公开(公告)号：TWI563618B

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：TW101111894

申请日：2012-04-03

申请人： 羅姆電子股份有限公司 ,  ROHM CO., LTD.

发明人： 木村明寬 ,  KIMURA, AKIHIRO ,  須永武史 ,  SUNAGA, TAKESHI

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/522 ,  H01L23/538 ,  H01L21/58

CPC分类号： H01L24/81 ,  H01L21/52 ,  H01L21/56 ,  H01L21/568 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/45 ,  H01L24/49 ,  H01L24/71 ,  H01L24/90 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/11005 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/16104 ,  H01L2224/16221 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16501 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

公开(公告)号：TWI541916B

公开(公告)日：2016-07-11

申请号：TW100102096

申请日：2011-01-20

申请人： 史達晶片有限公司 ,  STATS CHIPPAC, LTD.

发明人： 潘斯 拉簡德拉D ,  PENDSE, RAJENDRA D.

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/488

CPC分类号： H01L24/81 ,  H01L21/563 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/16 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/90 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13019 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1601 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/27013 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81141 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81345 ,  H01L2224/81385 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/838 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H05K3/325 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012

公开(公告)号：TWI433282B

公开(公告)日：2014-04-01

申请号：TW097123667

申请日：2008-06-25

申请人： 爾必達存儲器股份有限公司 ,  ELPIDA MEMORY, INC.

发明人： 渡部光久 ,  WATANABE, MITSUHISA ,  安生一郎 ,  ANJOH, ICHIRO

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L21/561 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/544 ,  H01L24/06 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/27 ,  H01L24/90 ,  H01L24/94 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/06136 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/1601 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/75 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83194 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2224/90 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201338064A

公开(公告)日：2013-09-16

申请号：TW101134962

申请日：2007-06-22

申请人： 日立化成股份有限公司 ,  HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD.

发明人： 永井朗 ,  NAGAI, AKIRA ,  安田雅昭 ,  YASUDA, MASAAKI ,  畠山惠一 ,  HATAKEYAMA, KEIICHI ,  榎本哲也 ,  ENOMOTO, TETSUYA

IPC分类号： H01L21/60 ,  C09J7/02

CPC分类号： H01L21/6835 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/78 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/90 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54473 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81121 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81205 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/83885 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

摘要： 提供：可以有效率地獲得附著有黏著劑之半導體晶片單片，且可以將半導體晶片與配線基板予以良好地連接之半導體裝置之製造方法及黏著薄膜。以半導體晶圓6的電路面6a朝向切割捲帶9側之方式，準備切割捲帶9、黏著劑層3及半導體晶圓6依此順序被層積之層積體60。藉由從與半導體晶圓6的背面6b來辨識電路面6a的電路圖案P，來辨識切斷位置。將至少半導體晶圓6及黏著劑層3於層積體60的厚度方向予以切斷。使切割捲帶9硬化，且使切割捲帶9與黏著劑層3剝離。使半導體晶片26的突出電極4與配線基板40的配線12對位。以配線12與突出電極4電性連接之方式，藉由黏著劑層23來連接配線基板40與半導體晶片26。

简体摘要： 提供：可以有效率地获得附着有黏着剂之半导体芯片单片，且可以将半导体芯片与配线基板予以良好地连接之半导体设备之制造方法及黏着薄膜。以半导体晶圆6的电路面6a朝向切割卷带9侧之方式，准备切割卷带9、黏着剂层3及半导体晶圆6依此顺序被层积之层积体60。借由从与半导体晶圆6的背面6b来辨识电路面6a的电路图案P，来辨识切断位置。将至少半导体晶圆6及黏着剂层3于层积体60的厚度方向予以切断。使切割卷带9硬化，且使切割卷带9与黏着剂层3剥离。使半导体芯片26的突出电极4与配线基板40的配线12对位。以配线12与突出电极4电性连接之方式，借由黏着剂层23来连接配线基板40与半导体芯片26。

公开(公告)号：TWI356485B

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：TW097104601

申请日：2008-02-05

申请人： 財團法人工業技術研究院

发明人： 施應慶 ,  張恕銘

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L24/12 ,  H01L24/16 ,  H01L24/31 ,  H01L24/90 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/1131 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1148 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/2518 ,  H01L2224/83194 ,  H01L2224/90 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099

