公开(公告)号：TW201824450A

公开(公告)日：2018-07-01

申请号：TW106127736

申请日：2017-08-16

Applicant: 日商東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

Inventor： 尤凱鴻 ,  YU, KAI-HUNG ,  泰伯利 坎達巴拉 N ,  TAPILY, KANDABARA N. ,  盧森克 赫里特 J ,  LEUSINK, GERRIT J.

IPC: H01L21/768

Abstract: 本發明提供基板中之凹陷特徵部之無孔隙金屬填充的方法。方法包括提供其中含有凹陷特徵部的基板，且使用金屬填充凹陷特徵部，其中藉由在促進由下而上無孔隙填充之基板溫度與氣體壓力下的氣相沉積，將金屬沉積在凹陷特徵部中。根據一實施例，金屬係選自由Ru、Rh、Os、Pd、Ir、Pt、Ni、Co、W、及其組合所構成的群組。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供基板中之凹陷特征部之无孔隙金属填充的方法。方法包括提供其中含有凹陷特征部的基板，且使用金属填充凹陷特征部，其中借由在促进由下而上无孔隙填充之基板温度与气体压力下的气相沉积，将金属沉积在凹陷特征部中。根据一实施例，金属系选自由Ru、Rh、Os、Pd、Ir、Pt、Ni、Co、W、及其组合所构成的群组。

公开(公告)号：TW201921445A

公开(公告)日：2019-06-01

申请号：TW107126288

申请日：2018-07-30

Applicant: 日商東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

Inventor： 納斯曼 羅那得 ,  NASMAN, RONALD ,  盧森克 赫里特 J ,  LEUSINK, GERRIT J. ,  羅賓森 羅德尼 L ,  ROBISON, RODNEY L. ,  姜 浩莫 ,  KANG, HOYOUNG ,  富爾福德 丹尼爾 ,  FULFORD, DANIEL

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/365

Abstract: 在此之技術包含將薄膜沉積於晶圓之背側表面以減少晶圓翹曲與畸變的一處理腔室。一基板支架在晶圓的底部及/或側邊周圍提供環形周邊密封，此允許大部分的基板背側曝露於處理環境。被支撐的晶圓將該腔室分隔成提供不同處理環境的下與上腔室。處理腔室的下區段包含用以施加與移除薄膜的沉積硬體。上區段可保持化學惰性環境，以保護晶圓之頂表面上的既有特徵部。多個排放口與差異壓力被使用來防止沉積氣體接近晶圓的工作表面。

Abstract in simplified Chinese: 在此之技术包含将薄膜沉积于晶圆之背侧表面以减少晶圆翘曲与畸变的一处理腔室。一基板支架在晶圆的底部及/或侧边周围提供环形周边密封，此允许大部分的基板背侧曝露于处理环境。被支撑的晶圆将该腔室分隔成提供不同处理环境的下与上腔室。处理腔室的下区段包含用以施加与移除薄膜的沉积硬件。上区段可保持化学惰性环境，以保护晶圆之顶表面上的既有特征部。多个排放口与差异压力被使用来防止沉积气体接近晶圆的工作表面。

公开(公告)号：TW201841324A

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：TW107101964

申请日：2018-01-19

Applicant: 日商東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

Inventor： 蔡洙杜 ,  CHAE, SOO DOO ,  史密斯 傑佛瑞 ,  SMITH, JEFFREY ,  盧森克 赫里特 J ,  LEUSINK, GERRIT J. ,  克拉克 羅伯特D ,  CLARK, ROBERT D. ,  尤凱鴻 ,  YU, KAI-HUNG

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768

Abstract: 提供一種半導體裝置。半導體裝置可包含形成在介電材料內的複數內連線開口。文中所揭露的內連線開口可具有溝槽開口、通孔開口、或雙鑲嵌開口。第一金屬可順形地填充於內連線開口中且與介電材料直接接觸。半導體裝置亦可具有填充於內連線開口中的第二金屬。第二金屬可形成於第一金屬上方且被第一金屬所封裝而形成內連線開口內的內連線結構。半導體裝置更可包含形成於介電材料內的複數導電層，複數導電層可位於內連線結構的底部處且可與內連線結構直接接觸。

