公开(公告)号：TWI570828B

公开(公告)日：2017-02-11

申请号：TW104130282

申请日：2015-09-14

Applicant: 日立國際電氣股份有限公司 ,  HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.

Inventor： 大橋直史 ,  OHASHI, NAOFUMI ,  中山雅則 ,  NAKAYAMA, MASANORI ,  須田敦彥 ,  SUDA, ATSUHIKO ,  豊田一行 ,  TOYODA, KAZUYUKI ,  松井俊 ,  MATSUI, SHUN

IPC: H01L21/67 ,  G05B19/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01J37/32449 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/455 ,  C23C16/50 ,  C23C16/507 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/3266 ,  H01J37/32935 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823857 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20

公开(公告)号：TW201703170A

公开(公告)日：2017-01-16

申请号：TW104130282

申请日：2015-09-14

Applicant: 日立國際電氣股份有限公司 ,  HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.

Inventor： 大橋直史 ,  OHASHI, NAOFUMI ,  中山雅則 ,  NAKAYAMA, MASANORI ,  須田敦彥 ,  SUDA, ATSUHIKO ,  豊田一行 ,  TOYODA, KAZUYUKI ,  松井俊 ,  MATSUI, SHUN

IPC: H01L21/67 ,  G05B19/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01J37/32449 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/455 ,  C23C16/50 ,  C23C16/507 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/3266 ,  H01J37/32935 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823857 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20

Abstract: 本發明之課題在於抑制半導體裝置特性之偏差。 本發明具有：對在具有複數條配線用溝之第一絕緣膜上形成有作為金屬配線之金屬膜的基板進行研磨的研磨步驟；於研磨步驟後，於基板形成第二絕緣膜的步驟；對第二絕緣膜進行研磨的步驟；於研磨步驟後，接收第二絕緣膜之基板面內之膜厚分佈資料的步驟；根據膜厚分佈資料演算出處理資料的步驟，該處理資料係藉由調整在研磨後之第二絕緣膜上所形成第三絕緣膜的膜厚分佈，而修正由上述研磨後之第二絕緣膜與上述第三絕緣膜所形成積層絕緣膜的膜厚分佈；及根據處理資料，以使基板之中心側所生成處理氣體之活性種的濃度與基板之外周側所生成處理氣體之活性種的濃度相異之方式，使處理氣體活性化而形成第三絕緣膜，從而修正積層絕緣膜之膜厚分佈的步驟。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之课题在于抑制半导体设备特性之偏差。 本发明具有：对在具有复数条配线用沟之第一绝缘膜上形成有作为金属配线之金属膜的基板进行研磨的研磨步骤；于研磨步骤后，于基板形成第二绝缘膜的步骤；对第二绝缘膜进行研磨的步骤；于研磨步骤后，接收第二绝缘膜之基板面内之膜厚分布数据的步骤；根据膜厚分布数据演算出处理数据的步骤，该处理数据系借由调整在研磨后之第二绝缘膜上所形成第三绝缘膜的膜厚分布，而修正由上述研磨后之第二绝缘膜与上述第三绝缘膜所形成积层绝缘膜的膜厚分布；及根据处理数据，以使基板之中心侧所生成处理气体之活性种的浓度与基板之外周侧所生成处理气体之活性种的浓度相异之方式，使处理气体活性化而形成第三绝缘膜，从而修正积层绝缘膜之膜厚分布的步骤。

公开(公告)号：TW201812907A

公开(公告)日：2018-04-01

申请号：TW106119983

申请日：2017-06-15

Applicant: 日立國際電氣股份有限公司 ,  HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.