摘要： 一種晶片堆疊結構的製作方法。首先，形成第一導電層於晶圓的第一表面上。然後，形成第一圖案化高分子層於第一導電層上，且形成第二圖案化高分子層於晶圓的第二表面上。接著，電鍍第二導電層於第一導電層上，並對第二導電層進行加熱以形成多個銲料凸塊。之後，將多個晶圓相堆疊於基底結構上並將位於其中一第一晶圓上的第一圖案化高分子層與位於其中一第二晶圓上的第二圖案化高分子層對應連接。本發明適用於以微細間距的銲料凸塊接合的晶片堆疊結構且本發明的製程步驟較為簡化。

简体摘要： 一种芯片堆栈结构的制作方法。首先，形成第一导电层于晶圆的第一表面上。然后，形成第一图案化高分子层于第一导电层上，且形成第二图案化高分子层于晶圆的第二表面上。接着，电镀第二导电层于第一导电层上，并对第二导电层进行加热以形成多个焊料凸块。之后，将多个晶圆相堆栈于基底结构上并将位于其中一第一晶圆上的第一图案化高分子层与位于其中一第二晶圆上的第二图案化高分子层对应连接。本发明适用于以微细间距的焊料凸块接合的芯片堆栈结构且本发明的制程步骤较为简化。

公开(公告)号：TW201130059A

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：TW099104975

申请日：2010-02-22

申请人： 南茂科技股份有限公司

发明人： 沈更新

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L23/49894 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/90 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13118 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83194 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00

摘要： 本發明提供一種半導體結構之製造方法，以複合凸塊取代習知的金凸塊，減少金之使用，降低製造成本。並於製程中以形成於一金屬板上之封膠材作為封裝材料，可藉此提升半導體結構之熱轉移效率，增加晶片運轉之穩定度。

简体摘要： 本发明提供一种半导体结构之制造方法，以复合凸块取代习知的金凸块，减少金之使用，降低制造成本。并于制程中以形成于一金属板上之封胶材作为封装材料，可借此提升半导体结构之热转移效率，增加芯片运转之稳定度。

公开(公告)号：TW201112500A

公开(公告)日：2011-04-01

申请号：TW099121640

申请日：2010-07-01

申请人： 新光電氣工業股份有限公司

发明人： 井原義博

IPC分类号： H01R ,  H05K

CPC分类号： H01L24/90 ,  G01R1/07307 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/72 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H05K1/141 ,  H05K3/325 ,  H05K3/4015 ,  H05K2201/0311 ,  H05K2201/10378 ,  Y10T29/49204 ,  Y10T29/49222

摘要： 本發明提供一種具有連接端子之基板,包括一基板本體、設置於該基板本體之一第一表面上之一第一導體、以及一具有彈簧特性之導電連接端子。此連接端子包括固接於第一導體之一第一末端部、用以與一欲置於該基板本體之第一表面反向位置之第一連接物體進行連接之第二末端部、以及設置於該第一末端部並以朝向第一導體方向凸出之一凸出部。

简体摘要： 本发明提供一种具有连接端子之基板,包括一基板本体、设置于该基板本体之一第一表面上之一第一导体、以及一具有弹簧特性之导电连接端子。此连接端子包括固接于第一导体之一第一末端部、用以与一欲置于该基板本体之第一表面反向位置之第一连接物体进行连接之第二末端部、以及设置于该第一末端部并以朝向第一导体方向凸出之一凸出部。

公开(公告)号：TWI336515B

公开(公告)日：2011-01-21

申请号：TW096103201

申请日：2007-01-29

申请人： 富士通半導體股份有限公司

发明人： 西村隆雄 ,  合葉和之

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L21/563 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/75 ,  H01L24/83 ,  H01L24/90 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32057 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/75743 ,  H01L2224/83096 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83194 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H05K3/28 ,  H05K3/305 ,  H05K2201/09772 ,  H05K2201/09781 ,  H05K2201/09909 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2201/10977 ,  Y02P70/613 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/3512

摘要： 一種用於改進半導體裝置之可靠度與生產率的電路基板，及該半導體裝置。在要覆晶式安裝有半導體元件的電路基板中，至少一個島狀導電層是與一個佈線層一起選擇地設置在一個要安裝有該半導體元件的元件安裝區域，而一個絕緣樹脂層是設置在該島狀導電層之上。該半導體元件是由黏著材料固定到該電路基板的元件安裝區域俾可完成一個半導體裝置。藉著這樣，在半導體裝置內部之佈線層的分層現象是被抑制，而且電極的損壞是被抑制。該電路基板具有高可靠度而且具有該電路基板的半導體裝置是被實現。

