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公开(公告)号：TW201705410A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW105116601
申请日：2016-05-27
申请人： 格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人： 格拉夫 理查S , GRAF, RICHARD S. , 霍爾斯福德 奇比B , HORSFORD, KIRBY B. , 曼杜 撒帝 , MANDAL, SUDEEP
IPC分类号： H01L23/488 , H01L23/31
CPC分类号： H01L24/13 , H01L23/3114 , H01L23/3192 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/94 , H01L2224/0345 , H01L2224/0347 , H01L2224/0361 , H01L2224/03828 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05073 , H01L2224/05082 , H01L2224/05166 , H01L2224/05171 , H01L2224/05184 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05671 , H01L2224/1132 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/11849 , H01L2224/119 , H01L2224/13083 , H01L2224/13084 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13166 , H01L2224/13171 , H01L2224/1329 , H01L2224/13339 , H01L2224/13344 , H01L2224/13347 , H01L2224/13355 , H01L2224/1339 , H01L2224/13444 , H01L2224/13455 , H01L2224/94 , H01L2924/00015 , H01L2924/381 , H01L2224/11 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01023 , H01L2924/01074 , H01L2224/11334 , H01L2224/023 , H01L2224/03
摘要： 本發明為有關整合型傳導聚合物焊球結構及形成此類整合型傳導聚合物焊球結構的方法。該整合型傳導聚合物焊球結構包括：濺鍍晶種層，塗敷至晶圓結構；一或多個傳導聚合物接墊結構，塗敷至在該晶圓結構上將會形成一或多個焊球結構的位置的該已濺鍍晶種層；電鍍層，塗敷至該一或多個傳導聚合物接墊結構的已曝露光阻層的部分；以及焊球，形成在各該電鍍層上，從而形成該一或多個焊球結構。
简体摘要： 本发明为有关集成型传导聚合物焊球结构及形成此类集成型传导聚合物焊球结构的方法。该集成型传导聚合物焊球结构包括：溅镀晶种层，涂敷至晶圆结构；一或多个传导聚合物接垫结构，涂敷至在该晶圆结构上将会形成一或多个焊球结构的位置的该已溅镀晶种层；电镀层，涂敷至该一或多个传导聚合物接垫结构的已曝露光阻层的部分；以及焊球，形成在各该电镀层上，从而形成该一或多个焊球结构。
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公开(公告)号：TW201611198A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：TW104111292
申请日：2015-04-08
申请人： 阿爾發金屬公司 , ALPHA METALS, INC.
发明人： 戈夏爾夏密克 , GHOSHAL, SHAMIK , 恰奇尼馬雅庫瑪 , CHAKI, NIRMALYA KUMAR , 羅伊寶拉米希谷帕塔 , ROY, POULAMI SENGUPTA , 沙卡蘇利 , SARKAR, SIULI , 魯斯托基安紐布哈弗 , RUSTOGI, ANUBHAV
CPC分类号： H01L24/29 , B22F1/0003 , B22F1/0014 , B22F1/0074 , B22F1/025 , B22F7/04 , B22F2007/047 , B22F2301/255 , B22F2302/45 , B23K1/0016 , B23K35/025 , B23K35/3006 , B23K35/3601 , B23K35/3613 , B23K35/3618 , B23K35/365 , B23K2201/40 , B23K2203/56 , H01B1/22 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L25/50 , H01L51/5246 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/05155 , H01L2224/05644 , H01L2224/11003 , H01L2224/1132 , H01L2224/11334 , H01L2224/131 , H01L2224/13339 , H01L2224/13347 , H01L2224/13355 , H01L2224/13387 , H01L2224/1339 , H01L2224/13439 , H01L2224/1349 , H01L2224/13499 , H01L2224/16227 , H01L2224/27003 , H01L2224/271 , H01L2224/27332 , H01L2224/27436 , H01L2224/27505 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/29387 , H01L2224/2939 , H01L2224/29439 , H01L2224/2949 , H01L2224/29499 , H01L2224/32145 , H01L2224/32146 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/81075 , H01L2224/81192 , H01L2224/81203 , H01L2224/8121 , H01L2224/8184 , H01L2224/81948 , H01L2224/83075 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83203 , H01L2224/8321 , H01L2224/83439 , H01L2224/83447 , H01L2224/8384 , H01L2224/83948 , H01L2224/92247 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/0665 , H01L2924/12041 , H01L2924/12044 , H01L2924/1461 , H01L2924/20102 , H01L2924/20103 , H01L2924/20104 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/206 , H01L2924/2064 , H05K3/321 , H01L2924/00012 , H01L2224/83 , H01L2924/0105 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/01028 , H01L2924/0103 , H01L2924/0493 , H01L2924/01004 , H01L2224/27 , H01L2924/01074 , H01L2224/81 , H01L2224/11436 , H01L2224/11 , H01L2224/45099 , H01L2924/00
摘要： 一種燒結粉末，包含：平均最長尺寸從100nm至50μm的第一類型金屬顆粒。
简体摘要： 一种烧结粉末，包含：平均最长尺寸从100nm至50μm的第一类型金属颗粒。
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3.发明专利具有細微間距之電氣互連部的半導體晶粒 SEMICONDUCTOR DIE HAVING FINE PITCH ELECTRICAL INTERCONNECTS 审中-公开具有细微间距之电气互连部的半导体晶粒 SEMICONDUCTOR DIE HAVING FINE PITCH ELECTRICAL INTERCONNECTS
公开(公告)号：TW201232732A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：TW100135584
申请日：2011-09-30
申请人： 垂直迴路股份有限公司
发明人： 巴利 凱西 , 潘格爾 蘇澤特 , 維拉芬森席歐 格蘭特 , 李爾 傑佛瑞
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L24/83 , H01L23/293 , H01L23/3185 , H01L24/05 , H01L24/24 , H01L24/25 , H01L24/82 , H01L25/0657 , H01L2224/0345 , H01L2224/0346 , H01L2224/038 , H01L2224/0381 , H01L2224/0401 , H01L2224/05022 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05567 , H01L2224/05573 , H01L2224/05644 , H01L2224/05664 , H01L2224/1131 , H01L2224/11848 , H01L2224/13017 , H01L2224/1329 , H01L2224/133 , H01L2224/13311 , H01L2224/13313 , H01L2224/13347 , H01L2224/16145 , H01L2224/24051 , H01L2224/24105 , H01L2224/24146 , H01L2224/24226 , H01L2224/244 , H01L2224/245 , H01L2224/24992 , H01L2224/24997 , H01L2224/25175 , H01L2224/2919 , H01L2224/82009 , H01L2224/82039 , H01L2224/82101 , H01L2224/831 , H01L2225/06524 , H01L2225/06562 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01327 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/0665 , H01L2924/00012 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
摘要： 晶粒在靠近互連邊緣之互連側上具有互連墊,且具有該互連側的至少一部分被保形介電質塗層所覆蓋,其中,在該介電質塗層上之互連跡線係與該介電質塗層之表面形成一高介面角。由於該跡線具有高介面角,因此可以減緩互連材料橫向「滲漏」之趨勢且可避免相鄰跡線之接觸或重疊。該互連跡線包括可固化導電性互連材料;亦即,其包括能以可流動形式施加之材料,且之後固化或令其固化以形成導電跡線。再者,一種方法包括在形成跡線之前使該保形介電質塗層之表面受到CF4電漿處理。
简体摘要： 晶粒在靠近互连边缘之互连侧上具有互连垫,且具有该互连侧的至少一部分被保形介电质涂层所覆盖,其中,在该介电质涂层上之互连迹线系与该介电质涂层之表面形成一高界面角。由于该迹线具有高界面角,因此可以减缓互连材料横向“渗漏”之趋势且可避免相邻迹线之接触或重叠。该互连迹线包括可固化导电性互连材料;亦即,其包括能以可流动形式施加之材料,且之后固化或令其固化以形成导电迹线。再者,一种方法包括在形成迹线之前使该保形介电质涂层之表面受到CF4等离子处理。