Inventor： 油谷幸則 ,  ABURATANI, YUKINORI ,  檜山真 ,  HIYAMA, SHIN ,  竹田剛 ,  TAKEDA, TSUYOSHI ,  大橋直史 ,  OHASHI, NAOFUMI

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  C23C16/52 ,  C23C16/54

CPC classification number: H01L21/02271 ,  C23C16/403 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45529 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68792

Abstract: 本發明之課題在於在重複相異處理而對膜進行處理之方法中，半導體裝置之生產性低的問題。 為了解決上述課題，本發明提供一種技術，其具有：對基板進行處理之處理容器；對上述處理容器供給氣體的氣體供給部；控制上述基板之溫度的溫度控制部；與裝置控制部，其進行控制而進行下述處理：使上述溫度控制部將上述基板維持於第一溫度，並且使上述氣體供給部對上述處理容器供給氣體，而形成第1層之處理；使上述溫度控制部將上述基板維持為與上述第一溫度相異之第二溫度，並且使上述氣體供給部對上述處理容器供給氣體，而形成與上述第一層相異之第二層之處理。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之课题在于在重复相异处理而对膜进行处理之方法中，半导体设备之生产性低的问题。 为了解决上述课题，本发明提供一种技术，其具有：对基板进行处理之处理容器；对上述处理容器供给气体的气体供给部；控制上述基板之温度的温度控制部；与设备控制部，其进行控制而进行下述处理：使上述温度控制部将上述基板维持于第一温度，并且使上述气体供给部对上述处理容器供给气体，而形成第1层之处理；使上述温度控制部将上述基板维持为与上述第一温度相异之第二温度，并且使上述气体供给部对上述处理容器供给气体，而形成与上述第一层相异之第二层之处理。

公开(公告)号：TW201701403A

公开(公告)日：2017-01-01

申请号：TW105100555

申请日：2016-01-08

Applicant: 日立國際電氣股份有限公司 ,  HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.

Inventor： 大橋直史 ,  OHASHI, NAOFUMI ,  高野智 ,  TAKANO, SATOSHI

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L21/76816 ,  C23C16/52 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76879 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20

Abstract: 本發明的課題是在於抑制半導體裝置的特性的偏差。 其解決手段是具有：對於在基板上形成有複數電路構成的基板，形成層疊絕緣膜的一部分的第一絕緣膜之工程；研磨前述第一絕緣膜之工程；測定前述第一絕緣膜的膜厚分佈之工程；及在研磨後的前述第一絕緣膜上，形成與前述膜厚分佈不同的膜厚分佈的第二絕緣膜，為前述層疊絕緣膜的一部分，補正前述層疊絕緣膜的膜厚之工程。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的课题是在于抑制半导体设备的特性的偏差。 其解决手段是具有：对于在基板上形成有复数电路构成的基板，形成层叠绝缘膜的一部分的第一绝缘膜之工程；研磨前述第一绝缘膜之工程；测定前述第一绝缘膜的膜厚分布之工程；及在研磨后的前述第一绝缘膜上，形成与前述膜厚分布不同的膜厚分布的第二绝缘膜，为前述层叠绝缘膜的一部分，补正前述层叠绝缘膜的膜厚之工程。

公开(公告)号：TW201843335A

公开(公告)日：2018-12-16

申请号：TW106121592

申请日：2017-06-28

Applicant: 日立國際電氣股份有限公司 ,  HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.

Inventor： 山本克彥 ,  YAMAMOTO, KATSUHIKO ,  大橋直史 ,  OHASHI, NAOFUMI

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  H01L21/02 ,  H01L21/033 ,  H01L21/308 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  G06Q50/04

Abstract: 本發明係隨基板處理溫度的高溫化，提高製程重現性‧安定性。 本發明係包括有：在處理室中收容著已形成遮罩之基板的步驟；對基板供應含金屬氣體的步驟；對基板供應第1含氧氣體、與第2含氧氣體或稀釋氣體的步驟；重複供應含金屬氣體之步驟、與供應第1含氧氣體之步驟的步驟；以及利用重複步驟，使第1含氧氣體的供應流量較多於第2含氧氣體或稀釋氣體的步驟。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系随基板处理温度的高温化，提高制程重现性‧安定性。 本发明系包括有：在处理室中收容着已形成遮罩之基板的步骤；对基板供应含金属气体的步骤；对基板供应第1含氧气体、与第2含氧气体或稀释气体的步骤；重复供应含金属气体之步骤、与供应第1含氧气体之步骤的步骤；以及利用重复步骤，使第1含氧气体的供应流量较多于第2含氧气体或稀释气体的步骤。

