公开(公告)号：TWI548056B

公开(公告)日：2016-09-01

申请号：TW104121886

申请日：2015-07-06

申请人： 美光科技公司 ,  MICRON TECHNOLOGY, INC.

发明人： 維哈卡 沙彌爾S ,  VADHAVKAR, SAMEER S. ,  李曉 ,  LI, XIAO ,  甘德席 傑斯皮德S ,  GANDHI, JASPREET S.

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L23/36

CPC分类号： H01L23/34 ,  H01L23/10 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/4275 ,  H01L23/473 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/17519 ,  H01L2224/26145 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/16235 ,  H01L2924/16251 ,  H01L2924/1627 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00012

公开(公告)号：TW201606886A

公开(公告)日：2016-02-16

申请号：TW104121887

申请日：2015-07-06

申请人： 美光科技公司 ,  MICRON TECHNOLOGY, INC.

发明人： 維哈卡 沙彌爾S ,  VADHAVKAR, SAMEER S. ,  李曉 ,  LI, XIAO ,  古斯厄斯 史蒂芬K ,  GROOTHUIS, STEVEN K. ,  李健 ,  LI, JIAN ,  甘德席 傑斯皮德S ,  GANDHI, JASPREET S. ,  戴德里安 詹姆士M ,  DERDERIAN, JAMES M. ,  亨布里 大衛R ,  HEMBREE, DAVID R.

IPC分类号： H01L21/56

CPC分类号： H01L25/50 ,  H01L21/50 ,  H01L21/563 ,  H01L23/04 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/44 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/1329 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/17519 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29191 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/29393 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/83424 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/8388 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/156 ,  H01L2924/16235 ,  H01L2924/16251 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/0715 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00

摘要： 本發明揭示用於封裝一半導體晶粒總成之方法。在一實施例中，一種方法係針對封裝具有一第一晶粒及在該第一晶粒上方配置成一堆疊之複數個第二晶粒之一半導體晶粒總成，其中該第一晶粒具有自該第二晶粒堆疊向外橫向地延伸之一周邊區域。該方法可包括將一熱傳遞結構耦合至該第一晶粒之該周邊區域且使一底部填充材料流入該等第二晶粒之間。該底部填充材料係在將該熱傳遞結構耦合至該第一晶粒之該周邊區域之後流入，使得該熱傳遞結構限制該底部填充材料之橫向流動。

简体摘要： 本发明揭示用于封装一半导体晶粒总成之方法。在一实施例中，一种方法系针对封装具有一第一晶粒及在该第一晶粒上方配置成一堆栈之复数个第二晶粒之一半导体晶粒总成，其中该第一晶粒具有自该第二晶粒堆栈向外横向地延伸之一周边区域。该方法可包括将一热传递结构耦合至该第一晶粒之该周边区域且使一底部填充材料流入该等第二晶粒之间。该底部填充材料系在将该热传递结构耦合至该第一晶粒之该周边区域之后流入，使得该热传递结构限制该底部填充材料之横向流动。

公开(公告)号：TWI518872B

公开(公告)日：2016-01-21

申请号：TW101142516

申请日：2012-11-14

申请人： 美光科技公司 ,  MICRON TECHNOLOGY, INC.

发明人： 古斯厄斯 史蒂芬K ,  GROOTHUIS, STEVEN K. ,  李健 ,  LI, JIAN ,  張浩鈞 ,  ZHANG, HAOJUN ,  席維斯崔 保羅A ,  SILVESTRI, PAUL A. ,  李曉 ,  LI, XIAO ,  羅時劍 ,  LUO, SHIJIAN ,  英格蘭 路克G ,  ENGLAND, LUKE G. ,  基斯 布蘭特 ,  KEETH, BRENT ,  甘德席 傑斯皮德S ,  GANDHI, JASPREET S.

IPC分类号： H01L25/04 ,  H01L23/34

CPC分类号： H01L23/36 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/3736 ,  H01L23/42 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/15311

公开(公告)号：TW201327740A

公开(公告)日：2013-07-01

申请号：TW101142514

申请日：2012-11-14

申请人： 美光科技公司 ,  MICRON TECHNOLOGY, INC.

发明人： 羅時劍 ,  LUO, SHIJIAN ,  李曉 ,  LI, XIAO ,  李健 ,  LI, JIAN

IPC分类号： H01L23/34 ,  H01L25/04

CPC分类号： H01L23/36 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/3736 ,  H01L23/42 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/15311

摘要： 本發明揭示一種半導體晶粒總成，其包括在一堆疊中之複數個半導體晶粒。另一半導體晶粒鄰近該堆疊並且具有一區域，該區域可包括周邊延伸越出該堆疊的一相對較高功率密度區域。傳導元件在該堆疊中之半導體晶粒與該另一半導體晶粒之間延伸並且電互連該堆疊中之半導體晶粒及該另一半導體晶粒的積體電路。熱能柱插入於該堆疊之半導體晶粒之間，並且諸如一蓋之一熱量耗散結構與該堆疊之一最上晶粒及該另一半導體晶粒之該高功率密度區域接觸。亦揭示其他晶粒總成、半導體裝置及管理一半導體晶粒總成內之熱量傳送的方法。

