-
1.半導體裝置用封裝及其製造方法 PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
Simplified title: 半导体设备用封装及其制造方法 PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME公开(公告)号:TW200929478A
公开(公告)日:2009-07-01
申请号:TW097148432
申请日:2008-12-12
Inventor: 小泉直幸 NAOYUKI KOIZUMI , 大井淳 KIYOSHI OI , 立岩昭彥 AKIHIKO TATEIWA
IPC: H01L
CPC classification number: H01L23/142 , H01L21/4846 , H01L23/49822 , H01L2924/0002 , H01L2924/15311 , H05K3/06 , H05K3/4608 , H05K3/4641 , H05K2201/0355 , H05K2203/0369 , H05K2203/0733 , H05K2203/1476 , Y10T29/49117 , Y10T29/49126 , Y10T29/49128 , Y10T29/49147 , Y10T29/49155 , Y10T29/49169 , H01L2924/00
Abstract: 在一種半導體裝置封裝中,一核心基板具有兩個金屬板,每一金屬板包括在其表面上所形成之一第一通孔、一第二通孔、一突出物及一絕緣層。該兩個金屬板係以該等金屬板彼此之突出物進入伙伴側金屬板之第二通孔,以及該等金屬板之第一通孔形成一穿過該核心基板之通孔的方式來堆疊。該等金屬板之突出物各自的頂端係暴露至伙伴側金屬板的表面,而形成一第一端部,以及一第二端部係從該絕緣層暴露出並在該金屬板之伙伴側金屬板的第一端部暴露之側的該表面上形成。
Abstract in simplified Chinese: 在一种半导体设备封装中,一内核基板具有两个金属板,每一金属板包括在其表面上所形成之一第一通孔、一第二通孔、一突出物及一绝缘层。该两个金属板系以该等金属板彼此之突出物进入伙伴侧金属板之第二通孔,以及该等金属板之第一通孔形成一穿过该内核基板之通孔的方式来堆栈。该等金属板之突出物各自的顶端系暴露至伙伴侧金属板的表面,而形成一第一端部,以及一第二端部系从该绝缘层暴露出并在该金属板之伙伴侧金属板的第一端部暴露之侧的该表面上形成。
-
2.半導體裝置,其製造方法及半導體裝置產品 SEMICONDUCTOR DEVICE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCT 审中-公开
Simplified title: 半导体设备,其制造方法及半导体设备产品 SEMICONDUCTOR DEVICE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCT公开(公告)号:TW200849551A
公开(公告)日:2008-12-16
申请号:TW097120691
申请日:2008-06-04
Inventor: 大井淳 KIYOSHI OI , 日詰徹 TORU HIZUME , 千野晃明 TERUAKI CHINO
IPC: H01L
CPC classification number: H01L25/105 , H01L21/563 , H01L21/565 , H01L21/6835 , H01L23/3107 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/18 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L2221/68345 , H01L2224/1134 , H01L2224/1308 , H01L2224/13144 , H01L2224/16 , H01L2224/16245 , H01L2224/18 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/81005 , H01L2224/81801 , H01L2225/06562 , H01L2225/1023 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2924/00011 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/12041 , H01L2924/181 , H01L2924/18165 , H01L2924/19107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/01049
Abstract: 在一種半導體裝置中,將一半導體元件建構於一以平板狀所成型之樹脂成型部內。使一佈線電性連接至該半導體元件及配置在該樹脂成型部之一表面上,以便以該樹脂成型部密封該佈線之內表面側及暴露該佈線之外表面以與該樹脂成型部之一表面齊平。使一電極配置在該半導體元件之一平面區域的外側之該佈線上及在厚度方向上延伸穿過該樹脂成型部。該電極之頂部從該樹脂成型部之另一表面突出。
Abstract in simplified Chinese: 在一种半导体设备中,将一半导体组件建构于一以平板状所成型之树脂成型部内。使一布线电性连接至该半导体组件及配置在该树脂成型部之一表面上,以便以该树脂成型部密封该布线之内表面侧及暴露该布线之外表面以与该树脂成型部之一表面齐平。使一电极配置在该半导体组件之一平面区域的外侧之该布在线及在厚度方向上延伸穿过该树脂成型部。该电极之顶部从该树脂成型部之另一表面突出。
-
3.佈線基板之製造方法及半導體裝置之製造方法 MANUFACTURING METHOD OF WIRING BOARD AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
