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公开(公告)号：TW201906678A
公开(公告)日：2019-02-16
申请号：TW107108269
申请日：2018-03-12
发明人： 川浩由 , KAWASAKI, HIROYOSHI , 相馬大輔 , SOMA, DAISUKE , 川又勇司 , KAWAMATA, YUJI
摘要： 本發明提供一種金屬芯柱的組裝方法，其能夠抑制半導體晶片等上經1次組裝之金屬芯柱在2次組裝中的倒塌。前述金屬芯柱的組裝方法包括：在形成於第1基板100上之複數個電極101上塗佈助焊劑F之步驟；將以焊料被覆圓柱狀的Cu芯之Cu芯柱1A的第1接合面10A裝載至塗佈有助焊劑F之各個電極101上，在使焊料熔化的溫度下加熱並將Cu芯柱1A接合至電極101之步驟；將接合有電極101之Cu芯柱1A的周圍利用樹脂組合物12密封之步驟；及將密封Cu芯柱1A的周圍之樹脂組成物12的表面120削去，露出Cu芯柱1A的第2接合面11A且使各個Cu芯柱1A的高度對齊之步驟。
简体摘要： 本发明提供一种金属芯柱的组装方法，其能够抑制半导体芯片等上经1次组装之金属芯柱在2次组装中的倒塌。前述金属芯柱的组装方法包括：在形成于第1基板100上之复数个电极101上涂布助焊剂F之步骤；将以焊料被覆圆柱状的Cu芯之Cu芯柱1A的第1接合面10A装载至涂布有助焊剂F之各个电极101上，在使焊料熔化的温度下加热并将Cu芯柱1A接合至电极101之步骤；将接合有电极101之Cu芯柱1A的周围利用树脂组合物12密封之步骤；及将密封Cu芯柱1A的周围之树脂组成物12的表面120削去，露出Cu芯柱1A的第2接合面11A且使各个Cu芯柱1A的高度对齐之步骤。
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公开(公告)号：TWI585220B
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW103113348
申请日：2014-04-11
发明人： 川崎浩由 , KAWASAKI, HIROYOSHI , 橋本知彥 , HASHIMOTO, TOMOHIKO , 池田篤史 , IKEDA, ATSUSHI , 六本木貴弘 , ROPPONGI, TAKAHIRO , 相馬大輔 , SOMA, DAISUKE , 佐藤勇 , SATO, ISAMU , 川又勇司 , KAWAMATA, YUJI
IPC分类号： C22C9/00 , B22F1/02 , B23K35/02 , B23K35/14 , B23K35/22 , B23K35/26 , H05K3/34 , H01L21/60 , H01L23/488
CPC分类号： H01L24/13 , B22F1/025 , B23K35/0244 , B23K35/26 , B23K35/262 , B23K35/30 , B23K35/302 , C22C9/00 , C22C13/00 , C22C43/00 , C23C28/021 , H01L23/49816 , H01L23/556 , H01L24/11 , H01L24/14 , H01L2224/111 , H01L2224/1112 , H01L2224/13014 , H01L2224/13016 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/13347 , H01L2224/13411 , H01L2224/13611 , H01L2224/13655 , H01L2224/13657 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2924/1434 , H01L2924/3841 , H05K3/3457 , H05K2203/041 , H01L2924/01082 , H01L2924/01083 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/01049 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/01028 , H01L2924/01027 , H01L2924/01051 , H01L2924/01032 , H01L2924/01015 , H01L2924/01026 , H01L2924/01079 , H01L2924/01092 , H01L2924/0109 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01048 , H01L2924/01016 , H01L2924/01203 , H01L2924/01204 , H01L2924/0103
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公开(公告)号：TW201715047A
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW105120278
申请日：2016-06-28
发明人： 川浩由 , KAWASAKI, HIROYOSHI , 西野友朗 , NISHINO, TOMOAKI , 六本木貴弘 , ROPPONGI, TAKAHIRO , 佐藤勇 , SATO, ISAMU , 川又勇司 , KAWAMATA, YUJI
摘要： 其目的係正確地辨別不容易氧化之焊接材料。 Cu核心球1係包括：具有規定之大小而在半導體封裝和印刷電路基板之間來確保間隔之Cu球2以及被覆Cu球2之焊接層3。Cu核心球1係在溫度25℃、濕度40%之室內之150℃恆溫槽之72小時之燃燒試驗後之L*a*b*表色系之亮度為62.5以上，燃燒試驗前之焊接材料之L*a*b*表色系之亮度為65以上，並且，L*a*b*表色系之黃色度為7.0以下。
