公开(公告)号：TW201734254A

公开(公告)日：2017-10-01

申请号：TW105120570

申请日：2016-06-29

Applicant: 日立國際電氣股份有限公司 ,  HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.

Inventor： 八幡橘 ,  YAHATA, TAKASHI ,  高野智 ,  TAKANO, SATOSHI ,  豊田一行 ,  TOYODA, KAZUYUKI ,  松井俊 ,  MATSUI, SHUN

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/46 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4405 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/46 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32513 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/32743 ,  H01J37/32788 ,  H01J37/32862 ,  H01J37/32899 ,  H01J2237/334 ,  H01J2237/335 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0228

Abstract: 本課題是隨著基板處理溫度的高溫化提高製程的再現性．安定性。其解決手段係具有：處理室，其係處理基板；第1加熱部，其係設在載置基板的基板載置台，加熱基板和處理室；移載室，其係設有將基板移載至處理室的基板載置台；間隔部，其係隔開處理室與移載室；第2加熱部，其係設在比移載室的間隔部更下方側；處理氣體供給部，其係對處理室供給處理氣體；第1洗滌氣體供給部，其係對處理室供給洗滌氣體；第2洗滌氣體供給部，其係對移載室供給洗滌氣體；及控制部，其係控制第1加熱部、第2加熱部、第1洗滌氣體供給部及第2洗滌氣體供給部。

Abstract in simplified Chinese: 本课题是随着基板处理温度的高温化提高制程的再现性．安定性。其解决手段系具有：处理室，其系处理基板；第1加热部，其系设在载置基板的基板载置台，加热基板和处理室；移载室，其系设有将基板移载至处理室的基板载置台；间隔部，其系隔开处理室与移载室；第2加热部，其系设在比移载室的间隔部更下方侧；处理气体供给部，其系对处理室供给处理气体；第1洗涤气体供给部，其系对处理室供给洗涤气体；第2洗涤气体供给部，其系对移载室供给洗涤气体；及控制部，其系控制第1加热部、第2加热部、第1洗涤气体供给部及第2洗涤气体供给部。

公开(公告)号：TW201705184A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：TW104137018

申请日：2015-11-10

Applicant: 日立國際電氣股份有限公司 ,  HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.

Inventor： 山本哲夫 ,  YAMAMOTO, TETSUO ,  豊田一行 ,  TOYODA, KAZUYUKI ,  松井俊 ,  MATSUI, SHUN

IPC: H01J37/32 ,  C23C16/50 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: C23C16/455 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45538 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/505 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3211

Abstract: 本發明係一種基板處理裝置及半導體裝置之製造方法，其課題為提供：使用電漿而形成高品質的膜之技術。 解決手段為在具有：內包加以載置基板之基板載置台的處理室，和將供給至處理室內之氣體作為電漿狀態之電漿生成部的基板處理裝置中，電漿生成部係具有呈圍繞成為供給至處理室內之氣體的流路之電漿生成室地加以配置之電漿產生導體，而電漿產生導體係具有：沿著在電漿生成室內之氣體的主流方向而延伸之複數的主導體部，和電性連接主導體部彼此之連接導體部。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系一种基板处理设备及半导体设备之制造方法，其课题为提供：使用等离子而形成高品质的膜之技术。 解决手段为在具有：内包加以载置基板之基板载置台的处理室，和将供给至处理室内之气体作为等离子状态之等离子生成部的基板处理设备中，等离子生成部系具有呈围绕成为供给至处理室内之气体的流路之等离子生成室地加以配置之等离子产生导体，而等离子产生导体系具有：沿着在等离子生成室内之气体的主流方向而延伸之复数的主导体部，和电性连接主导体部彼此之连接导体部。

公开(公告)号：TWI570828B

公开(公告)日：2017-02-11

申请号：TW104130282

申请日：2015-09-14

Applicant: 日立國際電氣股份有限公司 ,  HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.