公开(公告)号：TW201802940A

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：TW106101891

申请日：2017-01-19

Applicant: 日立國際電氣股份有限公司 ,  HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.

Inventor： 八幡橘 ,  YAHATA, TAKASHI ,  高野智 ,  TAKANO, SATOSHI ,  豊田一行 ,  TOYODA, KAZUYUKI ,  大橋直史 ,  OHASHI, NAOFUMI ,  高崎唯史 ,  TAKASAKI, TADASHI

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/44 ,  C23C16/46 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52

CPC classification number: C23C16/46 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/52

Abstract: [目的] 在加熱處理晶圓的單片式裝置中，以可實現晶圓面內的膜特性的提升為目的。 若根據本發明的一形態，則可提供一種裝置，係具有：處理容器，其係處理基板；基板載置部，其係具有將基板加熱至第一溫度的第一加熱部，且具有載置基板的載置面；加熱氣體供給系，其係具有加熱惰性氣體的第二加熱部，將被加熱的前述惰性氣體供給至前述處理容器；及控制部，其係控制前述第一加熱部及前述第二加熱部，而使前述基板的表面及背面能夠成為預定的溫度範圍。

Abstract in simplified Chinese: [目的] 在加热处理晶圆的单片式设备中，以可实现晶圆面内的膜特性的提升为目的。 若根据本发明的一形态，则可提供一种设备，系具有：处理容器，其系处理基板；基板载置部，其系具有将基板加热至第一温度的第一加热部，且具有载置基板的载置面；加热气体供给系，其系具有加热惰性气体的第二加热部，将被加热的前述惰性气体供给至前述处理容器；及控制部，其系控制前述第一加热部及前述第二加热部，而使前述基板的表面及背面能够成为预定的温度范围。

公开(公告)号：TW201743407A

公开(公告)日：2017-12-16

申请号：TW105124473

申请日：2016-08-02

Applicant: 日立國際電氣股份有限公司 ,  HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.

Inventor： 大橋直史 ,  OHASHI, NAOFUMI ,  豊田一行 ,  TOYODA, KAZUYUKI ,  島本聡 ,  SHIMAMOTO, SATOSHI ,  菊池俊之 ,  KIKUCHI, TOSHIYUKI

IPC: H01L21/764 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L22/26 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/7684 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20

Abstract: 本發明的課題是提供一種在形成有氣隙(air gap)的半導體裝置中可實現良好的良品率之技術。為了解決上述課題，本發明提供一種具有下列工程的技術：接收形成有配線層的基板之中前述配線層的膜厚資訊之工程；將前述基板載置於處理室的內側所設的基板載置部之工程；及根據對應於前述配線層的膜厚資訊的蝕刻控制值來蝕刻前述配線層之工程，前述配線層係具有：第一層間絕緣膜、及形成於前述第一層間絕緣膜上，埋入有作為配線使用的複數的含銅膜之溝、及設於前述溝之間，將前述含銅膜間絕緣的配線間絕緣膜。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的课题是提供一种在形成有气隙(air gap)的半导体设备中可实现良好的良品率之技术。为了解决上述课题，本发明提供一种具有下列工程的技术：接收形成有配线层的基板之中前述配线层的膜厚信息之工程；将前述基板载置于处理室的内侧所设的基板载置部之工程；及根据对应于前述配线层的膜厚信息的蚀刻控制值来蚀刻前述配线层之工程，前述配线层系具有：第一层间绝缘膜、及形成于前述第一层间绝缘膜上，埋入有作为配线使用的复数的含铜膜之沟、及设于前述沟之间，将前述含铜膜间绝缘的配线间绝缘膜。

公开(公告)号：TWI608560B

公开(公告)日：2017-12-11

申请号：TW104143858

申请日：2015-12-25

Applicant: 日立國際電氣股份有限公司 ,  HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.

