公开(公告)号：TW201841324A

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：TW107101964

申请日：2018-01-19

Applicant: 日商東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

Inventor： 蔡洙杜 ,  CHAE, SOO DOO ,  史密斯 傑佛瑞 ,  SMITH, JEFFREY ,  盧森克 赫里特 J ,  LEUSINK, GERRIT J. ,  克拉克 羅伯特D ,  CLARK, ROBERT D. ,  尤凱鴻 ,  YU, KAI-HUNG

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768

Abstract: 提供一種半導體裝置。半導體裝置可包含形成在介電材料內的複數內連線開口。文中所揭露的內連線開口可具有溝槽開口、通孔開口、或雙鑲嵌開口。第一金屬可順形地填充於內連線開口中且與介電材料直接接觸。半導體裝置亦可具有填充於內連線開口中的第二金屬。第二金屬可形成於第一金屬上方且被第一金屬所封裝而形成內連線開口內的內連線結構。半導體裝置更可包含形成於介電材料內的複數導電層，複數導電層可位於內連線結構的底部處且可與內連線結構直接接觸。

Abstract in simplified Chinese: 提供一种半导体设备。半导体设备可包含形成在介电材料内的复数内连接开口。文中所揭露的内连接开口可具有沟槽开口、通孔开口、或双镶嵌开口。第一金属可顺形地填充于内连接开口中且与介电材料直接接触。半导体设备亦可具有填充于内连接开口中的第二金属。第二金属可形成于第一金属上方且被第一金属所封装而形成内连接开口内的内连接结构。半导体设备更可包含形成于介电材料内的复数导电层，复数导电层可位于内连接结构的底部处且可与内连接结构直接接触。

公开(公告)号：TW201546898A

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：TW104106451

申请日：2015-03-02

Applicant: 東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

Inventor： 泰伯利 坎達巴拉N ,  TAPILY, KANDABARA N. ,  克拉克 羅伯特D ,  CLARK, ROBERT D.

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/02315 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45525 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/28167 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28211 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 在數個實施例中揭露用以形成半導體裝置的方法。依據一實施例，該方法包含:在一製程腔室中提供基板；使由H2 及選擇性之鈍氣所組成之製程氣體流入該製程腔室中；藉著微波電漿來源由該製程氣體形成電漿激發物種。該方法更包含:將該基板上的界面層暴露於該電漿激發物種，以形成改質界面層；以及藉由原子層沉積法(ALD)在該改質界面層上沉積高介電常數(高k)膜。在若干實施例中，該改質界面層具有比該界面層高的電移動度，並且該高k膜在該改質界面層上相較於其在該界面層上以較高的速率成核。

Abstract in simplified Chinese: 在数个实施例中揭露用以形成半导体设备的方法。依据一实施例，该方法包含:在一制程腔室中提供基板；使由H2 及选择性之钝气所组成之制程气体流入该制程腔室中；借着微波等离子来源由该制程气体形成等离子激发物种。该方法更包含:将该基板上的界面层暴露于该等离子激发物种，以形成改质界面层；以及借由原子层沉积法(ALD)在该改质界面层上沉积高介电常数(高k)膜。在若干实施例中，该改质界面层具有比该界面层高的电移动度，并且该高k膜在该改质界面层上相较于其在该界面层上以较高的速率成核。

公开(公告)号：TW201436285A

公开(公告)日：2014-09-16

申请号：TW102137786

申请日：2013-10-18

Applicant: 東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

Inventor： 克拉克 羅伯特D ,  CLARK, ROBERT D.

