公开(公告)号：TW201743384A

公开(公告)日：2017-12-16

申请号：TW106104872

申请日：2017-02-15

申请人： 格羅方德半導體公司 ,  GLOBALFOUNDRIES US INC.

发明人： 格拉夫 理查S ,  GRAF, RICHARD S. ,  曼杜 撒帝 ,  MANDAL, SUNDEEP ,  霍爾斯福德 奇比 ,  HORSFORD, KIRBY

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/495

CPC分类号： H01L23/49575 ,  H01L21/486 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49579 ,  H01L23/49586 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49861 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/11 ,  H01L24/14 ,  H01L24/19 ,  H01L24/96 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/24175 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1094 ,  H01L2924/15311

摘要： 提供一種使用嵌埋式導線架條製造晶圓級封裝之方法及其產生的裝置。具體實施例包括將晶粒置放到模具內並使各晶粒之主動側面向該模具之表面；將導線架條置放於該模具上，其中該導線架條包括安置於各晶粒間的已蝕刻部分及半蝕刻部分；將模具蓋置放於該模具及晶粒上方；以及在介於該等晶粒與模具蓋之間的空間中添加成型化合物。

简体摘要： 提供一种使用嵌埋式导线架条制造晶圆级封装之方法及其产生的设备。具体实施例包括将晶粒置放到模具内并使各晶粒之主动侧面向该模具之表面；将导线架条置放于该模具上，其中该导线架条包括安置于各晶粒间的已蚀刻部分及半蚀刻部分；将模具盖置放于该模具及晶粒上方；以及在介于该等晶粒与模具盖之间的空间中添加成型化合物。

公开(公告)号：TW201705410A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：TW105116601

申请日：2016-05-27

申请人： 格羅方德半導體公司 ,  GLOBALFOUNDRIES US INC.

发明人： 格拉夫 理查S ,  GRAF, RICHARD S. ,  霍爾斯福德 奇比B ,  HORSFORD, KIRBY B. ,  曼杜 撒帝 ,  MANDAL, SUDEEP

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03828 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13084 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13171 ,  H01L2224/1329 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/13344 ,  H01L2224/13347 ,  H01L2224/13355 ,  H01L2224/1339 ,  H01L2224/13444 ,  H01L2224/13455 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/381 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/023 ,  H01L2224/03

摘要： 本發明為有關整合型傳導聚合物焊球結構及形成此類整合型傳導聚合物焊球結構的方法。該整合型傳導聚合物焊球結構包括：濺鍍晶種層，塗敷至晶圓結構；一或多個傳導聚合物接墊結構，塗敷至在該晶圓結構上將會形成一或多個焊球結構的位置的該已濺鍍晶種層；電鍍層，塗敷至該一或多個傳導聚合物接墊結構的已曝露光阻層的部分；以及焊球，形成在各該電鍍層上，從而形成該一或多個焊球結構。

简体摘要： 本发明为有关集成型传导聚合物焊球结构及形成此类集成型传导聚合物焊球结构的方法。该集成型传导聚合物焊球结构包括：溅镀晶种层，涂敷至晶圆结构；一或多个传导聚合物接垫结构，涂敷至在该晶圆结构上将会形成一或多个焊球结构的位置的该已溅镀晶种层；电镀层，涂敷至该一或多个传导聚合物接垫结构的已曝露光阻层的部分；以及焊球，形成在各该电镀层上，从而形成该一或多个焊球结构。

公开(公告)号：TWI641058B

公开(公告)日：2018-11-11

申请号：TW106104872

申请日：2017-02-15

申请人： 格羅方德半導體公司 ,  GLOBALFOUNDRIES US INC.

发明人： 格拉夫 理查S ,  GRAF, RICHARD S. ,  曼杜 撒帝 ,  MANDAL, SUNDEEP ,  霍爾斯福德 奇比 ,  HORSFORD, KIRBY

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/495

公开(公告)号：TWI636535B

公开(公告)日：2018-09-21

申请号：TW105103477

申请日：2016-02-03

申请人： 格羅方德半導體公司 ,  GLOBALFOUNDRIES US INC.

发明人： 卡比諾 傑佛瑞P ,  GAMBINO, JEFFREY P. ,  格拉夫 理查S ,  GRAF, RICHARD S. ,  曼杜 撒帝 ,  MANDAL, SUDEEP ,  羅素 大衛J ,  RUSSELL, DAVID J.

IPC分类号： H01L23/38

公开(公告)号：TW201809706A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：TW106112180

申请日：2017-04-12

申请人： 格羅方德半導體公司 ,  GLOBALFOUNDRIES US INC.

发明人： 格拉夫 理查S ,  GRAF, RICHARD S. ,  賀爾 伊拉 D B ,  HALL, EZRA D.B. ,  帕克巴茲 法瑞登 ,  PAKBAZ, FARAYDON ,  凡托尼 沙巴斯欽T ,  VENTRONE, SEBASTIAN T.