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公开(公告)号：TW504804B
公开(公告)日：2002-10-01
申请号：TW090106921
申请日：2001-03-23
申请人： 新光電氣工業股份有限公司
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L24/81 , H01L21/561 , H01L21/563 , H01L23/24 , H01L23/3107 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L23/4985 , H01L24/29 , H01L24/97 , H01L25/105 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13339 , H01L2224/13347 , H01L2224/16225 , H01L2224/16237 , H01L2224/29111 , H01L2224/2929 , H01L2224/73203 , H01L2224/81801 , H01L2224/83192 , H01L2224/83856 , H01L2224/97 , H01L2225/1005 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/0133 , H01L2924/0134 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/15153 , H01L2924/15174 , H01L2924/15311 , H01L2924/1532 , H01L2924/15331 , H01L2924/15747 , H01L2924/1579 , H01L2924/18161 , H01L2924/19041 , H01L2924/3511 , H01L2224/81 , H01L2924/01083 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/0665
摘要： 一種半導體裝置特別薄型半導體封裝體，其可降低且同時達到均勻一致的安裝高度，無需複雜的安裝個別晶片之步驟，改善製造良率，達成半導體裝置之一致高度，而不受晶片厚度變化的影響以及可全部一起執行電測試；以及一種製造該種半導體裝置之方法，其中一個半導體其背面暴露向上而安裝於絕緣帶狀基板頂面上，該帶狀基板具有通孔於其厚度方向，半導體元件側面周圍區係藉密封樹脂層密封，形成以帶狀基板底面上的金屬互連層界定帶狀基板之通孔底部，一層其厚度方向有通孔之耐焊層覆蓋金屬互連層及帶狀基板底面，由半導體元件之活性面向下伸展之連結端子插入帶狀基板之通孔內，傳導性材料組成之填料填補連結端子與帶狀基板通孔間之間隙，而將連結端子與金屬互連層電連結。
简体摘要： 一种半导体设备特别薄型半导体封装体，其可降低且同时达到均匀一致的安装高度，无需复杂的安装个别芯片之步骤，改善制造良率，达成半导体设备之一致高度，而不受芯片厚度变化的影响以及可全部一起运行电测试；以及一种制造该种半导体设备之方法，其中一个半导体其背面暴露向上而安装于绝缘带状基板顶面上，该带状基板具有通孔于其厚度方向，半导体组件侧面周围区系藉密封树脂层密封，形成以带状基板底面上的金属互连层界定带状基板之通孔底部，一层其厚度方向有通孔之耐焊层覆盖金属互连层及带状基板底面，由半导体组件之活性面向下伸展之链接端子插入带状基板之通孔内，传导性材料组成之填料填补链接端子与带状基板通孔间之间隙，而将链接端子与金属互连层电链接。
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公开(公告)号：TWI612633B
公开(公告)日：2018-01-21
申请号：TW103138311
申请日：2014-11-05
发明人： 服部貴洋 , HATTORI, TAKAHIRO , 相馬大輔 , SOMA, DAISUKE , 六本木貴弘 , ROPPONGI, TAKAHIRO , 佐藤勇 , SATO, ISAMU
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60 , B23K35/24
CPC分类号： B23K35/302 , B22F1/00 , B22F1/0048 , B22F1/025 , B23K35/0222 , B23K35/025 , B23K35/22 , B23K35/26 , B23K35/262 , C22C1/0483 , C22C9/00 , C22C13/00 , C23C28/021 , C25D3/60 , C25D7/00 , H01L23/556 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/0401 , H01L2224/05647 , H01L2224/11825 , H01L2224/13012 , H01L2224/13013 , H01L2224/13014 , H01L2224/13016 , H01L2224/13017 , H01L2224/13147 , H01L2224/13294 , H01L2224/13311 , H01L2224/13347 , H01L2224/13411 , H01L2224/13455 , H01L2224/13457 , H01L2224/13561 , H01L2224/13611 , H01L2224/13655 , H01L2224/13657 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/81024 , H01L2224/81048 , H01L2224/81075 , H01L2224/81211 , H01L2224/81395 , H01L2224/81444 , H01L2224/81447 , H01L2224/81815 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2924/15311 , H01L2924/351 , H05K3/3463 , H05K2201/0218 , H01L2924/01029 , H01L2924/00014 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01083 , H01L2924/0103 , H01L2924/01026 , H01L2924/01013 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01048 , H01L2924/01028 , H01L2924/01082 , H01L2924/01044 , H01L2924/01015 , H01L2924/01016 , H01L2924/01092 , H01L2924/0109 , H01L2924/01203 , H01L2924/01204 , H01L2924/00012 , H01L2924/013