Inventor： 大橋直史 ,  OHASHI, NAOFUMI ,  菊池俊之 ,  KIKUCHI, TOSHIYUKI ,  松井俊 ,  MATSUI, SHUN ,  高崎唯史 ,  TAKASAKI, TADASHI

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/67 ,  G06F9/06

CPC classification number: H01L21/67196 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67276 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67745 ,  H01L21/67781 ,  H01L21/68707

公开(公告)号：TW201712784A

公开(公告)日：2017-04-01

申请号：TW104143858

申请日：2015-12-25

Applicant: 日立國際電氣股份有限公司 ,  HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.

Inventor： 大橋直史 ,  OHASHI, NAOFUMI ,  菊池俊之 ,  KIKUCHI, TOSHIYUKI ,  松井俊 ,  MATSUI, SHUN ,  高崎唯史 ,  TAKASAKI, TADASHI

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/67 ,  G06F9/06

CPC classification number: H01L21/67196 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67276 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67745 ,  H01L21/67781 ,  H01L21/68707

Abstract: 使具備有複數之處理室的處理裝置之生產性提昇。 係具備有：對於基板進行處理之腔；和具備有複數之腔之處理單元；和被連接有複數之處理單元之真空搬送室；和被與真空搬送室作連接之裝載鎖定室；和可將儲存有複數枚之基板的儲存容器作複數之載置之裝載埠；和被設置在裝載鎖定室和裝載埠之間，並具備有第1搬送機器人之大氣搬送室；和被設置於真空搬送室處，並在裝載鎖定室和腔之間而搬送基板之第2搬送機器人，並具備有：控制部，係以將被收容於第X個(X為自然數)的儲存容器中之最後的基板，搬送至第m個(m為自然數)之處理單元之中之不存在有基板的狀態之複數之腔之中之1個的腔中，並將被收容在第X+1個的儲存容器中之複數之基板中之最初作搬送的基板，搬送至第m+1個的處理單元之中之複數之前述腔之任一者中的方式，來對於第1搬送機器人和第2搬送機器人作控制。

Abstract in simplified Chinese: 使具备有复数之处理室的处理设备之生产性提升。 系具备有：对于基板进行处理之腔；和具备有复数之腔之处理单元；和被连接有复数之处理单元之真空搬送室；和被与真空搬送室作连接之装载锁定室；和可将存储有复数枚之基板的存储容器作复数之载置之装载端口；和被设置在装载锁定室和装载端口之间，并具备有第1搬送机器人之大气搬送室；和被设置于真空搬送室处，并在装载锁定室和腔之间而搬送基板之第2搬送机器人，并具备有：控制部，系以将被收容于第X个(X为自然数)的存储容器中之最后的基板，搬送至第m个(m为自然数)之处理单元之中之不存在有基板的状态之复数之腔之中之1个的腔中，并将被收容在第X+1个的存储容器中之复数之基板中之最初作搬送的基板，搬送至第m+1个的处理单元之中之复数之前述腔之任一者中的方式，来对于第1搬送机器人和第2搬送机器人作控制。

公开(公告)号：TWI567221B

公开(公告)日：2017-01-21

申请号：TW103145188

申请日：2014-12-24

Applicant: 日立國際電氣股份有限公司 ,  HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.

Inventor： 大橋直史 ,  OHASHI, NAOFUMI

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L21/02274 ,  C23C16/34 ,  C23C16/44 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/46 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/02334 ,  H01L21/285 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843