Simplified title: 布线基板之制造方法及半导体设备之制造方法 MANUFACTURING METHOD OF WIRING BOARD AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE公开(公告)号:TW200731436A
公开(公告)日:2007-08-16
申请号:TW095141468
申请日:2006-11-09
Inventor: 大井淳 KIYOSHI OI
IPC: H01L
CPC classification number: H01L21/4857 , H01L21/4814 , H01L21/4846 , H01L24/16 , H01L2224/13099 , H01L2224/16 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H05K3/243 , H05K3/28 , H05K3/4007 , H05K3/4644 , H05K2201/0367 , H05K2203/0361 , H05K2203/054
Abstract: 本發明之課題是提供佈線基板,具有良好之組裝之可靠度,且可以以微細之連接間距組裝半導體晶片,並提供半導體裝置,具有良好之組裝之可靠度,且可以以微細之連接間距將半導體晶片組裝在佈線基板。本發明之解決手段是提供一種佈線基板之製造方法,用來組裝半導體晶片,具有:連接部,連接到半導體晶片;和圖案佈線,經由上述連接部連接到半導體晶片,其特徵在於具有:供電層形成步驟,利用電解電鍍法在上述圖案佈線上形成供電層,藉以形成上述連接部;遮罩步驟,在上述供電層上形成遮罩圖案;蝕刻步驟,對從上述遮罩圖案露出之上述供電層進行蝕刻;和電解電鍍步驟,利用電解電鍍法,在從上述遮罩圖案露出之上述圖案佈線上形成上述連接部。
Abstract in simplified Chinese: 本发明之课题是提供布线基板,具有良好之组装之可靠度,且可以以微细之连接间距组装半导体芯片,并提供半导体设备,具有良好之组装之可靠度,且可以以微细之连接间距将半导体芯片组装在布线基板。本发明之解决手段是提供一种布线基板之制造方法,用来组装半导体芯片,具有:连接部,连接到半导体芯片;和图案布线,经由上述连接部连接到半导体芯片,其特征在于具有:供电层形成步骤,利用电解电镀法在上述图案布在线形成供电层,借以形成上述连接部;遮罩步骤,在上述供电层上形成遮罩图案;蚀刻步骤,对从上述遮罩图案露出之上述供电层进行蚀刻;和电解电镀步骤,利用电解电镀法,在从上述遮罩图案露出之上述图案布在线形成上述连接部。
-
4.半導體裝置之製造方法及半導體裝置 MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR APPARATUS AND SEMICONDUCTOR APPARATUS 审中-公开
Simplified title: 半导体设备之制造方法及半导体设备 MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR APPARATUS AND SEMICONDUCTOR APPARATUS公开(公告)号:TW200921821A
公开(公告)日:2009-05-16
申请号:TW097143009
申请日:2008-11-07
Inventor: 大井淳 KIYOSHI OI , 春原昌宏 MASAHIRO SUNOHARA , 藤井朋治 TOMOHARU FUJII
IPC: H01L
CPC classification number: H01L23/3128 , H01L21/563 , H01L21/6835 , H01L23/4334 , H01L23/49816 , H01L23/552 , H01L23/562 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L25/0655 , H01L2221/68345 , H01L2224/16 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/81001 , H01L2224/81801 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/10253 , H01L2924/15311 , H01L2924/18161 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/3025 , H01L2924/00
Abstract: 在一臨時基板31上形成一所需數目之佈線層32,其中該臨時基板31之熱膨脹係數與一半導體晶片38之熱膨脹係數差了2�10^-6/℃或更小,以及使最上層之一部分佈線層暴露至最上層之絕緣層33的一開口部來做為一焊墊34,因而製造一佈線基板36,以及使該半導體晶片38之一焊接構件與該佈線基板之該焊墊34接觸及實施迴焊,因而使該半導體晶片38附著至該佈線基板36。之後,密封該附著半導體晶片38之外周部,同時暴露出該半導體晶片之上表面及移除該臨時基板31,然後,在該佈線基板36上形成一外部連接端。
Abstract in simplified Chinese: 在一临时基板31上形成一所需数目之布线层32,其中该临时基板31之热膨胀系数与一半导体芯片38之热膨胀系数差了2�10^-6/℃或更小,以及使最上层之一部分布线层暴露至最上层之绝缘层33的一开口部来做为一焊垫34,因而制造一布线基板36,以及使该半导体芯片38之一焊接构件与该布线基板之该焊垫34接触及实施回焊,因而使该半导体芯片38附着至该布线基板36。之后,密封该附着半导体芯片38之外周部,同时暴露出该半导体芯片之上表面及移除该临时基板31,然后,在该布线基板36上形成一外部连接端。
-
公开(公告)号:TW200822312A
公开(公告)日:2008-05-16
申请号:TW096136848
申请日:2007-10-02
Inventor: 大井淳 KIYOSHI OI
IPC: H01L