简体摘要： 其目的系正确地辨别不容易氧化之焊接材料。 Cu内核球1系包括：具有规定之大小而在半导体封装和印刷电路基板之间来确保间隔之Cu球2以及被覆Cu球2之焊接层3。Cu内核球1系在温度25℃、湿度40%之室内之150℃恒温槽之72小时之燃烧试验后之L*a*b*表色系之亮度为62.5以上，燃烧试验前之焊接材料之L*a*b*表色系之亮度为65以上，并且，L*a*b*表色系之黄色度为7.0以下。
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公开(公告)号：TW201642973A
公开(公告)日：2016-12-16
申请号：TW104143740
申请日：2015-12-25
发明人： 川浩由 , KAWASAKI, HIROYOSHI , 近藤茂喜 , KONDO, SHIGEKI , 池田篤史 , IKEDA, ATSUSHI , 六本木貴弘 , ROPPONGI, TAKAHIRO , 萩原崇史 , HAGIWARA, TAKASHI , 相馬大輔 , SOMA, DAISUKE , 鶴田加一 , TSURUTA, KAICHI , 佐藤勇 , SATO, ISAMU , 川又勇司 , KAWAMATA, YUJI
CPC分类号： B23K35/262 , B22F1/025 , B22F9/08 , B22F2301/10 , B22F2301/15 , B23K1/00 , B23K3/06 , B23K35/0244 , B23K35/025 , B23K35/22 , B23K35/3033 , C22C9/00 , C22C13/00 , C23C18/32 , C25D3/18 , C25D3/32 , C25D3/562 , C25D3/60 , C25D5/10 , C25D5/12 , C25D5/18 , C25D7/00
摘要： 本發明係提供高真球度的接合構件、焊接材料、焊膏、泡沫焊料、助焊劑塗覆材料及焊接接頭。本發明的鍍鎳Cu焊球10係具備有：Cu焊球12、及被覆著Cu焊球12的鍍鎳層14。鍍鎳層14係含有光澤劑，且晶粒平均粒徑在1μm以下。鍍鎳Cu焊球10係球徑1~230μm、且真球度達0.95以上。藉由使鍍鎳層14含有光澤劑，便可將鍍鎳Cu焊球10的表面平滑化，並可將真球度達0.95以上。藉此，當將Cu核焊球10載置於電極上時可防止發生位置偏移，俾能防止自對準性惡化。
简体摘要： 本发明系提供高真球度的接合构件、焊接材料、焊膏、泡沫焊料、助焊剂涂覆材料及焊接接头。本发明的镀镍Cu焊球10系具备有：Cu焊球12、及被覆着Cu焊球12的镀镍层14。镀镍层14系含有光泽剂，且晶粒平均粒径在1μm以下。镀镍Cu焊球10系球径1~230μm、且真球度达0.95以上。借由使镀镍层14含有光泽剂，便可将镀镍Cu焊球10的表面平滑化，并可将真球度达0.95以上。借此，当将Cu核焊球10载置于电极上时可防止发生位置偏移，俾能防止自对准性恶化。
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公开(公告)号：TWI543835B
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：TW104128294
申请日：2015-08-28
发明人： 川浩由 , KAWASAKI, HIROYOSHI , 六本木貴弘 , ROPPONGI, TAKAHIRO , 相馬大輔 , SOMA, DAISUKE , 佐藤勇 , SATO, ISAMU , 川又勇司 , KAWAMATA, YUJI
CPC分类号： B23K35/0244 , B22F1/02 , B22F2999/00 , B23K35/26 , B23K35/262 , B23K35/365 , C22C13/00 , C23C8/10 , C23C8/36 , C23C28/04 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/11318 , H01L2224/1182 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/1312 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13157 , H01L2224/1316 , H01L2224/13561 , H01L2224/13687 , H01L2924/0105 , H01L2924/014 , H01L2924/0544 , C22C1/0483
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公开(公告)号：TWI680194B
公开(公告)日：2019-12-21
申请号：TW105120278
申请日：2016-06-28
发明人： 川浩由 , KAWASAKI, HIROYOSHI , 西野友朗 , NISHINO, TOMOAKI , 六本木貴弘 , ROPPONGI, TAKAHIRO , 佐藤勇 , SATO, ISAMU , 川又勇司 , KAWAMATA, YUJI
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公开(公告)号：TWI647030B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：TW103145414
申请日：2014-12-25
发明人： 川浩由 , KAWASAKI, HIROYOSHI , 西野友朗 , NISHINO, TOMOAKI , 六本木貴弘 , ROPPONGI, TAKAHIRO , 相馬大輔 , SOMA, DAISUKE , 佐藤勇 , SATO, ISAMU , 川又勇司 , KAWAMATA, YUJI , 平尾浩彥 , HIRAO, HIROHIKO , 田阪淳 , TASAKA, JUN
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公开(公告)号：TWI623370B
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：TW103122212
申请日：2014-06-27
