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公开(公告)号：TW201606886A
公开(公告)日：2016-02-16
申请号：TW104121887
申请日：2015-07-06
申请人： 美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人： 維哈卡 沙彌爾S , VADHAVKAR, SAMEER S. , 李曉 , LI, XIAO , 古斯厄斯 史蒂芬K , GROOTHUIS, STEVEN K. , 李健 , LI, JIAN , 甘德席 傑斯皮德S , GANDHI, JASPREET S. , 戴德里安 詹姆士M , DERDERIAN, JAMES M. , 亨布里 大衛R , HEMBREE, DAVID R.
IPC分类号： H01L21/56
CPC分类号： H01L25/50 , H01L21/50 , H01L21/563 , H01L23/04 , H01L23/3675 , H01L23/44 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L25/0657 , H01L25/18 , H01L2224/1134 , H01L2224/13025 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/1329 , H01L2224/133 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/16227 , H01L2224/1703 , H01L2224/17181 , H01L2224/17519 , H01L2224/2919 , H01L2224/29191 , H01L2224/2929 , H01L2224/2939 , H01L2224/29393 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/83101 , H01L2224/83102 , H01L2224/83104 , H01L2224/83424 , H01L2224/83447 , H01L2224/8388 , H01L2224/92125 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06589 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/15311 , H01L2924/156 , H01L2924/16235 , H01L2924/16251 , H01L2924/1815 , H01L2924/0715 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/014 , H01L2924/01047 , H01L2924/00012 , H01L2924/0665 , H01L2924/00
摘要： 本發明揭示用於封裝一半導體晶粒總成之方法。在一實施例中，一種方法係針對封裝具有一第一晶粒及在該第一晶粒上方配置成一堆疊之複數個第二晶粒之一半導體晶粒總成，其中該第一晶粒具有自該第二晶粒堆疊向外橫向地延伸之一周邊區域。該方法可包括將一熱傳遞結構耦合至該第一晶粒之該周邊區域且使一底部填充材料流入該等第二晶粒之間。該底部填充材料係在將該熱傳遞結構耦合至該第一晶粒之該周邊區域之後流入，使得該熱傳遞結構限制該底部填充材料之橫向流動。
简体摘要： 本发明揭示用于封装一半导体晶粒总成之方法。在一实施例中，一种方法系针对封装具有一第一晶粒及在该第一晶粒上方配置成一堆栈之复数个第二晶粒之一半导体晶粒总成，其中该第一晶粒具有自该第二晶粒堆栈向外横向地延伸之一周边区域。该方法可包括将一热传递结构耦合至该第一晶粒之该周边区域且使一底部填充材料流入该等第二晶粒之间。该底部填充材料系在将该热传递结构耦合至该第一晶粒之该周边区域之后流入，使得该热传递结构限制该底部填充材料之横向流动。
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公开(公告)号：TWI560821B
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW104121888
申请日：2015-07-06
申请人： 美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人： 維哈卡 沙彌爾S , VADHAVKAR, SAMEER S. , 李曉 , LI, XIAO , 古斯厄斯 史蒂芬K , GROOTHUIS, STEVEN K. , 李健 , LI, JIAN , 甘德席 傑斯皮德S , GANDHI, JASPREET S. , 戴德里安 詹姆士M , DERDERIAN, JAMES M. , 亨布里 大衛R , HEMBREE, DAVID R.
IPC分类号： H01L23/28 , H01L23/36 , H01L23/538 , H01L21/56 , H01L21/58
CPC分类号： H01L25/50 , H01L21/4882 , H01L21/50 , H01L21/563 , H01L23/04 , H01L23/36 , H01L23/3675 , H01L25/0657 , H01L25/16 , H01L25/167 , H01L2224/16145 , H01L2225/06568 , H01L2225/06589
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公开(公告)号：TWI588915B
公开(公告)日：2017-06-21
申请号：TW104121887
申请日：2015-07-06
申请人： 美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人： 維哈卡 沙彌爾S , VADHAVKAR, SAMEER S. , 李曉 , LI, XIAO , 古斯厄斯 史蒂芬K , GROOTHUIS, STEVEN K. , 李健 , LI, JIAN , 甘德席 傑斯皮德S , GANDHI, JASPREET S. , 戴德里安 詹姆士M , DERDERIAN, JAMES M. , 亨布里 大衛R , HEMBREE, DAVID R.
