在積體電路中用於整合熱通孔結構之技術
    6.
    发明专利
    在積體電路中用於整合熱通孔結構之技術 审中-公开
    在集成电路中用于集成热通孔结构之技术

    公开(公告)号:TW201737133A

    公开(公告)日:2017-10-16

    申请号:TW106105269

    申请日:2017-02-17

    Abstract: 本發明涉及用以在積體電路中整合熱通孔結構的技術,其中一種積體電路設計技術包括在積體電路(IC)設計的襯底的第一表面上設置標準單元。在該第一表面上定位至少兩個空置區域,該空置區域不包括標準單元。確定可設置於該至少兩個空置區域中的一個或多個微填充通孔的高寬比。在該至少兩個空置區域中設置該一個或多個微填充通孔。最後,自與該第一表面相對的該積體電路的第二表面設置一個或多個部分熱通孔,以將該一個或多個部分熱通孔與該一個或多個微填充通孔熱耦接,從而創建自該第一表面至該第二表面的熱路徑。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明涉及用以在集成电路中集成热通孔结构的技术,其中一种集成电路设计技术包括在集成电路(IC)设计的衬底的第一表面上设置标准单元。在该第一表面上定位至少两个空置区域,该空置区域不包括标准单元。确定可设置于该至少两个空置区域中的一个或多个微填充通孔的高宽比。在该至少两个空置区域中设置该一个或多个微填充通孔。最后,自与该第一表面相对的该集成电路的第二表面设置一个或多个部分热通孔,以将该一个或多个部分热通孔与该一个或多个微填充通孔热耦接,从而创建自该第一表面至该第二表面的热路径。

    在3D積體電路中共享之矽穿孔
    10.
    发明专利
    在3D積體電路中共享之矽穿孔 审中-公开
    在3D集成电路中共享之硅穿孔

    公开(公告)号:TW201803072A

    公开(公告)日:2018-01-16

    申请号:TW105126732

    申请日:2016-08-22

    Abstract: 本揭示內容大體有關於半導體結構,且更特別的是,有關於在3D-IC積體結構中共享之智慧矽穿孔及其製法。該結構包括:複數個堆疊晶粒,其各自包含至少一個巨集裝置;以及層結構,其位在該複數個堆疊晶粒之間且包含一控件,該控件經結構化成在該複數個堆疊晶粒中之第一堆疊晶粒的該至少一個巨集裝置與第二堆疊晶粒的該至少一個巨集裝置之間路由訊號。

    Abstract in simplified Chinese: 本揭示内容大体有关于半导体结构,且更特别的是,有关于在3D-IC积体结构中共享之智能硅穿孔及其制法。该结构包括:复数个堆栈晶粒,其各自包含至少一个宏设备;以及层结构,其位在该复数个堆栈晶粒之间且包含一控件,该控件经结构化成在该复数个堆栈晶粒中之第一堆栈晶粒的该至少一个宏设备与第二堆栈晶粒的该至少一个宏设备之间路由信号。

Patent Agency Ranking