公开(公告)号：TWI574355B

公开(公告)日：2017-03-11

申请号：TW101129157

申请日：2012-08-13

Applicant: 矽品精密工業股份有限公司 ,  SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.

Inventor： 劉鴻汶 ,  LIU, HUNG WEN ,  許習彰 ,  HSU, HSI CHANG ,  周信宏 ,  CHOU, HSIN HUNG ,  廖信一 ,  LIAO, HSIN YI ,  張江城 ,  CHANG, CHIANG CHENG

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/48 ,  H01L21/52

CPC classification number: H01L21/561 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/20 ,  H01L24/73 ,  H01L24/82 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73209 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/13099

公开(公告)号：TWI555100B

公开(公告)日：2016-10-21

申请号：TW099127880

申请日：2010-08-20

Applicant: 矽品精密工業股份有限公司 ,  SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.

Inventor： 張江城 ,  CHANG, CHIANG CHENG ,  廖信一 ,  LIAO, HSIN YI ,  許習彰 ,  HSU, HSI CHANG ,  邱世冠 ,  CHIU, SHIH KUANG

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L21/568 ,  H01L21/561 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/562 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L25/03 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/211 ,  H01L2224/221 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099

公开(公告)号：TWI506742B

公开(公告)日：2015-11-01

申请号：TW102112468

申请日：2013-04-09

Applicant: 矽品精密工業股份有限公司 ,  SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.

Inventor： 劉鴻汶 ,  LIU, HUNG WEN ,  張江城 ,  CHANG, CHIANG CHENG ,  許習彰 ,  HSU, HSI CHANG ,  陳彥亨 ,  CHEN, YAN HENG ,  廖宴逸 ,  LIAO, YAN YI

IPC: H01L23/28 ,  H01L23/02

公开(公告)号：TWI502710B

公开(公告)日：2015-10-01

申请号：TW102114775

申请日：2013-04-25

Applicant: 矽品精密工業股份有限公司 ,  SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.

Inventor： 劉鴻汶 ,  LIU, HUNG WEN ,  陳彥亨 ,  CHEN, YAN HENG ,  許習彰 ,  HSU, HSI CHANG ,  紀傑元 ,  CHI, CHIEH YUAN ,  張江城 ,  CHANG, CHIANG CHENG

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/568 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/96 ,  H01L2924/00012

公开(公告)号：TW201445689A

公开(公告)日：2014-12-01

申请号：TW102117715

申请日：2013-05-20

Applicant: 矽品精密工業股份有限公司 ,  SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.

Inventor： 陳彥亨 ,  CHEN, YAN HENG ,  張江城 ,  CHANG, CHIANG CHENG ,  黃榮邦 ,  HUANG, JUNG PANG ,  許習彰 ,  HSU, HSI CHANG ,  紀傑元 ,  CHI, CHIEH YUAN

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/28

CPC classification number: H01L24/96 ,  H01L21/568 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一種半導體封裝件之製法，係包括：於第一承載板上形成第一黏著層；將半導體晶片接置於該第一黏著層上，且該半導體晶片上形成有複數電極墊；於該第一黏著層上形成包覆該半導體晶片的具有相對之第一表面與第二表面之封裝膠體，該第一表面係面向該第一黏著層；對該封裝膠體進行切單步驟，以形成貫穿該封裝膠體的凹槽；藉由第二黏著層於該封裝膠體之第二表面上接置第二承載板；移除該第一承載板與第一黏著層；於該凹槽中填入黏著材；於該封裝膠體之第一表面與黏著材上形成電性連接該電極墊的線路增層結構；以及移除該第二承載板與第二黏著層。本發明可避免習知半導體晶片偏移之缺點。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体封装件之制法，系包括：于第一承载板上形成第一黏着层；将半导体芯片接置于该第一黏着层上，且该半导体芯片上形成有复数电极垫；于该第一黏着层上形成包覆该半导体芯片的具有相对之第一表面与第二表面之封装胶体，该第一表面系面向该第一黏着层；对该封装胶体进行切单步骤，以形成贯穿该封装胶体的凹槽；借由第二黏着层于该封装胶体之第二表面上接置第二承载板；移除该第一承载板与第一黏着层；于该凹槽中填入黏着材；于该封装胶体之第一表面与黏着材上形成电性连接该电极垫的线路增层结构；以及移除该第二承载板与第二黏着层。本发明可避免习知半导体芯片偏移之缺点。

公开(公告)号：TW201442180A

公开(公告)日：2014-11-01

申请号：TW102114775

申请日：2013-04-25

Applicant: 矽品精密工業股份有限公司 ,  SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.

