核材料和半導體封裝以及形成凸塊電極的方法
    2.
    发明专利
    核材料和半導體封裝以及形成凸塊電極的方法 审中-公开
    核材料和半导体封装以及形成凸块电极的方法

    公开(公告)号:TW201823482A

    公开(公告)日:2018-07-01

    申请号:TW106138292

    申请日:2017-11-06

    Abstract: 本發明的核材料係在核12的表面上,將由Sn與Bi所構成(Sn-Bi)系焊料合金施行鍍敷被膜的核材料,其中,鍍焊層16中的Bi係在鍍焊層中依既定範圍濃度比分佈的核材料,在鍍焊層中依Bi濃度比91.7~106.7%既定範圍內分佈的核材料。因為鍍焊層中的Bi呈均質,因而包括鍍焊層中的內周側、外周側在內橫跨全區域的Bi濃度比均在既定範圍內。所以,不會發生內周側較外周側更早熔融,導致內周側與外周側出現體積膨脹差,造成核材料發生爆裂飛散等狀況。又,因為鍍焊層全體幾乎均勻熔融,因而不會有因熔融時序落差而發生的核材料位置偏移,故不會有因位置偏移等所衍生的電極間短路等可能性。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明的核材料系在核12的表面上,将由Sn与Bi所构成(Sn-Bi)系焊料合金施行镀敷被膜的核材料,其中,镀焊层16中的Bi系在镀焊层中依既定范围浓度比分布的核材料,在镀焊层中依Bi浓度比91.7~106.7%既定范围内分布的核材料。因为镀焊层中的Bi呈均质,因而包括镀焊层中的内周侧、外周侧在内横跨全区域的Bi浓度比均在既定范围内。所以,不会发生内周侧较外周侧更早熔融,导致内周侧与外周侧出现体积膨胀差,造成核材料发生爆裂飞散等状况。又,因为镀焊层全体几乎均匀熔融,因而不会有因熔融时序落差而发生的核材料位置偏移,故不会有因位置偏移等所衍生的电极间短路等可能性。

    金屬體及金屬體的製造方法
    3.
    发明专利
    金屬體及金屬體的製造方法 审中-公开
    金属体及金属体的制造方法

    公开(公告)号:TW201814086A

    公开(公告)日:2018-04-16

    申请号:TW106130786

    申请日:2017-09-08

    CPC classification number: C25D5/12 C25D5/20 C25D7/00 H01R13/03 H01R43/16

    Abstract: 提供抑制金屬鍍覆層的晶鬚(whisker)之成長的金屬體,及抑制晶鬚之成長的金屬體的製造方法。金屬體,其特徵在於:包括基材和披覆基材的金屬鍍覆層,金屬鍍覆層由含有95質量%以上的Sn之Sn系合金或Sn單體所構成,金屬鍍覆層的表面的平均結晶粒徑為1.2μm以上、1.8μm以下。此金屬體的製造方法,其特徵在於:對由含有95質量%以上的Sn之Sn系合金或Sn單體所構成的中性浴的金屬鍍覆液,照射超過0kHz、未滿160kHz的頻率之超音波的同時,以金屬鍍覆層披覆基材。

    Abstract in simplified Chinese: 提供抑制金属镀覆层的晶须(whisker)之成长的金属体,及抑制晶须之成长的金属体的制造方法。金属体,其特征在于:包括基材和披覆基材的金属镀覆层,金属镀覆层由含有95质量%以上的Sn之Sn系合金或Sn单体所构成,金属镀覆层的表面的平均结晶粒径为1.2μm以上、1.8μm以下。此金属体的制造方法,其特征在于:对由含有95质量%以上的Sn之Sn系合金或Sn单体所构成的中性浴的金属镀覆液,照射超过0kHz、未满160kHz的频率之超音波的同时,以金属镀覆层披覆基材。

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