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公开(公告)号：TW201529870A
公开(公告)日：2015-08-01
申请号：TW103131719
申请日：2014-09-15
发明人： 川浩由 , KAWASAKI, HIROYOSHI , 近藤茂喜 , KONDOH, SHIGEKI , 六本木貴弘 , ROPPONGI, TAKAHIRO , 相馬大輔 , SOMA, DAISUKE , 佐藤勇 , SATO, ISAMU
CPC分类号： B23K35/0238 , B22F1/025 , B23K35/30 , B23K35/302 , C22F1/00 , C22F1/08 , C23C18/32 , C25D3/12 , C25D7/00 , C25D17/16 , H01L23/49816 , H01L23/556 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/111 , H01L2224/11334 , H01L2224/11825 , H01L2224/11849 , H01L2224/13014 , H01L2224/13016 , H01L2224/13147 , H01L2224/132 , H01L2224/13294 , H01L2224/133 , H01L2224/13347 , H01L2224/134 , H01L2224/13455 , H01L2224/13457 , H01L2224/1346 , H01L2224/1349 , H01L2224/1357 , H01L2224/13582 , H01L2224/136 , H01L2224/13655 , H01L2224/13657 , H01L2224/1366 , H01L2224/1369 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H05K3/3436 , H05K2201/10234 , H01L2924/0105 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/01049 , H01L2924/01051 , H01L2924/01032 , H01L2924/01015 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/01203 , H01L2924/01204 , H01L2924/01083 , H01L2924/01033 , H01L2924/01048 , H01L2924/01028 , H01L2924/01082 , H01L2924/01079 , H01L2924/01016 , H01L2924/01092 , H01L2924/0109 , H01L2924/0103
摘要： 確保銅核球安裝於電極上時的對準性，且抑制軟錯誤發生。 銅核球11係包括：Cu焊球1、與被覆該Cu焊球1表面的金屬層2。金屬層2係由從Ni、Co、Fe之中選擇1以上的元素構成。Cu焊球1係純度99.9%以上且99.995%以下、U含量在5ppb以下、Th含量在5ppb以下、Pb及Bi中之至少其中一者的含量合計量達1ppm以上、真球度達0.95以上、α線量在0.0200cph/cm2以下。
简体摘要： 确保铜核球安装于电极上时的对准性，且抑制软错误发生。 铜核球11系包括：Cu焊球1、与被覆该Cu焊球1表面的金属层2。金属层2系由从Ni、Co、Fe之中选择1以上的元素构成。Cu焊球1系纯度99.9%以上且99.995%以下、U含量在5ppb以下、Th含量在5ppb以下、Pb及Bi中之至少其中一者的含量合计量达1ppm以上、真球度达0.95以上、α线量在0.0200cph/cm2以下。
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公开(公告)号：TW201504459A
公开(公告)日：2015-02-01
申请号：TW103113348
申请日：2014-04-11
发明人： 川崎浩由 , KAWASAKI, HIROYOSHI , 橋本知彥 , HASHIMOTO, TOMOHIKO , 池田篤史 , IKEDA, ATSUSHI , 六本木貴弘 , ROPPONGI, TAKAHIRO , 相馬大輔 , SOMA, DAISUKE , 佐藤勇 , SATO, ISAMU , 川又勇司 , KAWAMATA, YUJI
IPC分类号： C22C9/00 , B22F1/02 , B23K35/02 , B23K35/14 , B23K35/22 , B23K35/26 , H05K3/34 , H01L21/60 , H01L23/488
