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公开(公告)号:TWI648416B
公开(公告)日:2019-01-21
申请号:TW106138292
申请日:2017-11-06
Applicant: 日商千住金屬工業股份有限公司 , SENJU METAL INDUSTRY CO., LTD.
Inventor: 西野友朗 , NISHINO, TOMOAKI , 近藤茂喜 , KONDO, SHIGEKI , 服部貴洋 , HATTORI, TAKAHIRO , 川浩由 , KAWASAKI, HIROYOSHI , 六本木貴弘 , ROPPONGI, TAKAHIRO , 相馬大輔 , SOMA, DAISUKE , 佐藤勇 , SATO, ISAMU
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公开(公告)号:TW201823482A
公开(公告)日:2018-07-01
申请号:TW106138292
申请日:2017-11-06
Applicant: 日商千住金屬工業股份有限公司 , SENJU METAL INDUSTRY CO., LTD.
Inventor: 西野友朗 , NISHINO, TOMOAKI , 近藤茂喜 , KONDO, SHIGEKI , 服部貴洋 , HATTORI, TAKAHIRO , 川浩由 , KAWASAKI, HIROYOSHI , 六本木貴弘 , ROPPONGI, TAKAHIRO , 相馬大輔 , SOMA, DAISUKE , 佐藤勇 , SATO, ISAMU
Abstract: 本發明的核材料係在核12的表面上,將由Sn與Bi所構成(Sn-Bi)系焊料合金施行鍍敷被膜的核材料,其中,鍍焊層16中的Bi係在鍍焊層中依既定範圍濃度比分佈的核材料,在鍍焊層中依Bi濃度比91.7~106.7%既定範圍內分佈的核材料。因為鍍焊層中的Bi呈均質,因而包括鍍焊層中的內周側、外周側在內橫跨全區域的Bi濃度比均在既定範圍內。所以,不會發生內周側較外周側更早熔融,導致內周側與外周側出現體積膨脹差,造成核材料發生爆裂飛散等狀況。又,因為鍍焊層全體幾乎均勻熔融,因而不會有因熔融時序落差而發生的核材料位置偏移,故不會有因位置偏移等所衍生的電極間短路等可能性。
Abstract in simplified Chinese: 本发明的核材料系在核12的表面上,将由Sn与Bi所构成(Sn-Bi)系焊料合金施行镀敷被膜的核材料,其中,镀焊层16中的Bi系在镀焊层中依既定范围浓度比分布的核材料,在镀焊层中依Bi浓度比91.7~106.7%既定范围内分布的核材料。因为镀焊层中的Bi呈均质,因而包括镀焊层中的内周侧、外周侧在内横跨全区域的Bi浓度比均在既定范围内。所以,不会发生内周侧较外周侧更早熔融,导致内周侧与外周侧出现体积膨胀差,造成核材料发生爆裂飞散等状况。又,因为镀焊层全体几乎均匀熔融,因而不会有因熔融时序落差而发生的核材料位置偏移,故不会有因位置偏移等所衍生的电极间短路等可能性。
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公开(公告)号:TW201814086A
公开(公告)日:2018-04-16
申请号:TW106130786
申请日:2017-09-08
Applicant: 日商千住金屬工業股份有限公司 , SENJU METAL INDUSTRY CO., LTD.
Inventor: 池田篤史 , IKEDA, ATSUSHI , 岩本博之 , IWAMOTO, HIROYUKI , 川浩由 , KAWASAKI, HIROYOSHI , 近藤茂喜 , KONDO, SHIGEKI , 中村勝司 , NAKAMURA, KATSUJI
Abstract: 提供抑制金屬鍍覆層的晶鬚(whisker)之成長的金屬體,及抑制晶鬚之成長的金屬體的製造方法。金屬體,其特徵在於:包括基材和披覆基材的金屬鍍覆層,金屬鍍覆層由含有95質量%以上的Sn之Sn系合金或Sn單體所構成,金屬鍍覆層的表面的平均結晶粒徑為1.2μm以上、1.8μm以下。此金屬體的製造方法,其特徵在於:對由含有95質量%以上的Sn之Sn系合金或Sn單體所構成的中性浴的金屬鍍覆液,照射超過0kHz、未滿160kHz的頻率之超音波的同時,以金屬鍍覆層披覆基材。
Abstract in simplified Chinese: 提供抑制金属镀覆层的晶须(whisker)之成长的金属体,及抑制晶须之成长的金属体的制造方法。金属体,其特征在于:包括基材和披覆基材的金属镀覆层,金属镀覆层由含有95质量%以上的Sn之Sn系合金或Sn单体所构成,金属镀覆层的表面的平均结晶粒径为1.2μm以上、1.8μm以下。此金属体的制造方法,其特征在于:对由含有95质量%以上的Sn之Sn系合金或Sn单体所构成的中性浴的金属镀覆液,照射超过0kHz、未满160kHz的频率之超音波的同时,以金属镀覆层披覆基材。
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公开(公告)号:TWI544095B
公开(公告)日:2016-08-01
申请号:TW104102049
申请日:2015-01-22
Applicant: 千住金屬工業股份有限公司 , SENJU METAL INDUSTRY CO., LTD.
