公开(公告)号：TWI555167B

公开(公告)日：2016-10-21

申请号：TW103103471

申请日：2014-01-29

Applicant: 矽品精密工業股份有限公司 ,  SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.

Inventor： 紀傑元 ,  CHI, CHIEH YUAN ,  黃榮邦 ,  HUANG, JUNG PANG ,  陳彥亨 ,  CHEN, YAN HENG ,  廖宴逸 ,  LIAO, YAN YI ,  林辰翰 ,  LIN, CHEN HAN

IPC: H01L25/04 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L24/96 ,  H01L21/568 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/20 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00012

公开(公告)号：TW201530733A

公开(公告)日：2015-08-01

申请号：TW103103471

申请日：2014-01-29

Applicant: 矽品精密工業股份有限公司 ,  SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.

Inventor： 紀傑元 ,  CHI, CHIEH YUAN ,  黃榮邦 ,  HUANG, JUNG PANG ,  陳彥亨 ,  CHEN, YAN HENG ,  廖宴逸 ,  LIAO, YAN YI ,  林辰翰 ,  LIN, CHEN HAN

IPC: H01L25/04 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L24/96 ,  H01L21/568 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/20 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一種半導體封裝件及其製法，該製法包括：提供一具有相對之第一與第二表面之封裝膠體，該封裝膠體內係嵌埋有至少一第一晶片，且該第一晶片係具有第一作用面與位於該第一作用面之第一銲墊，該第一作用面係外露於該封裝膠體之第一表面；形成增層結構於該封裝膠體之第一表面與該第一晶片之第一作用面上，該增層結構係具有第一、第二線路層與相對之第三及第四表面，該第一線路層係電性連接該些第一銲墊；以及設置至少一第二晶片於該增層結構之第四表面上以電性連接該第二線路層。藉此，本發明能在該半導體封裝件之厚度幾乎不變下，縮小該半導體封裝件之面積。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体封装件及其制法，该制法包括：提供一具有相对之第一与第二表面之封装胶体，该封装胶体内系嵌埋有至少一第一芯片，且该第一芯片系具有第一作用面与位于该第一作用面之第一焊垫，该第一作用面系外露于该封装胶体之第一表面；形成增层结构于该封装胶体之第一表面与该第一芯片之第一作用面上，该增层结构系具有第一、第二线路层与相对之第三及第四表面，该第一线路层系电性连接该些第一焊垫；以及设置至少一第二芯片于该增层结构之第四表面上以电性连接该第二线路层。借此，本发明能在该半导体封装件之厚度几乎不变下，缩小该半导体封装件之面积。

公开(公告)号：TW201432825A

公开(公告)日：2014-08-16

申请号：TW102104524

申请日：2013-02-06

Applicant: 矽品精密工業股份有限公司 ,  SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.

Inventor： 紀傑元 ,  CHI, CHIEH YUAN ,  陳彥亨 ,  CHEN, YAN HENG ,  張江城 ,  CHANG, CHIANG CHENG ,  廖宴逸 ,  LIAO, YAN YI ,  黃榮邦 ,  HUANG, JUNG PANG ,  邱世冠 ,  CHIU, SHIH KUANG

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L24/96 ,  H01L21/568

Abstract: 一種半導體封裝件之製法，係包括：提供一具有剝離層之第一承載件，再形成結合層於該剝離層上；接著，設置半導體元件於該結合層上，且形成絕緣層於該結合層上，以包覆該半導體元件；之後，移除該第一承載件與該剝離層，再移除該結合層，以外露該半導體元件。藉由該剝離層作為離型層以取代習知熱化離型膠層，故可降低製造成本。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体封装件之制法，系包括：提供一具有剥离层之第一承载件，再形成结合层于该剥离层上；接着，设置半导体组件于该结合层上，且形成绝缘层于该结合层上，以包覆该半导体组件；之后，移除该第一承载件与该剥离层，再移除该结合层，以外露该半导体组件。借由该剥离层作为离型层以取代习知热化离型胶层，故可降低制造成本。

公开(公告)号：TWI517341B

公开(公告)日：2016-01-11

申请号：TW102116654

申请日：2013-05-10

Applicant: 矽品精密工業股份有限公司 ,  SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.

Inventor： 陳彥亨 ,  CHEN, YAN HENG ,  林畯棠 ,  LIN, CHUN TANG ,  廖宴逸 ,  LIAO, YAN YI ,  劉鴻汶 ,  LIU, HUNG WEN ,  紀傑元 ,  CHI, CHIEH YUAN ,  許習彰 ,  HSU, HSI CHANG

IPC: H01L23/528

CPC classification number: H01L25/50 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/486 ,  H01L21/568 ,  H01L21/768 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/13 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L24/19 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/03 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06558 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15156 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TWI512853B

公开(公告)日：2015-12-11

申请号：TW102131766

申请日：2013-09-04

Applicant: 矽品精密工業股份有限公司 ,  SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.

Inventor： 紀傑元 ,  CHI, CHIEH YUAN ,  黃榮邦 ,  HUANG, JUNG PANG ,  陳彥亨 ,  CHEN, YAN HENG ,  廖宴逸 ,  LIAO, YAN YI ,  劉鴻汶 ,  LIU, HUNG WEN

IPC: H01L21/56

CPC classification number: H01L21/568 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/96

公开(公告)号：TWI506742B

公开(公告)日：2015-11-01

申请号：TW102112468

申请日：2013-04-09

Applicant: 矽品精密工業股份有限公司 ,  SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.

