 , IMANISHI, KENJI , 多木俊裕 , OHKI, TOSHIHIRO , 今田忠紘 , IMADA, TADAHIRO
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/517 , H01L21/0228 , H01L23/291 , H01L29/2003 , H01L29/41766 , H01L29/4236 , H01L29/42376 , H01L29/518 , H01L29/66462 , H01L29/7786 , H01L29/7787 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
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公开(公告)号：TWI464782B
公开(公告)日：2014-12-11
申请号：TW100141265
申请日：2011-11-11
Applicant: 富士通股份有限公司 , FUJITSU LIMITED
Inventor： 宮島豊生 , MIYAJIMA, TOYOO , 吉川俊英 , KIKKAWA, TOSHIHIDE , 今西健治 , IMANISHI, KENJI , 多木俊裕 , OHKI, TOSHIHIRO , 金村雅仁 , KANAMURA, MASAHITO
IPC: H01L21/18 , H01L27/28 , H01L29/20 , H01L29/772
CPC classification number: H01L29/66462 , H01L29/2003 , H01L29/4236 , H01L29/7787
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公开(公告)号：TW201413952A
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW102128082
申请日：2013-08-06
Applicant: 富士通股份有限公司 , FUJITSU LIMITED
Inventor： 今西健治 , IMANISHI, KENJI , 山田敦史 , YAMADA, ATSUSHI , 石黑哲郎 , ISHIGURO, TETSURO , 宮島豊生 , MIYAJIMA, TOYOO
IPC: H01L29/778 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/778 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L29/2003 , H01L29/207 , H01L29/66431 , H01L29/66462 , H01L29/7787
Abstract: 一種AlGaN/GaN HEMT包括：一電子轉移層；一形成於該電子轉移層之上的電子供應層；及一形成於該電子供應層之上的閘極電極，其中，一p-型半導體區域是僅形成在該電子轉移層之一個被包含在一個位於該閘極電極下面之區域中的地點。
Abstract in simplified Chinese: 一种AlGaN/GaN HEMT包括：一电子转移层；一形成于该电子转移层之上的电子供应层；及一形成于该电子供应层之上的闸极电极，其中，一p-型半导体区域是仅形成在该电子转移层之一个被包含在一个位于该闸极电极下面之区域中的地点。
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公开(公告)号：TWI476914B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：TW101132714
申请日：2012-09-07
Applicant: 富士通股份有限公司 , FUJITSU LIMITED
Inventor： 金村雅仁 , KANAMURA, MASAHITO , 宮島豊生 , MIYAJIMA, TOYOO , 多木俊裕 , OHKI, TOSHIHIRO
IPC: H01L29/778 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/42364 , H01L21/28264 , H01L29/2003 , H01L29/66462 , H01L29/7787 , H01L2224/0603 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48472 , H01L2224/4903 , H03F1/3247
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