IPC分类号： H01L21/56
CPC分类号： H01L25/50 , H01L21/50 , H01L21/563 , H01L23/04 , H01L23/3675 , H01L23/44 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L25/0657 , H01L25/18 , H01L2224/1134 , H01L2224/13025 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/1329 , H01L2224/133 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/16227 , H01L2224/1703 , H01L2224/17181 , H01L2224/17519 , H01L2224/2919 , H01L2224/29191 , H01L2224/2929 , H01L2224/2939 , H01L2224/29393 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/83101 , H01L2224/83102 , H01L2224/83104 , H01L2224/83424 , H01L2224/83447 , H01L2224/8388 , H01L2224/92125 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06589 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/15311 , H01L2924/156 , H01L2924/16235 , H01L2924/16251 , H01L2924/1815 , H01L2924/0715 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/014 , H01L2924/01047 , H01L2924/00012 , H01L2924/0665 , H01L2924/00
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公开(公告)号：TW201606956A
公开(公告)日：2016-02-16
申请号：TW104121888
申请日：2015-07-06
申请人： 美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人： 維哈卡 沙彌爾S , VADHAVKAR, SAMEER S. , 李曉 , LI, XIAO , 古斯厄斯 史蒂芬K , GROOTHUIS, STEVEN K. , 李健 , LI, JIAN , 甘德席 傑斯皮德S , GANDHI, JASPREET S. , 戴德里安 詹姆士M , DERDERIAN, JAMES M. , 亨布里 大衛R , HEMBREE, DAVID R.
IPC分类号： H01L23/28 , H01L23/36 , H01L23/538 , H01L21/56 , H01L21/58
CPC分类号： H01L25/50 , H01L21/4882 , H01L21/50 , H01L21/563 , H01L23/04 , H01L23/36 , H01L23/3675 , H01L25/0657 , H01L25/16 , H01L25/167 , H01L2224/16145 , H01L2225/06568 , H01L2225/06589
摘要： 本發明揭示一種具有高效率散熱路徑之半導體晶粒總成。在一實施例中，該半導體晶粒總成包括一封裝支撐基板、具有一周邊區域及一堆疊區域之一第一半導體晶粒，及一第二半導體晶粒，其附接至該第一晶粒之該堆疊區域使得該周邊區域係該第二晶粒之側面。該總成進一步包含一熱傳遞單元，其具有附接至該第一晶粒之該周邊區域之一底座、由一黏附劑附接至該底座之一蓋，及由至少該蓋界定之一腔，其中該第二晶粒係在該腔內。該總成亦包含該腔中之一底部填充物，其中該底部填充物之一填角料部分沿基腳之一部分向上延伸一距離且沿該底座之至少一部分向上延伸一距離。
简体摘要： 本发明揭示一种具有高效率散热路径之半导体晶粒总成。在一实施例中，该半导体晶粒总成包括一封装支撑基板、具有一周边区域及一堆栈区域之一第一半导体晶粒，及一第二半导体晶粒，其附接至该第一晶粒之该堆栈区域使得该周边区域系该第二晶粒之侧面。该总成进一步包含一热传递单元，其具有附接至该第一晶粒之该周边区域之一底座、由一黏附剂附接至该底座之一盖，及由至少该盖界定之一腔，其中该第二晶粒系在该腔内。该总成亦包含该腔中之一底部填充物，其中该底部填充物之一填角料部分沿基脚之一部分向上延伸一距离且沿该底座之至少一部分向上延伸一距离。
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