Inventor： 大橋直史 ,  OHASHI, NAOFUMI ,  中山雅則 ,  NAKAYAMA, MASANORI ,  須田敦彥 ,  SUDA, ATSUHIKO ,  豊田一行 ,  TOYODA, KAZUYUKI ,  松井俊 ,  MATSUI, SHUN

IPC: H01L21/67 ,  G05B19/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01J37/32449 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/455 ,  C23C16/50 ,  C23C16/507 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/3266 ,  H01J37/32935 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823857 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20

公开(公告)号：TW201703170A

公开(公告)日：2017-01-16

申请号：TW104130282

申请日：2015-09-14

Applicant: 日立國際電氣股份有限公司 ,  HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.

Inventor： 大橋直史 ,  OHASHI, NAOFUMI ,  中山雅則 ,  NAKAYAMA, MASANORI ,  須田敦彥 ,  SUDA, ATSUHIKO ,  豊田一行 ,  TOYODA, KAZUYUKI ,  松井俊 ,  MATSUI, SHUN

IPC: H01L21/67 ,  G05B19/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01J37/32449 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/455 ,  C23C16/50 ,  C23C16/507 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/3266 ,  H01J37/32935 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823857 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20

Abstract: 本發明之課題在於抑制半導體裝置特性之偏差。 本發明具有：對在具有複數條配線用溝之第一絕緣膜上形成有作為金屬配線之金屬膜的基板進行研磨的研磨步驟；於研磨步驟後，於基板形成第二絕緣膜的步驟；對第二絕緣膜進行研磨的步驟；於研磨步驟後，接收第二絕緣膜之基板面內之膜厚分佈資料的步驟；根據膜厚分佈資料演算出處理資料的步驟，該處理資料係藉由調整在研磨後之第二絕緣膜上所形成第三絕緣膜的膜厚分佈，而修正由上述研磨後之第二絕緣膜與上述第三絕緣膜所形成積層絕緣膜的膜厚分佈；及根據處理資料，以使基板之中心側所生成處理氣體之活性種的濃度與基板之外周側所生成處理氣體之活性種的濃度相異之方式，使處理氣體活性化而形成第三絕緣膜，從而修正積層絕緣膜之膜厚分佈的步驟。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之课题在于抑制半导体设备特性之偏差。 本发明具有：对在具有复数条配线用沟之第一绝缘膜上形成有作为金属配线之金属膜的基板进行研磨的研磨步骤；于研磨步骤后，于基板形成第二绝缘膜的步骤；对第二绝缘膜进行研磨的步骤；于研磨步骤后，接收第二绝缘膜之基板面内之膜厚分布数据的步骤；根据膜厚分布数据演算出处理数据的步骤，该处理数据系借由调整在研磨后之第二绝缘膜上所形成第三绝缘膜的膜厚分布，而修正由上述研磨后之第二绝缘膜与上述第三绝缘膜所形成积层绝缘膜的膜厚分布；及根据处理数据，以使基板之中心侧所生成处理气体之活性种的浓度与基板之外周侧所生成处理气体之活性种的浓度相异之方式，使处理气体活性化而形成第三绝缘膜，从而修正积层绝缘膜之膜厚分布的步骤。

公开(公告)号：TW201608610A

公开(公告)日：2016-03-01

申请号：TW103132605

申请日：2014-09-22

Applicant: 日立國際電氣股份有限公司 ,  HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.

Inventor： 豐田一行 ,  TOYODA, KAZUYUKI ,  松井俊 ,  MATSUI, SHUN

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/0262 ,  C23C16/345 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/507 ,  C23C16/52 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32697 ,  H01J37/32926 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68792