IPC: H01L33/22

CPC classification number: H01L21/823857 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545

Abstract: 本發明提供一種用以製造使用混合式閘極後製積體化方案的雙功函數半導體裝置的方法。根據一實施例，該方法包含以第一熱處理溫度熱處理第一高介電係數膜(104)，以使第一化學元素從第一覆蓋層(108)擴散進入在一裝置區域(100a、100b)中之第一高介電係數膜(104)中，以形成第一經改質的高介電係數膜(112、113、119)。該方法更包含一閘極後製處理方案，以形成由複數側壁間隔件(116、140)所界定之複數凹陷特徵部(120、122)於該裝置區域(100a、100b)中，並沉積第二高介電係數膜(124)於該等凹陷特徵部(120、122)中。一些實施例包含形成氧清除層(142、152)於該第一高介電係數膜(104)上，其中該熱處理該第一高介電係數膜(104)清除來自該介面層(102、103、107)的氧以消除或減少介面層(102、103、107)之厚度。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种用以制造使用混合式闸极后制积体化方案的双功函数半导体设备的方法。根据一实施例，该方法包含以第一热处理温度热处理第一高介电系数膜(104)，以使第一化学元素从第一覆盖层(108)扩散进入在一设备区域(100a、100b)中之第一高介电系数膜(104)中，以形成第一经改质的高介电系数膜(112、113、119)。该方法更包含一闸极后制处理方案，以形成由复数侧壁间隔件(116、140)所界定之复数凹陷特征部(120、122)于该设备区域(100a、100b)中，并沉积第二高介电系数膜(124)于该等凹陷特征部(120、122)中。一些实施例包含形成氧清除层(142、152)于该第一高介电系数膜(104)上，其中该热处理该第一高介电系数膜(104)清除来自该界面层(102、103、107)的氧以消除或减少界面层(102、103、107)之厚度。

公开(公告)号：TW201324625A

公开(公告)日：2013-06-16

申请号：TW101140815

申请日：2012-11-02

Applicant: 東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

Inventor： 克拉克 羅伯特D ,  CLARK, ROBERT D.

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823431 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/31116

Abstract: 一種半導體裝置之製造方法。設置一基板，且該基板包含介電層及被圖案化及顯影的遮罩層。複數溝槽係藉由逆行蝕刻製程產生於介電材料內。該複數溝槽隨後藉由利用高寬比截留之異質磊晶生長以一材料過量填充。該材料包含鍺、III-V族化合物、或其二或更多者之組合的至少一者。然後使經過量填充的複數溝槽平坦化。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备之制造方法。设置一基板，且该基板包含介电层及被图案化及显影的遮罩层。复数沟槽系借由逆行蚀刻制程产生于介电材料内。该复数沟槽随后借由利用高宽比截留之异质磊晶生长以一材料过量填充。该材料包含锗、III-V族化合物、或其二或更多者之组合的至少一者。然后使经过量填充的复数沟槽平坦化。

公开(公告)号：TWI563543B

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：TW103108464

申请日：2014-03-11

Applicant: 東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

Inventor： 納斯曼 羅那得 ,  NASMAN, RONALD ,  胡可米克 馬可 ,  VUKOVIC, MIRKO ,  盧森克 葛雷特J ,  LEUSINK, GERRIT J. ,  羅賓森 羅德尼L ,  ROBISON, RODNEY L. ,  克拉克 羅伯特D ,  CLARK, ROBERT D.

IPC: H01L21/26 ,  H01L21/324

CPC classification number: H05B6/806 ,  H01L21/268 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67248 ,  H05B6/701 ,  H05B6/707 ,  H05B6/72

公开(公告)号：TWI553906B

公开(公告)日：2016-10-11

申请号：TW102137786

申请日：2013-10-18

Applicant: 東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

Inventor： 克拉克 羅伯特D ,  CLARK, ROBERT D.

IPC: H01L33/22

CPC classification number: H01L21/823857 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545

公开(公告)号：TWI478215B

公开(公告)日：2015-03-21

申请号：TW101111477

申请日：2012-03-30

Applicant: 東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

Inventor： 克拉克 羅伯特D ,  CLARK, ROBERT D.