CPC classification number: H01L21/563 , H01L21/6835 , H01L23/3114 , H01L23/3164 , H01L24/16 , H01L24/90 , H01L2221/68345 , H01L2224/0554 , H01L2224/05567 , H01L2224/05573 , H01L2224/1134 , H01L2224/13099 , H01L2224/1601 , H01L2224/16225 , H01L2224/16237 , H01L2224/32225 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/83136 , H01L2224/83192 , H01L2224/90 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/00 , H01L2224/29099 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
Abstract: 一種半導體裝置具有一藉由覆晶接合而接合至外部連接墊或外部連接端之半導體晶片及一底部填充樹脂,以及設置一種能減少因該底部填充樹脂所造成之翹曲的半導體裝置而不涉及該半導體裝置之尺寸的增加。相對於一半導體晶片之形成有複數個電極墊的表面,配置一低彈性樹脂構件,以及在該半導體晶片與該低彈性樹脂構件間及在電極墊與外部連接墊間,填入一底部填充樹脂。
Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备具有一借由覆晶接合而接合至外部连接垫或外部连接端之半导体芯片及一底部填充树脂,以及设置一种能减少因该底部填充树脂所造成之翘曲的半导体设备而不涉及该半导体设备之尺寸的增加。相对于一半导体芯片之形成有复数个电极垫的表面,配置一低弹性树脂构件,以及在该半导体芯片与该低弹性树脂构件间及在电极垫与外部连接垫间,填入一底部填充树脂。
-
6.積層型封裝體及其製造方法 STACKED PACKAGE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE PACKAGE 审中-公开
Simplified title: 积层型封装体及其制造方法 STACKED PACKAGE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE PACKAGE公开(公告)号:TW200828565A
公开(公告)日:2008-07-01
申请号:TW096147601
申请日:2007-12-13
Inventor: 大井淳 KIYOSHI OI , 千野晃明 TERUAKI CHINO
IPC: H01L
CPC classification number: H01L25/105 , H01L24/73 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/83102 , H01L2224/92125 , H01L2225/0651 , H01L2225/06575 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H05K3/3436 , H05K3/3447 , H05K2201/10242 , H05K2201/10303 , H05K2201/10318 , H05K2201/10719 , H05K2201/10946 , Y02P70/613 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/0401
Abstract: 在一種積層型封裝體中,堆疊具有安裝於基板上之半導體元件的複數個封裝體,同時藉由連接部之使用使該複數個封裝體電性連接在一起,其中該等連接部係由柱狀構件及焊點部所構成及在該下封裝體上藉由柱狀構件來支撐該上封裝體。
Abstract in simplified Chinese: 在一种积层型封装体中,堆栈具有安装于基板上之半导体组件的复数个封装体,同时借由连接部之使用使该复数个封装体电性连接在一起,其中该等连接部系由柱状构件及焊点部所构成及在该下封装体上借由柱状构件来支撑该上封装体。
-
7.半導體裝置之製造方法 METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
Simplified title: 半导体设备之制造方法 METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE公开(公告)号:TW200818343A
公开(公告)日:2008-04-16
申请号:TW096133676
申请日:2007-09-10
Inventor: 藤井朋治 TOMOHARU FUJII , 大井淳 KIYOSHI OI
IPC: H01L
CPC classification number: H05K3/4652 , H01L21/4853 , H01L23/552 , H01L24/48 , H01L25/16 , H01L2223/6677 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/00014 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/1461 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H05K1/185 , H05K3/06 , H05K3/4046 , H05K3/4614 , H05K2201/10318 , H05K2203/0369 , H05K2203/0733 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 一種半導體裝置之製造方法包括:形成一直立於一導電層上之介層插塞且嵌入該介層插塞於一絕緣層中以形成一佈線結構的步驟;以及接合該佈線結構至一包括在其上安裝有電子組件之佈線基板的步驟。
Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备之制造方法包括:形成一直立于一导电层上之介层插塞且嵌入该介层插塞于一绝缘层中以形成一布线结构的步骤;以及接合该布线结构至一包括在其上安装有电子组件之布线基板的步骤。
-
-
-
-
-
-