Abstract: 本發明之課題在於，使形成於基板上之膜厚或膜的特性於基板面內相異，且提升製造產能。 本發明之解決手段為具有：收容基板之處理室；由上述基板上方供給第一處理氣體的第一處理氣體供給部；由上述基板上方供給第一反應氣體的第一反應氣體供給部；由上述基板側方供給第二處理氣體的第二處理氣體供給部；由上述基板側方供給第二反應氣體的第二反應氣體供給部；與控制部，其構成為依下述方式控制上述第一處理氣體供給部與上述第二處理氣體供給部與上述第一反應氣體供給部與上述第二反應氣體供給部：具有對上述基板供給上述第一處理氣體與上述第二處理氣體的處理氣體供給步驟、對上述基板供給上述第一反應氣體與上述第二反應氣體的反應氣體供給步驟中、與將上述處理氣體供給步驟與上述反應氣體供給步驟進行1次以上的步驟；於上述處理氣體供給步驟與上述反應氣體供給步驟之任一者或兩者的步驟，使供給至上述基板中心側的處理氣體供給量與供給至上述基板外周側的處理氣體供給量相異，或使供給至上述基板中心側的反應氣體供給量與供給至上述基板外周側的反應氣體供給量相異。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之课题在于，使形成于基板上之膜厚或膜的特性于基板面内相异，且提升制造产能。 本发明之解决手段为具有：收容基板之处理室；由上述基板上方供给第一处理气体的第一处理气体供给部；由上述基板上方供给第一反应气体的第一反应气体供给部；由上述基板侧方供给第二处理气体的第二处理气体供给部；由上述基板侧方供给第二反应气体的第二反应气体供给部；与控制部，其构成为依下述方式控制上述第一处理气体供给部与上述第二处理气体供给部与上述第一反应气体供给部与上述第二反应气体供给部：具有对上述基板供给上述第一处理气体与上述第二处理气体的处理气体供给步骤、对上述基板供给上述第一反应气体与上述第二反应气体的反应气体供给步骤中、与将上述处理气体供给步骤与上述反应气体供给步骤进行1次以上的步骤；于上述处理气体供给步骤与上述反应气体供给步骤之任一者或两者的步骤，使供给至上述基板中心侧的处理气体供给量与供给至上述基板外周侧的处理气体供给量相异，或使供给至上述基板中心侧的反应气体供给量与供给至上述基板外周侧的反应气体供给量相异。

公开(公告)号：TWI605151B

公开(公告)日：2017-11-11

申请号：TW104124717

申请日：2015-07-30

Applicant: 日立國際電氣股份有限公司 ,  HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.

Inventor： 松井俊 ,  MATSUI, SHUN ,  盛滿和廣 ,  MORIMITSU, KAZUHIRO ,  豐田一行 ,  TOYODA, KAZUYUKI

IPC: C23C16/46 ,  C23C16/52 ,  G05D23/00

CPC classification number: C23C16/4412 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/4409 ,  C23C16/45582 ,  C23C16/4585

公开(公告)号：TW201707080A

公开(公告)日：2017-02-16

申请号：TW105124982

申请日：2016-08-05

Applicant: 日立國際電氣股份有限公司 ,  HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.

Inventor： 中山雅則 ,  NAKAYAMA, MASANORI ,  菊池俊之 ,  KIKUCHI, TOSHIYUKI ,  須田敦彦 ,  SUDA, ATSUHIKO ,  豊田一行 ,  TOYODA, KAZUYUKI ,  松井俊 ,  MATSUI, SHUN

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/463

CPC classification number: H01L22/20 ,  C23C16/0254 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45502 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/507 ,  C23C16/52 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/68742 ,  H01L22/12

Abstract: 本發明係一種半導體裝置之製造方法，程式，記錄媒體及基板處理系統，其課題為抑制半導體裝置之特性的不均。 解決手段為具有：研磨具有凸構造而加以形成第一矽含有層的基板之工程，和取得施以研磨之後之第一矽含有層之面內的膜厚分布資料之工程，和依據膜厚分布資料，決定使基板的中心側之膜厚與在基板之外周側的膜厚的差縮小之處理條件的工程，和供給處理氣體而形成第二矽含有層之同時，依據處理條件，在基板之中心側的處理氣體的活性種之濃度與在基板之外周側的處理氣體的活性種之濃度則呈不同地使處理氣體活性化，而修正第一矽含有層與第二矽含有層之層積膜之膜厚的工程者。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系一种半导体设备之制造方法，进程，记录媒体及基板处理系统，其课题为抑制半导体设备之特性的不均。 解决手段为具有：研磨具有凸构造而加以形成第一硅含有层的基板之工程，和取得施以研磨之后之第一硅含有层之面内的膜厚分布数据之工程，和依据膜厚分布数据，决定使基板的中心侧之膜厚与在基板之外周侧的膜厚的差缩小之处理条件的工程，和供给处理气体而形成第二硅含有层之同时，依据处理条件，在基板之中心侧的处理气体的活性种之浓度与在基板之外周侧的处理气体的活性种之浓度则呈不同地使处理气体活性化，而修正第一硅含有层与第二硅含有层之层积膜之膜厚的工程者。