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/225

CPC classification number: H01L21/2256 ,  H01L21/2254 ,  H01L21/2255 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66492 ,  H01L29/78

公开(公告)号：TW201501181A

公开(公告)日：2015-01-01

申请号：TW103108464

申请日：2014-03-11

Applicant: 東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

Inventor： 納斯曼 羅那得 ,  NASMAN, RONALD ,  胡可米克 馬可 ,  VUKOVIC, MIRKO ,  盧森克 葛雷特J ,  LEUSINK, GERRIT J. ,  羅賓森 羅德尼L ,  ROBISON, RODNEY L. ,  克拉克 羅伯特D ,  CLARK, ROBERT D.

IPC: H01L21/26 ,  H01L21/324

CPC classification number: H05B6/806 ,  H01L21/268 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67248 ,  H05B6/701 ,  H05B6/707 ,  H05B6/72

Abstract: 揭露一種處理系統，其包含用以容納一基板以使該基板表面暴露至電磁(EM)行進波的一處理室。該處理系統亦包含用以發射該電磁行進波進入該處理室以使該電磁行進波沿著實質上平行於該基板之一表面之一方向傳播的一電磁波傳輸天線。該處理系統亦包含用以將電磁能量供給至該電磁波傳輸天線中以在該基板之處理期間產生指定的輸出功率及指定的EM波模式下之該電磁行進波的一功率耦合系統。該處理系統亦包含用以在該電磁行進波傳播通過該處理室後吸收該電磁行進波的一電磁波接收天線。

Abstract in simplified Chinese: 揭露一种处理系统，其包含用以容纳一基板以使该基板表面暴露至电磁(EM)行进波的一处理室。该处理系统亦包含用以发射该电磁行进波进入该处理室以使该电磁行进波沿着实质上平行于该基板之一表面之一方向传播的一电磁波传输天线。该处理系统亦包含用以将电磁能量供给至该电磁波传输天线中以在该基板之处理期间产生指定的输出功率及指定的EM波模式下之该电磁行进波的一功率耦合系统。该处理系统亦包含用以在该电磁行进波传播通过该处理室后吸收该电磁行进波的一电磁波接收天线。

公开(公告)号：TW201308401A

公开(公告)日：2013-02-16

申请号：TW101111467

申请日：2012-03-30

Applicant: 東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

Inventor： 克拉克 羅伯特D ,  CLARK, ROBERT D.

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/223 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/322 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/2254 ,  H01L21/2255 ,  H01L21/2256 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/324 ,  H01L29/105 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7391

Abstract: 提出一種在基板中形成超淺硼摻雜物區域之方法。在一實施例中，該方法包括利用原子層沉積(ALD)沉積一硼摻雜物層與該基板直接接觸，其中該硼摻雜物層包含藉由硼胺前驅物或有機硼前驅物及反應物氣體之交替氣體暴露所形成之氧化物、氮化物、或氮氧化物。該方法更包括圖案化該硼摻雜物層、以及藉由熱處理使硼從該硼摻雜物層擴散至該基板中，在該基板中形成該超淺硼摻雜物區域。

Abstract in simplified Chinese: 提出一种在基板中形成超浅硼掺杂物区域之方法。在一实施例中，该方法包括利用原子层沉积(ALD)沉积一硼掺杂物层与该基板直接接触，其中该硼掺杂物层包含借由硼胺前驱物或有机硼前驱物及反应物气体之交替气体暴露所形成之氧化物、氮化物、或氮氧化物。该方法更包括图案化该硼掺杂物层、以及借由热处理使硼从该硼掺杂物层扩散至该基板中，在该基板中形成该超浅硼掺杂物区域。

公开(公告)号：TWI590329B

公开(公告)日：2017-07-01

申请号：TW104106451

申请日：2015-03-02

Applicant: 東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

Inventor： 泰伯利 坎達巴拉N ,  TAPILY, KANDABARA N. ,  克拉克 羅伯特D ,  CLARK, ROBERT D.

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/02315 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45525 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/28167 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28211 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518