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公开(公告)号：TWI648831B
公开(公告)日：2019-01-21
申请号：TW104111995
申请日：2015-04-14
发明人： 渡邊真司 , WATANABE, SHINJI , 木田剛 , KIDA, TSUYOSHI , 小野善宏 , ONO, YOSHIHIRO , 森健太郎 , MORI, KENTARO , 坂田賢治 , SAKATA, KENJI , 山田裕介 , YAMADA, YUSUKE
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/488 , H01L21/58
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公开(公告)号：TW201526232A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW103140863
申请日：2014-11-25
发明人： 渡邊真司 , WATANABE, SHINJI , 木田剛 , KIDA, TSUYOSHI , 小野善宏 , ONO, YOSHIHIRO , 森健太郎 , MORI, KENTARO , 坂田賢治 , SAKATA, KENJI , 山田裕介 , YAMADA, YUSUKE
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/78 , H01L23/3135 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/49894 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L25/50 , H01L2224/13017 , H01L2224/13025 , H01L2224/13082 , H01L2224/13084 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/1601 , H01L2224/16058 , H01L2224/1607 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/16238 , H01L2224/165 , H01L2224/16505 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/75252 , H01L2224/81075 , H01L2224/81191 , H01L2224/81815 , H01L2224/8183 , H01L2224/81986 , H01L2224/83192 , H01L2224/83862 , H01L2224/92125 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2924/014 , H01L2924/13091 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/20106 , H01L2924/2064 , H01L2924/00012 , H01L2224/16225 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/013
摘要： 本發明可提高半導體裝置之可靠性。 關於將Cu柱電極PLBMP與引線LD電性連接之導電性材料CM，於該導電性材料CM中，形成有包含錫與銅之合金之合金部AU。此時，合金部AU與Cu柱電極PLBMP及引線LD之兩者相接，且Cu柱電極PLBMP與引線LD經由合金部AU而相連。同樣地可知，於圖8中亦為，Cu柱電極PLBMP與引線LD利用合金部AU而電性連接。藉此，可提高Cu柱電極PLBMP與引線LD之電性連接可靠性。
简体摘要： 本发明可提高半导体设备之可靠性。 关于将Cu柱电极PLBMP与引线LD电性连接之导电性材料CM，于该导电性材料CM中，形成有包含锡与铜之合金之合金部AU。此时，合金部AU与Cu柱电极PLBMP及引线LD之两者相接，且Cu柱电极PLBMP与引线LD经由合金部AU而相连。同样地可知，于图8中亦为，Cu柱电极PLBMP与引线LD利用合金部AU而电性连接。借此，可提高Cu柱电极PLBMP与引线LD之电性连接可靠性。
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公开(公告)号：TW201535538A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：TW103143047
申请日：2014-12-10
发明人： 小野善宏 , ONO, YOSHIHIRO , 渡邉真司 , WATANABE, SHINJI , 木田剛 , KIDA, TSUYOSHI , 森健太郎 , MORI, KENTARO , 坂田賢治 , SAKATA, KENJI , 山田裕介 , YAMADA, YUSUKE
CPC分类号： H01L25/50 , H01L21/568 , H01L23/3128 , H01L23/3135 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/91 , H01L2224/13082 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/27334 , H01L2224/29015 , H01L2224/29036 , H01L2224/2919 , H01L2224/321 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73104 , H01L2224/73204 , H01L2224/743 , H01L2224/75252 , H01L2224/75303 , H01L2224/75318 , H01L2224/75745 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81815 , H01L2224/83005 , H01L2224/83203 , H01L2224/8385 , H01L2224/83862 , H01L2224/9211 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/01047 , H01L2224/81 , H01L2224/83
摘要： 本發明係一種半導體裝置之製造方法，其課題為使半導體裝置之信賴性提升。 解決手段為經由接合治具(30)而將半導體晶片(3)，搬送至配線基板(20)之晶片搭載範圍(2p1)上，直接電性連接半導體晶片(3)與配線基板(20)。將半導體晶片(3)，搭載於配線基板(20)之接合治具(30)係具備：吸附保持邏輯晶片(LC)之保持部(30HD)、按壓於半導體晶片(3)之背面(3b)的按壓部(30PR)、及密著於半導體晶片(3)之背面(3b)周緣部之密封部(30SL)。另外，密封部(30SL)之中，與半導體晶片(3)之背面(3b)的密著面的面(30b)係由樹脂加以形成者。
简体摘要： 本发明系一种半导体设备之制造方法，其课题为使半导体设备之信赖性提升。 解决手段为经由接合治具(30)而将半导体芯片(3)，搬送至配线基板(20)之芯片搭载范围(2p1)上，直接电性连接半导体芯片(3)与配线基板(20)。将半导体芯片(3)，搭载于配线基板(20)之接合治具(30)系具备：吸附保持逻辑芯片(LC)之保持部(30HD)、按压于半导体芯片(3)之背面(3b)的按压部(30PR)、及密着于半导体芯片(3)之背面(3b)周缘部之密封部(30SL)。另外，密封部(30SL)之中，与半导体芯片(3)之背面(3b)的密着面的面(30b)系由树脂加以形成者。
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公开(公告)号：TW201543631A
公开(公告)日：2015-11-16
申请号：TW104111995
申请日：2015-04-14
发明人： 渡邊真司 , WATANABE, SHINJI , 木田剛 , KIDA, TSUYOSHI , 小野善宏 , ONO, YOSHIHIRO , 森健太郎 , MORI, KENTARO , 坂田賢治 , SAKATA, KENJI , 山田裕介 , YAMADA, YUSUKE
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/488 , H01L21/58
CPC分类号： H01L23/562 , H01L23/31 , H01L23/3128 , H01L24/02 , H01L24/16 , H01L24/42 , H01L24/97 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2924/00014 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/15174 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099
摘要： 本發明一實施形態之半導體裝置係於第1半導體晶片之第1背面上搭載第2半導體晶片。又，於第1半導體晶片之上述第1背面，包含：第1區域，其形成有與上述第2半導體晶片經由突起電極而電性連接之複數個第1背面電極；及第2區域，其係較上述第1區域更靠向周緣部側，且形成有第1金屬圖案。又，上述第1金屬圖案之相對於上述第1背面之突出高度係低於上述複數個第1背面電極各者之相對於上述第1背面之突出高度。
简体摘要： 本发明一实施形态之半导体设备系于第1半导体芯片之第1背面上搭载第2半导体芯片。又，于第1半导体芯片之上述第1背面，包含：第1区域，其形成有与上述第2半导体芯片经由突起电极而电性连接之复数个第1背面电极；及第2区域，其系较上述第1区域更靠向周缘部侧，且形成有第1金属图案。又，上述第1金属图案之相对于上述第1背面之突出高度系低于上述复数个第1背面电极各者之相对于上述第1背面之突出高度。
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