Inventor： 劉鴻汶 ,  LIU, HUNG WEN ,  張江城 ,  CHANG, CHIANG CHENG ,  許習彰 ,  HSU, HSI CHANG ,  陳彥亨 ,  CHEN, YAN HENG ,  廖宴逸 ,  LIAO, YAN YI

IPC: H01L23/28 ,  H01L23/02

公开(公告)号：TW201533866A

公开(公告)日：2015-09-01

申请号：TW103105604

申请日：2014-02-20

Applicant: 矽品精密工業股份有限公司 ,  SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.

Inventor： 紀傑元 ,  CHI, CHIEH YUAN ,  黃榮邦 ,  HUANG, JUNG PANG ,  陳彥亨 ,  CHEN, YAN HENG ,  廖宴逸 ,  LIAO, YAN YI ,  許習彰 ,  HSU, HSI CHANG

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L24/96 ,  H01L21/568 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/24145 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73217 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/8203 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/96 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/83005

Abstract: 一種半導體封裝件之製法，係先提供一承載件，其上設有相疊之第一與第二半導體元件，再形成支撐材以包覆該第一半導體元件之周圍；之後形成封裝層於該承載件上，再移除該承載件與該支撐材，使該封裝層形成凹面區，且該第一半導體元件位於該凹面區中；最後形成絕緣材於該凹面區中，且形成線路層於該絕緣材上，並形成複數導電盲孔於該絕緣材中以電性連接該線路層、第一與第二半導體元件。藉由先移除該支撐材，再形成該絕緣材，能避免該支撐材覆蓋該第二半導體元件而使導電盲孔無法對位之情況發生。本發明復提供該半導體封裝件。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体封装件之制法，系先提供一承载件，其上设有相叠之第一与第二半导体组件，再形成支撑材以包覆该第一半导体组件之周围；之后形成封装层于该承载件上，再移除该承载件与该支撑材，使该封装层形成凹面区，且该第一半导体组件位于该凹面区中；最后形成绝缘材于该凹面区中，且形成线路层于该绝缘材上，并形成复数导电盲孔于该绝缘材中以电性连接该线路层、第一与第二半导体组件。借由先移除该支撑材，再形成该绝缘材，能避免该支撑材覆盖该第二半导体组件而使导电盲孔无法对位之情况发生。本发明复提供该半导体封装件。

公开(公告)号：TWI509749B

公开(公告)日：2015-11-21

申请号：TW102117714

申请日：2013-05-20

Applicant: 矽品精密工業股份有限公司 ,  SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.

Inventor： 陳彥亨 ,  CHEN, YAN HENG ,  林畯棠 ,  LIN, CHUN TANG ,  詹慕萱 ,  CHAN, MU HSUAN ,  紀傑元 ,  CHI, CHIEH YUAN ,  廖宴逸 ,  LIAO, YAN YI

IPC: H01L23/12 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/52 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/78 ,  H01L24/19 ,  H01L24/96 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201511143A

公开(公告)日：2015-03-16

申请号：TW102131766

申请日：2013-09-04

Applicant: 矽品精密工業股份有限公司 ,  SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.

Inventor： 紀傑元 ,  CHI, CHIEH YUAN ,  黃榮邦 ,  HUANG, JUNG PANG ,  陳彥亨 ,  CHEN, YAN HENG ,  廖宴逸 ,  LIAO, YAN YI ,  劉鴻汶 ,  LIU, HUNG WEN

IPC: H01L21/56

CPC classification number: H01L21/568 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/96

Abstract: 一種半導體封裝件之製法，係包括：於一第一基板上設置第二基板，該第一基板與第二基板係彼此磁性相吸而結合在一起；於該第二基板上設置半導體晶片；於該第二基板上形成包覆該半導體晶片的封裝膠體；加熱去除該第一基板與第二基板間的磁性相吸力；移除該第一基板；以及移除該第二基板，以外露該半導體晶片。本發明能使半導體封裝件之製作更為順利，進而增進良率與可靠度。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体封装件之制法，系包括：于一第一基板上设置第二基板，该第一基板与第二基板系彼此磁性相吸而结合在一起；于该第二基板上设置半导体芯片；于该第二基板上形成包覆该半导体芯片的封装胶体；加热去除该第一基板与第二基板间的磁性相吸力；移除该第一基板；以及移除该第二基板，以外露该半导体芯片。本发明能使半导体封装件之制作更为顺利，进而增进良率与可靠度。

公开(公告)号：TWI473228B

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：TW102114570

申请日：2013-04-24

Applicant: 矽品精密工業股份有限公司 ,  SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.

Inventor： 紀傑元 ,  CHI, CHIEH YUAN ,  陳冠宇 ,  CHEN, KUAN YU ,  劉鴻汶 ,  LIU, HUNG WEN ,  陳彥亨 ,  CHEN, YAN HENG ,  廖宴逸 ,  LIAO, YAN YI

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L24/96 ,  H01L21/568 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2924/00012