简体摘要： 一种用于改进半导体设备之可靠度与生产率的电路基板，及该半导体设备。在要覆晶式安装有半导体组件的电路基板中，至少一个岛状导电层是与一个布线层一起选择地设置在一个要安装有该半导体组件的组件安装区域，而一个绝缘树脂层是设置在该岛状导电层之上。该半导体组件是由黏着材料固定到该电路基板的组件安装区域俾可完成一个半导体设备。借着这样，在半导体设备内部之布线层的分层现象是被抑制，而且电极的损坏是被抑制。该电路基板具有高可靠度而且具有该电路基板的半导体设备是被实现。

公开(公告)号：TW201031730A

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：TW098144704

申请日：2009-12-24

申请人： 住友電木股份有限公司

发明人： 藤井智繪 ,  前島研三 ,  桂山悟

IPC分类号： C09J ,  H05K ,  H01L

CPC分类号： C09J171/00 ,  C08G2650/56 ,  C08L33/00 ,  C08L63/00 ,  C08L2666/02 ,  C08L2666/22 ,  C09J133/08 ,  C09J161/06 ,  C09J2203/326 ,  H01L21/563 ,  H01L24/81 ,  H01L24/90 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81097 ,  H01L2224/81201 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2224/90 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01059 ,  H05K3/305 ,  H05K3/386 ,  Y02P70/613 ,  H01L2224/0401

摘要： 本發明的黏著膜,係含有:重量平均分子量未滿1,000的熱硬化性樹脂;成膜性樹脂;具有重量平均分子量較小於上述成膜性樹脂,且具有重量平均分子量較大於上述熱硬化性樹脂的寡聚物化合物;以及助焊劑活性化合物。

简体摘要： 本发明的黏着膜,系含有:重量平均分子量未满1,000的热硬化性树脂;成膜性树脂;具有重量平均分子量较小于上述成膜性树脂,且具有重量平均分子量较大于上述热硬化性树脂的寡聚物化合物;以及助焊剂活性化合物。

公开(公告)号：TW201001818A

公开(公告)日：2010-01-01

申请号：TW098102260

申请日：2009-01-21

申请人： 藤倉股份有限公司

发明人： 二階堂伸一 ,  山上勝哉 ,  大內康弘

IPC分类号： H01R ,  H05K

CPC分类号： H05K3/326 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/16 ,  H01L24/90 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/30107 ,  H01R12/714 ,  H05K1/114 ,  H05K2201/0133 ,  H05K2201/0367 ,  H05K2201/10378 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

摘要： 本發明係有關於一種雙面連接型連接器，該雙面連接型連接器包含有：絕緣構件，係具有絕緣基材及一體形成於該絕緣基材兩面之彈性體，且沿著該等絕緣基材及彈性體之厚度方向形成有貫通孔者；導電性構件，係形成於前述貫通孔內面且兩端部露出於前述兩面者；及連接端子部，係設於該導電性構件之一端者。於前述絕緣構件兩面之至少其中一面上且接近前述貫通孔一端的位置，形成有前述彈性體之一部分自前述其中一面突出的突起部。前述連接端子部具有：環狀部，係在前述其中一面上且形成於前述貫通孔之前述一端部周圍者；傾斜部，係連接於該環狀部且朝前述突起部之頂部斜向地延伸者；及大致半球狀之接點部，係連接於該傾斜部且覆蓋前述頂部者。

简体摘要： 本发明系有关于一种双面连接型连接器，该双面连接型连接器包含有：绝缘构件，系具有绝缘基材及一体形成于该绝缘基材两面之弹性体，且沿着该等绝缘基材及弹性体之厚度方向形成有贯通孔者；导电性构件，系形成于前述贯通孔内面且两端部露出于前述两面者；及连接端子部，系设于该导电性构件之一端者。于前述绝缘构件两面之至少其中一面上且接近前述贯通孔一端的位置，形成有前述弹性体之一部分自前述其中一面突出的突起部。前述连接端子部具有：环状部，系在前述其中一面上且形成于前述贯通孔之前述一端部周围者；倾斜部，系连接于该环状部且朝前述突起部之顶部斜向地延伸者；及大致半球状之接点部，系连接于该倾斜部且覆盖前述顶部者。