CPC分类号： H01L24/13 , B22F1/025 , B23K35/0244 , B23K35/26 , B23K35/262 , B23K35/30 , B23K35/302 , C22C9/00 , C22C13/00 , C22C43/00 , C23C28/021 , H01L23/49816 , H01L23/556 , H01L24/11 , H01L24/14 , H01L2224/111 , H01L2224/1112 , H01L2224/13014 , H01L2224/13016 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/13347 , H01L2224/13411 , H01L2224/13611 , H01L2224/13655 , H01L2224/13657 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2924/1434 , H01L2924/3841 , H05K3/3457 , H05K2203/041 , H01L2924/01082 , H01L2924/01083 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/01049 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/01028 , H01L2924/01027 , H01L2924/01051 , H01L2924/01032 , H01L2924/01015 , H01L2924/01026 , H01L2924/01079 , H01L2924/01092 , H01L2924/0109 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01048 , H01L2924/01016 , H01L2924/01203 , H01L2924/01204 , H01L2924/0103
摘要： 本發明提供可抑制軟錯誤減低連接不良之Cu核球。 形成於Cu球表面的鍍焊料披膜，係由鍍Sn焊料披膜或以Sn為主成分的無Pb焊料合金所構成，U的含量為5ppb以下，Th的含量為5ppb以下，該Cu球的純度為99.9%以上99.995%以下，Pb及/或Bi的含量的合計量為1ppm以上，真球度為0.95以上，所得Cu核球的α射線量為0.0200cph/cm2以下。
简体摘要： 本发明提供可抑制软错误减低连接不良之Cu核球。 形成于Cu球表面的镀焊料披膜，系由镀Sn焊料披膜或以Sn为主成分的无Pb焊料合金所构成，U的含量为5ppb以下，Th的含量为5ppb以下，该Cu球的纯度为99.9%以上99.995%以下，Pb及/或Bi的含量的合计量为1ppm以上，真球度为0.95以上，所得Cu核球的α射线量为0.0200cph/cm2以下。
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公开(公告)号：TW201351437A
公开(公告)日：2013-12-16
申请号：TW102108594
申请日：2013-03-12
发明人： 小柏俊典 , OGASHIWA, TOSHINORI , 宮入正幸 , MIYAIRI, MASAYUKI , 塩屋晶和 , SHIOYA, AKIKAZU
CPC分类号： H01L24/83 , B22F1/0074 , B22F1/025 , B23K1/203 , B23K35/0222 , B23K35/0244 , B23K35/025 , B23K35/226 , B23K35/3006 , B23K35/3013 , B23K35/302 , B23K35/322 , B23K2201/40 , H01B1/22 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/05082 , H01L2224/05166 , H01L2224/05169 , H01L2224/05644 , H01L2224/11312 , H01L2224/11318 , H01L2224/1132 , H01L2224/11416 , H01L2224/13294 , H01L2224/13339 , H01L2224/13347 , H01L2224/13364 , H01L2224/13444 , H01L2224/16227 , H01L2224/27312 , H01L2224/27318 , H01L2224/2732 , H01L2224/27416 , H01L2224/29294 , H01L2224/29339 , H01L2224/29347 , H01L2224/29364 , H01L2224/29444 , H01L2224/32225 , H01L2224/81192 , H01L2224/81203 , H01L2224/81444 , H01L2224/8184 , H01L2224/83192 , H01L2224/83203 , H01L2224/83444 , H01L2224/8384 , H01L2924/01029 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/01203 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/15747 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要： 本發明提供一種導電性膏，係由金屬粉與有機溶劑組成之晶片接合用導電性膏，包括：上述金屬粉係選自純度99.9質量%以上、平均粒徑為0.01μm~1.0μm之銀粉、鈀粉、銅粉中任一種以上之金屬粒子、及由上述金屬粒子中至少一部分被金覆蓋所構成之被覆層。根據本發明之晶片接合用導電性膏，當於基板上進行半導體元件等之接合時，可抑制接合部分中空洞等缺陷的發生。
简体摘要： 本发明提供一种导电性膏，系由金属粉与有机溶剂组成之芯片接合用导电性膏，包括：上述金属粉系选自纯度99.9质量%以上、平均粒径为0.01μm~1.0μm之银粉、钯粉、铜粉中任一种以上之金属粒子、及由上述金属粒子中至少一部分被金覆盖所构成之被覆层。根据本发明之芯片接合用导电性膏，当于基板上进行半导体组件等之接合时，可抑制接合部分中空洞等缺陷的发生。
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公开(公告)号：TWI392557B
公开(公告)日：2013-04-11
申请号：TW099129327
申请日：2010-08-31
发明人： 中野公介 , NAKANO, KOSUKE , 高岡英清 , TAKAOKA, HIDEKIYO