发明人： 川浩由 , KAWASAKI, HIROYOSHI , 橋本知彥 , HASHIMOTO, TOMOHIKO , 池田篤史 , IKEDA, ATSUSHI , 六本木貴弘 , ROPPONGI, TAKAHIRO , 相馬大輔 , SOMA, DAISUKE , 佐藤勇 , SATO, ISAMU , 川又勇司 , KAWAMATA, YUJI
IPC分类号： B23K35/22
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公开(公告)号：TW201630485A
公开(公告)日：2016-08-16
申请号：TW104128958
申请日：2015-09-02
发明人： 川浩由 , KAWASAKI, HIROYOSHI , 六本木貴弘 , ROPPONGI, TAKAHIRO , 相馬大輔 , SOMA, DAISUKE , 佐藤勇 , SATO, ISAMU , 川又勇司 , KAWAMATA, YUJI
CPC分类号： H01L24/13 , B22F1/00 , B23K35/0227 , B23K35/26 , B23K35/262 , B23K35/30 , B23K35/302 , B23K35/3615 , B32B15/01 , B32B15/20 , B32B2255/06 , B32B2255/205 , C22C9/00 , C22C13/00 , C25D5/10 , C25D5/12 , C25D7/00 , H01B1/026 , H01L21/2885 , H01L21/76885 , H01L23/481 , H01L23/50 , H01L23/522 , H01L24/11 , H01L2224/11825 , H01L2224/13005 , H01L2224/13147 , H01L2224/1357 , H01L2224/1358 , H01L2224/13582 , H01L2224/13655 , H01L2224/13657 , H01L2224/1366 , H01L2224/1369 , H01L2924/0002 , H01L2924/01015 , H01L2924/01016 , H01L2924/01026 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01048 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01083 , H01L2924/0109 , H01L2924/01092 , H01L2924/35 , H05K3/4015 , H05K2201/10242
摘要： 提供維氏硬度低，且算術平均粗度小的銅柱、銅核柱、焊接接頭以及矽貫通電極。 與本發明有關之銅柱1，純度為99.9%以上99.995%以下，算術平均粗度為0.3μm以下，維氏硬度為20HV以上60HV以下。銅柱1，在焊接的溫度不會熔融，而可確保一定的浮高(基板間的空間)，因此適合用於三次元實裝或窄間距實裝。
简体摘要： 提供维氏硬度低，且算术平均粗度小的铜柱、铜核柱、焊接接头以及硅贯通电极。 与本发明有关之铜柱1，纯度为99.9%以上99.995%以下，算术平均粗度为0.3μm以下，维氏硬度为20HV以上60HV以下。铜柱1，在焊接的温度不会熔融，而可确保一定的浮高(基板间的空间)，因此适合用于三次元实装或窄间距实装。
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公开(公告)号：TW201544226A
公开(公告)日：2015-12-01
申请号：TW103146193
申请日：2014-12-30
发明人： 川浩由 , KAWASAKI, HIROYOSHI , 山裕之 , YAMASAKI, HIROYUKI , 六本木貴弘 , ROPPONGI, TAKAHIRO , 萩原崇史 , HAGIWARA, TAKASHI , 相馬大輔 , SOMA, DAISUKE , 佐藤勇 , SATO, ISAMU , 川又勇司 , KAWAMATA, YUJI
CPC分类号： C22F1/08 , B22F1/0048 , B22F1/0074 , B22F1/02 , B23K35/0222 , B23K35/0238 , B23K35/025 , B23K35/22 , B23K35/30 , B23K35/302 , B23K35/36 , B23K35/362 , B23K35/365 , C22C9/00 , C22F1/00 , C25D3/30 , C25D3/60 , C25D7/00 , H01L23/556 , H01L24/13 , H01L2224/1181 , H01L2224/13147 , H01L2224/13561 , H01L2224/13582 , H01L2224/136 , H01L2224/13694 , H01L2224/81011 , H01L2924/01203 , H01L2924/01204 , H01L2924/014
摘要： 提供一種α線量少且真球度高的銅球，或者是此銅球以焊料層被覆之銅核球以助焊劑被覆的助焊劑塗佈球。助焊劑塗佈銅球1A包括以銅或銅合金構成的銅球2，以及被覆銅球2的助焊劑層3，銅球2所放射的α線量為0.0200cph/cm2以下，U的含量為5ppb以下，Th的含量為5ppb以下，Pb或Bi的其中任一的含量、或者是Pb及Bi的合計含量為1ppm以上，銅的純度為99.9%以上99.995%以下，真球度為0.95以上。
简体摘要： 提供一种α线量少且真球度高的铜球，或者是此铜球以焊料层被覆之铜核球以助焊剂被覆的助焊剂涂布球。助焊剂涂布铜球1A包括以铜或铜合金构成的铜球2，以及被覆铜球2的助焊剂层3，铜球2所放射的α线量为0.0200cph/cm2以下，U的含量为5ppb以下，Th的含量为5ppb以下，Pb或Bi的其中任一的含量、或者是Pb及Bi的合计含量为1ppm以上，铜的纯度为99.9%以上99.995%以下，真球度为0.95以上。
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