Inventor: 川浩由 , KAWASAKI, HIROYOSHI , 近藤茂喜 , KONDO, SHIGEKI , 池田篤史 , IKEDA, ATSUSHI , 六本木貴弘 , ROPPONGI, TAKAHIRO , 相馬大輔 , SOMA, DAISUKE , 佐藤勇 , SATO, ISAMU
CPC classification number: B23K35/025 , B23K35/0244 , B23K35/262 , B23K35/302 , C22C9/00 , C22C12/00 , C22C13/00 , C22C13/02 , C22F1/08 , H01B1/02 , H01L24/13 , H01L2224/13014 , H01L2224/13147 , H01L2224/13561 , H01L2224/13611 , H01L2224/13655 , H01L2224/13657 , H01L2924/01015 , H01L2924/01026 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01082 , H01L2924/01083 , H01L2924/0109 , H01L2924/01092 , H01L2924/014 , H01L2924/15311 , H01L2924/15321 , H01L2924/15331 , H01L2924/01028 , H01L2924/00011
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公开(公告)号:TW201546303A
公开(公告)日:2015-12-16
申请号:TW104102049
申请日:2015-01-22
Applicant: 千住金屬工業股份有限公司 , SENJU METAL INDUSTRY CO., LTD.
Inventor: 川浩由 , KAWASAKI, HIROYOSHI , 近藤茂喜 , KONDO, SHIGEKI , 池田篤史 , IKEDA, ATSUSHI , 六本木貴弘 , ROPPONGI, TAKAHIRO , 相馬大輔 , SOMA, DAISUKE , 佐藤勇 , SATO, ISAMU
CPC classification number: B23K35/025 , B23K35/0244 , B23K35/262 , B23K35/302 , C22C9/00 , C22C12/00 , C22C13/00 , C22C13/02 , C22F1/08 , H01B1/02 , H01L24/13 , H01L2224/13014 , H01L2224/13147 , H01L2224/13561 , H01L2224/13611 , H01L2224/13655 , H01L2224/13657 , H01L2924/01015 , H01L2924/01026 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01082 , H01L2924/01083 , H01L2924/0109 , H01L2924/01092 , H01L2924/014 , H01L2924/15311 , H01L2924/15321 , H01L2924/15331 , H01L2924/01028 , H01L2924/00011
Abstract: 提供一種能夠抑制產生軟錯誤(soft error)且設為在封裝處理不成為問題的接合熔融溫度之低α射線量的核球。 當作核之金屬粉為球體,使用Cu球作為金屬粉時,該Cu球的純度為99.9%以上且99.995%以下,而且Pb或Bi的任一者之含量、或Pb及Bi的合計之含量為1ppm以上,真球度為0.95以上。將Cu球被覆之焊料鍍覆被膜係Sn-Bi系合金。在焊料鍍覆被膜所含有的U為5ppb以下且Th為5ppb以下。核球的α射線量為0.0200cph/cm2以下。
Abstract in simplified Chinese: 提供一种能够抑制产生软错误(soft error)且设为在封装处理不成为问题的接合熔融温度之低α射线量的核球。 当作核之金属粉为球体,使用Cu球作为金属粉时,该Cu球的纯度为99.9%以上且99.995%以下,而且Pb或Bi的任一者之含量、或Pb及Bi的合计之含量为1ppm以上,真球度为0.95以上。将Cu球被覆之焊料镀覆被膜系Sn-Bi系合金。在焊料镀覆被膜所含有的U为5ppb以下且Th为5ppb以下。核球的α射线量为0.0200cph/cm2以下。
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公开(公告)号:TW201642973A
公开(公告)日:2016-12-16
申请号:TW104143740
申请日:2015-12-25
Applicant: 千住金屬工業股份有限公司 , SENJU METAL INDUSTRY CO., LTD.
Inventor: 川浩由 , KAWASAKI, HIROYOSHI , 近藤茂喜 , KONDO, SHIGEKI , 池田篤史 , IKEDA, ATSUSHI , 六本木貴弘 , ROPPONGI, TAKAHIRO , 萩原崇史 , HAGIWARA, TAKASHI , 相馬大輔 , SOMA, DAISUKE , 鶴田加一 , TSURUTA, KAICHI , 佐藤勇 , SATO, ISAMU , 川又勇司 , KAWAMATA, YUJI
CPC classification number: B23K35/262 , B22F1/025 , B22F9/08 , B22F2301/10 , B22F2301/15 , B23K1/00 , B23K3/06 , B23K35/0244 , B23K35/025 , B23K35/22 , B23K35/3033 , C22C9/00 , C22C13/00 , C23C18/32 , C25D3/18 , C25D3/32 , C25D3/562 , C25D3/60 , C25D5/10 , C25D5/12 , C25D5/18 , C25D7/00
Abstract: 本發明係提供高真球度的接合構件、焊接材料、焊膏、泡沫焊料、助焊劑塗覆材料及焊接接頭。本發明的鍍鎳Cu焊球10係具備有:Cu焊球12、及被覆著Cu焊球12的鍍鎳層14。鍍鎳層14係含有光澤劑,且晶粒平均粒徑在1μm以下。鍍鎳Cu焊球10係球徑1~230μm、且真球度達0.95以上。藉由使鍍鎳層14含有光澤劑,便可將鍍鎳Cu焊球10的表面平滑化,並可將真球度達0.95以上。藉此,當將Cu核焊球10載置於電極上時可防止發生位置偏移,俾能防止自對準性惡化。
Abstract in simplified Chinese: 本发明系提供高真球度的接合构件、焊接材料、焊膏、泡沫焊料、助焊剂涂覆材料及焊接接头。本发明的镀镍Cu焊球10系具备有:Cu焊球12、及被覆着Cu焊球12的镀镍层14。镀镍层14系含有光泽剂,且晶粒平均粒径在1μm以下。镀镍Cu焊球10系球径1~230μm、且真球度达0.95以上。借由使镀镍层14含有光泽剂,便可将镀镍Cu焊球10的表面平滑化,并可将真球度达0.95以上。借此,当将Cu核焊球10载置于电极上时可防止发生位置偏移,俾能防止自对准性恶化。
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