Inventor： 劉鴻汶 ,  LIU, HUNG WEN ,  陳彥亨 ,  CHEN, YAN HENG ,  許習彰 ,  HSU, HSI CHANG ,  紀傑元 ,  CHI, CHIEH YUAN ,  張江城 ,  CHANG, CHIANG CHENG

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/568 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/96 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一種半導體封裝件及其製法，該半導體封裝件係包括第一半導體晶片、第二半導體晶片、封裝膠體、第一增層結構與第二增層結構，該第一半導體晶片係具有相對之第一作用面與第一非作用面，該第二半導體晶片係具有相對之第二作用面與第二非作用面，且該第二作用面上形成有導電凸塊，該第二半導體晶片係藉其第二非作用面接置於該第一非作用面上，該封裝膠體係包覆該第一半導體晶片與第二半導體晶片，且具有貫穿該兩表面的導電通孔，該第一增層結構與第二增層結構係分別形成於該兩表面上。本發明係可有效減少封裝件的平面尺寸並增進良率。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体封装件及其制法，该半导体封装件系包括第一半导体芯片、第二半导体芯片、封装胶体、第一增层结构与第二增层结构，该第一半导体芯片系具有相对之第一作用面与第一非作用面，该第二半导体芯片系具有相对之第二作用面与第二非作用面，且该第二作用面上形成有导电凸块，该第二半导体芯片系藉其第二非作用面接置于该第一非作用面上，该封装胶体系包覆该第一半导体芯片与第二半导体芯片，且具有贯穿该两表面的导电通孔，该第一增层结构与第二增层结构系分别形成于该两表面上。本发明系可有效减少封装件的平面尺寸并增进良率。

公开(公告)号：TW201419430A

公开(公告)日：2014-05-16

申请号：TW102116165

申请日：2013-05-07

Applicant: 矽品精密工業股份有限公司 ,  SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.

Inventor： 紀傑元 ,  CHI, CHIEH YUAN ,  黃榮邦 ,  HUANG, JUNG PANG ,  陳彥亨 ,  CHEN, YAN HENG ,  許習彰 ,  HSU, HSI CHANG ,  張江城 ,  CHANG, CHIANG CHENG ,  邱世冠 ,  CHIU, SHIH KUANG

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/96 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00

Abstract: 一種半導體封裝件之製法，係包括：於一承載板上形成離型層及形成於該離型層上的黏著層，然後於該黏著層上設置複數半導體晶片，並形成封裝膠體於該黏著層上，藉以包覆該等半導體晶片，之後於該封裝膠體上設置基板，並從該承載板之側朝該離型層照射光線，以移除該離型層與承載板，最後將該黏著層移除。本發明之半導體封裝件之製法可有效避免光線照射至半導體晶片。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体封装件之制法，系包括：于一承载板上形成离型层及形成于该离型层上的黏着层，然后于该黏着层上设置复数半导体芯片，并形成封装胶体于该黏着层上，借以包覆该等半导体芯片，之后于该封装胶体上设置基板，并从该承载板之侧朝该离型层照射光线，以移除该离型层与承载板，最后将该黏着层移除。本发明之半导体封装件之制法可有效避免光线照射至半导体芯片。

公开(公告)号：TWI426587B

公开(公告)日：2014-02-11

申请号：TW099126869

申请日：2010-08-12

Applicant: 矽品精密工業股份有限公司 ,  SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.

Inventor： 張江城 ,  CHANG, CHIANG CHENG ,  黃建屏 ,  HUANG, CHIEN PING ,  柯俊吉 ,  KE, CHUN CHI ,  廖信一 ,  LIAO, HSIN YI ,  許習彰 ,  HSU, HSI CHANG

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/82 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/24 ,  H01L24/25 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/24225 ,  H01L2224/25171 ,  H01L2224/32155 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3511

公开(公告)号：TW201332071A

公开(公告)日：2013-08-01

申请号：TW101102490

申请日：2012-01-20

Applicant: 矽品精密工業股份有限公司 ,  SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.

Inventor： 張江城 ,  CHANG, CHIANG CHENG ,  李孟宗 ,  LEE, MENG TSUNG ,  黃榮邦 ,  HUANG, JUNG PANG ,  邱世冠 ,  CHIU, SHIH KUANG

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/56 ,  H01L21/4832 ,  H01L21/561 ,  H01L21/566 ,  H01L21/568 ,  H01L21/673 ,  H01L21/67333 ,  H01L21/67763 ,  H01L21/68 ,  H01L21/683 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/78 ,  H01L23/31 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/19 ,  H01L24/96 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/96 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/014

Abstract: 一種半導體封裝件之製法，係包括：形成離型層於一具凹部之承載板表面上；置放晶片於該凹部之離型層上；形成封裝膠體於該晶片與離型層上；移除該離型層與承載板；以及形成線路結構於該封裝膠體與晶片上。藉由凹部之設計，以利於晶片對位，可避免晶片移位而導致產品可靠度不佳之問題。本發明復提供該半導體封裝件。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体封装件之制法，系包括：形成离型层于一具凹部之承载板表面上；置放芯片于该凹部之离型层上；形成封装胶体于该芯片与离型层上；移除该离型层与承载板；以及形成线路结构于该封装胶体与芯片上。借由凹部之设计，以利于芯片对位，可避免芯片移位而导致产品可靠度不佳之问题。本发明复提供该半导体封装件。

公开(公告)号：TWI508245B

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：TW099133962

申请日：2010-10-06

Applicant: 矽品精密工業股份有限公司 ,  SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.

Inventor： 張江城 ,  CHANG, CHIANG CHENG ,  廖信一 ,  LIAO, HSIN YI ,  邱世冠 ,  CHIU, SHIH KUANG

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/5389 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/19 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/2518 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/3511