Abstract in simplified Chinese: 提供一种半导体设备。半导体设备可包含形成在介电材料内的复数内连接开口。文中所揭露的内连接开口可具有沟槽开口、通孔开口、或双镶嵌开口。第一金属可顺形地填充于内连接开口中且与介电材料直接接触。半导体设备亦可具有填充于内连接开口中的第二金属。第二金属可形成于第一金属上方且被第一金属所封装而形成内连接开口内的内连接结构。半导体设备更可包含形成于介电材料内的复数导电层，复数导电层可位于内连接结构的底部处且可与内连接结构直接接触。

公开(公告)号：TWI621218B

公开(公告)日：2018-04-11

申请号：TW105130107

申请日：2016-09-19

Applicant: 東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

Inventor： 泰伯利 坎達巴拉 N ,  TAPILY, KANDABARA N. ,  克拉克 羅伯特 D ,  CLARK, ROBERT D. ,  康席格理歐 史帝芬 P ,  CONSIGLIO, STEVEN P. ,  瓦伊達 科瑞 ,  WAJDA, CORY ,  盧森克 赫里特 J ,  LEUSINK, GERRIT J.

IPC: H01L21/8256 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L21/28255 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02323 ,  H01L21/0234 ,  H01L29/161 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517

公开(公告)号：TW201739946A

公开(公告)日：2017-11-16

申请号：TW106105401

申请日：2017-02-18

Applicant: 東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

Inventor： 尤凱鴻 ,  YU, KAI-HUNG ,  盧森克 赫里特 J ,  LEUSINK, GERRIT J. ,  瓦伊達 科瑞 ,  WAJDA, CORY ,  石坂忠大 ,  ISHIZAKA, TADAHIRO ,  袴田隆宏 ,  HAKAMATA, TAKAHIRO

IPC: C23C16/16 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/16 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/4481 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45557

Abstract: 在數個實施方式之中描述用於材料沉積的方法。根據一實施方式，該方法包括：提供定義複數特徵部的基板，以接收材料沉積；開始將Ru羰基先驅物的流量流至基板，Ru羰基先驅物在所定義之特徵部內分解，使得Ru金屬膜沉積在所定義之特徵部的表面上，並釋放CO氣體；及停止流至基板之Ru羰基先驅物的流量。該方法更包括：在停止流至基板之Ru羰基先驅物的流量後，將額外CO氣體流至基板；及在將Ru羰基先驅物的流量流至基板的處理步驟與將額外CO氣體流至基板的處理步驟之間重複循環。在一實施方式中，Ru羰基先驅物包含Ru3(CO)12。

Abstract in simplified Chinese: 在数个实施方式之中描述用于材料沉积的方法。根据一实施方式，该方法包括：提供定义复数特征部的基板，以接收材料沉积；开始将Ru羰基先驱物的流量流至基板，Ru羰基先驱物在所定义之特征部内分解，使得Ru金属膜沉积在所定义之特征部的表面上，并释放CO气体；及停止流至基板之Ru羰基先驱物的流量。该方法更包括：在停止流至基板之Ru羰基先驱物的流量后，将额外CO气体流至基板；及在将Ru羰基先驱物的流量流至基板的处理步骤与将额外CO气体流至基板的处理步骤之间重复循环。在一实施方式中，Ru羰基先驱物包含Ru3(CO)12。

公开(公告)号：TW201709293A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：TW105117505

申请日：2016-06-03

Applicant: 東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

Inventor： 尤凱鴻 ,  YU, KAI-HUNG ,  盧森克 赫里特 J ,  LEUSINK, GERRIT J. ,  瓦伊達 科瑞 ,  WAJDA, CORY ,  石坂忠大 ,  ISHIZAKA, TADAHIRO ,  袴田隆宏 ,  HAKAMATA, TAKAHIRO