CPC分类号： B23K35/025 , B23K1/00 , B23K1/0016 , B23K35/262 , B23K35/3613 , B23K35/362 , B23K2201/40 , C22C9/05 , C22C9/06 , C22C13/00 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/05155 , H01L2224/05644 , H01L2224/1132 , H01L2224/1329 , H01L2224/13294 , H01L2224/13311 , H01L2224/13347 , H01L2224/16503 , H01L2224/16507 , H01L2224/2732 , H01L2224/29101 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29294 , H01L2224/29311 , H01L2224/29347 , H01L2224/32503 , H01L2224/32507 , H01L2224/81192 , H01L2224/81211 , H01L2224/81447 , H01L2224/81815 , H01L2224/83192 , H01L2224/83211 , H01L2224/83447 , H01L2224/83815 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01052 , H01L2924/01057 , H01L2924/01059 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H05K3/3484 , H05K2201/0215 , H05K2201/0272 , Y10T403/479 , Y10T428/31678 , H01L2924/01028 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01026 , H01L2924/01027 , H01L2924/01046 , H01L2924/01083 , H01L2924/00015 , H01L2924/00012
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公开(公告)号：TW201124224A
公开(公告)日：2011-07-16
申请号：TW099129327
申请日：2010-08-31
申请人： 村田製作所股份有限公司
CPC分类号： B23K35/025 , B23K1/00 , B23K1/0016 , B23K35/262 , B23K35/3613 , B23K35/362 , B23K2201/40 , C22C9/05 , C22C9/06 , C22C13/00 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/05155 , H01L2224/05644 , H01L2224/1132 , H01L2224/1329 , H01L2224/13294 , H01L2224/13311 , H01L2224/13347 , H01L2224/16503 , H01L2224/16507 , H01L2224/2732 , H01L2224/29101 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29294 , H01L2224/29311 , H01L2224/29347 , H01L2224/32503 , H01L2224/32507 , H01L2224/81192 , H01L2224/81211 , H01L2224/81447 , H01L2224/81815 , H01L2224/83192 , H01L2224/83211 , H01L2224/83447 , H01L2224/83815 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01052 , H01L2924/01057 , H01L2924/01059 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H05K3/3484 , H05K2201/0215 , H05K2201/0272 , Y10T403/479 , Y10T428/31678 , H01L2924/01028 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01026 , H01L2924/01027 , H01L2924/01046 , H01L2924/01083 , H01L2924/00015 , H01L2924/00012
摘要： 本發明係提供一種焊膏及使用其之接合可靠性高之接合方法及接合結構，該焊膏於焊接步驟中第1金屬與第2金屬之擴散性良好，於低溫且短時間生成熔點高之金屬間化合物，焊接後第1金屬幾乎不殘留，且耐熱強度優良。本發明之焊膏具備下述要件而構成：包含金屬成份與助熔劑成份，該金屬成份包含第1金屬粉末與比該第1金屬熔點高之第2金屬粉末，第1金屬係Sn或含Sn之合金，第2金屬係金屬或合金，與第1金屬生成顯現310℃以上熔點之金屬間化合物，且前述金屬間化合物之晶格常數與前述第2金屬成份之晶格常數之差即晶格常數差為50%以上。另，第2金屬在金屬成份中所占比率為30體積%以上。作為第2金屬，使用Cu-Mn合金或Cu-Ni合金。
简体摘要： 本发明系提供一种焊膏及使用其之接合可靠性高之接合方法及接合结构，该焊膏于焊接步骤中第1金属与第2金属之扩散性良好，于低温且短时间生成熔点高之金属间化合物，焊接后第1金属几乎不残留，且耐热强度优良。本发明之焊膏具备下述要件而构成：包含金属成份与助熔剂成份，该金属成份包含第1金属粉末与比该第1金属熔点高之第2金属粉末，第1金属系Sn或含Sn之合金，第2金属系金属或合金，与第1金属生成显现310℃以上熔点之金属间化合物，且前述金属间化合物之晶格常数与前述第2金属成份之晶格常数之差即晶格常数差为50%以上。另，第2金属在金属成份中所占比率为30体积%以上。作为第2金属，使用Cu-Mn合金或Cu-Ni合金。
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