IPC分类号： G01R31/28 ,  H01L23/495

CPC分类号： H01L23/573 ,  G01R31/2853 ,  G01R31/2896 ,  G01R31/44 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49861 ,  H01L23/50 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

摘要： 本發明揭示具有改進防篡改的晶片封裝件以及使用此類晶片封裝件來提供改進防篡改的方法。導線架包括晶片附著座、外引腳，以及位於該外引腳與該晶片附著座之間的內引腳。晶片附著至該晶片附著座。該晶片包括表面，該表面具有外邊界以及鄰近該外邊界佈置的接合墊。第一多條線自該外引腳延伸至該晶片的該表面上的相應位置，該些位置相對該接合墊在該外邊界的內部。篡改檢測電路與該第一多條線耦接。第二多條線自該內引腳延伸至該晶片上的該接合墊。該第二多條線位於該導線架與該第一多條線之間。

简体摘要： 本发明揭示具有改进防篡改的芯片封装件以及使用此类芯片封装件来提供改进防篡改的方法。导线架包括芯片附着座、外引脚，以及位于该外引脚与该芯片附着座之间的内引脚。芯片附着至该芯片附着座。该芯片包括表面，该表面具有外边界以及邻近该外边界布置的接合垫。第一多条线自该外引脚延伸至该芯片的该表面上的相应位置，该些位置相对该接合垫在该外边界的内部。篡改检测电路与该第一多条线耦接。第二多条线自该内引脚延伸至该芯片上的该接合垫。该第二多条线位于该导线架与该第一多条线之间。

公开(公告)号：TW201715669A

公开(公告)日：2017-05-01

申请号：TW105103477

申请日：2016-02-03

申请人： 格羅方德半導體公司 ,  GLOBALFOUNDRIES US INC.

发明人： 卡比諾 傑佛瑞P ,  GAMBINO, JEFFREY P. ,  格拉夫 理查S ,  GRAF, RICHARD S. ,  曼杜 撒帝 ,  MANDAL, SUDEEP ,  羅素 大衛J ,  RUSSELL, DAVID J.

IPC分类号： H01L23/38

CPC分类号： H05K7/2039 ,  H01L23/13 ,  H01L23/15 ,  H01L23/38 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L35/34 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H05K1/0306 ,  H05K2201/10219 ,  H05K2201/10378 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

摘要： 本發明涉及具有嵌埋式熱電裝置的玻璃中介層。大體上是關於積體電路晶片封裝，並且更具體地說，乃關於在導電通孔旁邊形成具有一或多個嵌埋式帕耳帖裝置的玻璃中介層的結構及方法，用以有助於使熱量從多維晶片封裝中的一或多個積體電路晶片通過玻璃中介層散逸並進入有機載體，其中熱量可散逸到下層基板。

简体摘要： 本发明涉及具有嵌埋式热电设备的玻璃中介层。大体上是关于集成电路芯片封装，并且更具体地说，乃关于在导电通孔旁边形成具有一或多个嵌埋式帕耳帖设备的玻璃中介层的结构及方法，用以有助于使热量从多维芯片封装中的一或多个集成电路芯片通过玻璃中介层散逸并进入有机载体，其中热量可散逸到下层基板。

公开(公告)号：TWI664544B

公开(公告)日：2019-07-01

申请号：TW106105269

申请日：2017-02-17

申请人： 格羅方德半導體公司 ,  GLOBALFOUNDRIES US INC.

发明人： 卡比諾 傑佛瑞P ,  GAMBINO, JEFFREY P. ,  格拉夫 理查S ,  GRAF, RICHARD S. ,  曼杜 撒帝 ,  MANDAL, SUNDEEP

IPC分类号： G06F17/50 ,  H01L21/768

公开(公告)号：TWI627719B

公开(公告)日：2018-06-21

申请号：TW105116601

申请日：2016-05-27

申请人： 格羅方德半導體公司 ,  GLOBALFOUNDRIES US INC.

发明人： 格拉夫 理查S ,  GRAF, RICHARD S. ,  霍爾斯福德 奇比B ,  HORSFORD, KIRBY B. ,  曼杜 撒帝 ,  MANDAL, SUDEEP

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/31

公开(公告)号：TW201737133A

公开(公告)日：2017-10-16

申请号：TW106105269

申请日：2017-02-17

申请人： 格羅方德半導體公司 ,  GLOBALFOUNDRIES US INC.

发明人： 卡比諾 傑佛瑞P ,  GAMBINO, JEFFREY P. ,  格拉夫 理查S ,  GRAF, RICHARD S. ,  曼杜 撒帝 ,  MANDAL, SUNDEEP

IPC分类号： G06F17/50 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/3677 ,  G06F17/505 ,  G06F17/5077 ,  G06F2217/80 ,  H01L27/0207

摘要： 本發明涉及用以在積體電路中整合熱通孔結構的技術，其中一種積體電路設計技術包括在積體電路(IC)設計的襯底的第一表面上設置標準單元。在該第一表面上定位至少兩個空置區域，該空置區域不包括標準單元。確定可設置於該至少兩個空置區域中的一個或多個微填充通孔的高寬比。在該至少兩個空置區域中設置該一個或多個微填充通孔。最後，自與該第一表面相對的該積體電路的第二表面設置一個或多個部分熱通孔，以將該一個或多個部分熱通孔與該一個或多個微填充通孔熱耦接，從而創建自該第一表面至該第二表面的熱路徑。

简体摘要： 本发明涉及用以在集成电路中集成热通孔结构的技术，其中一种集成电路设计技术包括在集成电路(IC)设计的衬底的第一表面上设置标准单元。在该第一表面上定位至少两个空置区域，该空置区域不包括标准单元。确定可设置于该至少两个空置区域中的一个或多个微填充通孔的高宽比。在该至少两个空置区域中设置该一个或多个微填充通孔。最后，自与该第一表面相对的该集成电路的第二表面设置一个或多个部分热通孔，以将该一个或多个部分热通孔与该一个或多个微填充通孔热耦接，从而创建自该第一表面至该第二表面的热路径。