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  C23C16/16 ,  C23C16/455 ,  C23C16/46

CPC classification number: H01L23/5226 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76882 ,  H01L23/53242

Abstract: 提供至少部分填補基板中之特徵部的方法。方法包含提供含有特徵部的基板；沉積釕(Ru)金屬層以至少部分填補特徵部；並且熱處理基板以使特徵部中的Ru金屬層回流。

Abstract in simplified Chinese: 提供至少部分填补基板中之特征部的方法。方法包含提供含有特征部的基板；沉积钌(Ru)金属层以至少部分填补特征部；并且热处理基板以使特征部中的Ru金属层回流。

公开(公告)号：TWI621161B

公开(公告)日：2018-04-11

申请号：TW105117505

申请日：2016-06-03

Applicant: 東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

Inventor： 尤凱鴻 ,  YU, KAI-HUNG ,  盧森克 赫里特 J ,  LEUSINK, GERRIT J. ,  瓦伊達 科瑞 ,  WAJDA, CORY ,  石坂忠大 ,  ISHIZAKA, TADAHIRO ,  袴田隆宏 ,  HAKAMATA, TAKAHIRO

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  C23C16/16 ,  C23C16/455 ,  C23C16/46

CPC classification number: H01L23/5226 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76882 ,  H01L23/53242

公开(公告)号：TWI619831B

公开(公告)日：2018-04-01

申请号：TW106105401

申请日：2017-02-18

Applicant: 東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

Inventor： 尤凱鴻 ,  YU, KAI-HUNG ,  盧森克 赫里特 J ,  LEUSINK, GERRIT J. ,  瓦伊達 科瑞 ,  WAJDA, CORY ,  石坂忠大 ,  ISHIZAKA, TADAHIRO ,  袴田隆宏 ,  HAKAMATA, TAKAHIRO

IPC: C23C16/16 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/16 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/4481 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45557

公开(公告)号：TW201715657A

公开(公告)日：2017-05-01

申请号：TW105130107

申请日：2016-09-19

Applicant: 東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

Inventor： 泰伯利 坎達巴拉 N ,  TAPILY, KANDABARA N. ,  克拉克 羅伯特 D ,  CLARK, ROBERT D. ,  康席格理歐 史帝芬 P ,  CONSIGLIO, STEVEN P. ,  瓦伊達 科瑞 ,  WAJDA, CORY ,  盧森克 赫里特 J ,  LEUSINK, GERRIT J.

IPC: H01L21/8256 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L21/28255 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02323 ,  H01L21/0234 ,  H01L29/161 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517

Abstract: 描述含鍺半導體元件及用以形成含鍺半導體元件的方法。方法包括提供含鍺基板、在含鍺基板上沉積含鋁擴散阻障層、在含鋁擴散阻障層上沉積高k層、及使高k層暴露至原子氧以減少高k層之等效氧化物厚度(equivalent oxide thickness, EOT)，而避免氧化含鍺基板。含鍺半導體元件包括含鍺基板、含鍺基板上之含鋁擴散阻障層、及含鋁擴散阻障層上之高k層，其中高k層已暴露至原子氧以減少高k層之EOT，同時避免氧化含鍺基板。

Abstract in simplified Chinese: 描述含锗半导体组件及用以形成含锗半导体组件的方法。方法包括提供含锗基板、在含锗基板上沉积含铝扩散阻障层、在含铝扩散阻障层上沉积高k层、及使高k层暴露至原子氧以减少高k层之等效氧化物厚度(equivalent oxide thickness, EOT)，而避免氧化含锗基板。含锗半导体组件包括含锗基板、含锗基板上之含铝扩散阻障层、及含铝扩散阻障层上之高k层，其中高k层已暴露至原子氧以减少高k层之EOT，同时避免氧化含锗基板。