公开(公告)号：TW201705332A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：TW105105842

申请日：2016-02-26

Applicant: 日立國際電氣股份有限公司 ,  HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.

Inventor： 大橋直史 ,  OHASHI, NAOFUMI ,  豊田一行 ,  TOYODA, KAZUYUKI ,  松井俊 ,  MATSUI, SHUN

IPC: H01L21/67 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/68771 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32568 ,  H01L21/68764

Abstract: 本發明係一種基板處理裝置及電漿生成機構，其設成為了抑制形成在基板上的膜之面內均勻性的降低，能夠對處理區域中的電漿分佈進行部分調整。基板處理裝置具備如下構成，其具備：基板載置部，基板被載置於其上；分割構造體，在與基板載置部相對向的空間形成處理區域；氣體供給部，將處理氣體供給於分割構造體所形成的處理區域；電漿生成部，將氣體供給部對處理區域進行供給的處理氣體設為電漿狀態並生成處理氣體之活性種，並且設為電漿狀態時按處理區域之各部分獨立控制活性種之活性度。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系一种基板处理设备及等离子生成机构，其设成为了抑制形成在基板上的膜之面内均匀性的降低，能够对处理区域中的等离子分布进行部分调整。基板处理设备具备如下构成，其具备：基板载置部，基板被载置于其上；分割构造体，在与基板载置部相对向的空间形成处理区域；气体供给部，将处理气体供给于分割构造体所形成的处理区域；等离子生成部，将气体供给部对处理区域进行供给的处理气体设为等离子状态并生成处理气体之活性种，并且设为等离子状态时按处理区域之各部分独立控制活性种之活性度。

公开(公告)号：TWI559375B

公开(公告)日：2016-11-21

申请号：TW103132605

申请日：2014-09-22

Applicant: 日立國際電氣股份有限公司 ,  HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.

Inventor： 豐田一行 ,  TOYODA, KAZUYUKI ,  松井俊 ,  MATSUI, SHUN

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/0262 ,  C23C16/345 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/507 ,  C23C16/52 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32697 ,  H01J37/32926 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68792

公开(公告)号：TW201629261A

公开(公告)日：2016-08-16

申请号：TW104124717

申请日：2015-07-30

Applicant: 日立國際電氣股份有限公司 ,  HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.

Inventor： 松井俊 ,  MATSUI, SHUN ,  盛滿和廣 ,  MORIMITSU, KAZUHIRO ,  豐田一行 ,  TOYODA, KAZUYUKI

IPC: C23C16/46 ,  C23C16/52 ,  G05D23/00

CPC classification number: C23C16/4412 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/4409 ,  C23C16/45582 ,  C23C16/4585

Abstract: 本發明之課題在於抑制基板之溫度分佈不均、處理均勻性降低。 本發明之解決手段係具有：對基板進行處理之處理室；設於處理室內，載置基板的基板載置台；對基板進行加熱之加熱部；對基板供給處理氣體之氣體整流部；設於氣體整流部之密封部；設於密封部與氣體整流部之上游側表面之間的斷熱部；與連接於斷熱部的第一壓力調整部。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之课题在于抑制基板之温度分布不均、处理均匀性降低。 本发明之解决手段系具有：对基板进行处理之处理室；设于处理室内，载置基板的基板载置台；对基板进行加热之加热部；对基板供给处理气体之气体整流部；设于气体整流部之密封部；设于密封部与气体整流部之上游侧表面之间的断热部；与连接于断热部的第一压力调整部。