简体摘要： 本发明揭示一种半导体晶粒总成，其包括在一堆栈中之复数个半导体晶粒。另一半导体晶粒邻近该堆栈并且具有一区域，该区域可包括周边延伸越出该堆栈的一相对较高功率密度区域。传导组件在该堆栈中之半导体晶粒与该另一半导体晶粒之间延伸并且电互连该堆栈中之半导体晶粒及该另一半导体晶粒的集成电路。热能柱插入于该堆栈之半导体晶粒之间，并且诸如一盖之一热量耗散结构与该堆栈之一最上晶粒及该另一半导体晶粒之该高功率密度区域接触。亦揭示其他晶粒总成、半导体设备及管理一半导体晶粒总成内之热量发送的方法。

公开(公告)号：TWI672775B

公开(公告)日：2019-09-21

申请号：TW106119235

申请日：2017-06-09

申请人： 美商美光科技公司 ,  MICRON TECHNOLOGY, INC.

发明人： 比茲 布萊德利 R ,  BITZ, BRADLEY R. ,  李 曉 ,  LI, XIAO ,  甘德席 傑斯皮德 S ,  GANDHI, JASPREET S.

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L21/56

公开(公告)号：TWI560821B

公开(公告)日：2016-12-01

申请号：TW104121888

申请日：2015-07-06

申请人： 美光科技公司 ,  MICRON TECHNOLOGY, INC.

发明人： 維哈卡 沙彌爾S ,  VADHAVKAR, SAMEER S. ,  李曉 ,  LI, XIAO ,  古斯厄斯 史蒂芬K ,  GROOTHUIS, STEVEN K. ,  李健 ,  LI, JIAN ,  甘德席 傑斯皮德S ,  GANDHI, JASPREET S. ,  戴德里安 詹姆士M ,  DERDERIAN, JAMES M. ,  亨布里 大衛R ,  HEMBREE, DAVID R.

IPC分类号： H01L23/28 ,  H01L23/36 ,  H01L23/538 ,  H01L21/56 ,  H01L21/58

CPC分类号： H01L25/50 ,  H01L21/4882 ,  H01L21/50 ,  H01L21/563 ,  H01L23/04 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3675 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/16 ,  H01L25/167 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06589

公开(公告)号：TW201606976A

公开(公告)日：2016-02-16

申请号：TW104121886

申请日：2015-07-06

申请人： 美光科技公司 ,  MICRON TECHNOLOGY, INC.

发明人： 維哈卡 沙彌爾S ,  VADHAVKAR, SAMEER S. ,  李曉 ,  LI, XIAO ,  甘德席 傑斯皮德S ,  GANDHI, JASPREET S.

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L23/36

CPC分类号： H01L23/34 ,  H01L23/10 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/4275 ,  H01L23/473 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/17519 ,  H01L2224/26145 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/16235 ,  H01L2924/16251 ,  H01L2924/1627 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00012

摘要： 本發明揭示具有高效率散熱路徑之半導體晶粒總成。在一實施例中，一半導體晶粒總成包括一封裝支撐基板、電安裝至該封裝支撐基板之一第一半導體晶粒，及複數個第二半導體晶粒。該第一晶粒具有一堆疊位區及自該堆疊位區橫向延伸之一周邊區域，且底部第二半導體晶粒附接至該第一晶粒之該堆疊位區。該總成進一步包含(a)附接至該第一晶粒之該周邊區域之一熱傳遞結構，該熱傳遞結構具有於其中定位有該等第二晶粒之一腔，及一入口，及(b)該腔中之一底部填充材料。該底部填充材料具有在該等第二半導體晶粒之間藉由將該底部填充材料透過殼體之入口埠注入至該腔中造成之一填角料。

简体摘要： 本发明揭示具有高效率散热路径之半导体晶粒总成。在一实施例中，一半导体晶粒总成包括一封装支撑基板、电安装至该封装支撑基板之一第一半导体晶粒，及复数个第二半导体晶粒。该第一晶粒具有一堆栈位区及自该堆栈位区横向延伸之一周边区域，且底部第二半导体晶粒附接至该第一晶粒之该堆栈位区。该总成进一步包含(a)附接至该第一晶粒之该周边区域之一热传递结构，该热传递结构具有于其中定位有该等第二晶粒之一腔，及一入口，及(b)该腔中之一底部填充材料。该底部填充材料具有在该等第二半导体晶粒之间借由将该底部填充材料透过壳体之入口端口注入至该腔中造成之一填角料。

公开(公告)号：TWI515845B

公开(公告)日：2016-01-01

申请号：TW101142514

申请日：2012-11-14

申请人： 美光科技公司 ,  MICRON TECHNOLOGY, INC.

发明人： 羅時劍 ,  LUO, SHIJIAN ,  李曉 ,  LI, XIAO ,  李健 ,  LI, JIAN

IPC分类号： H01L23/34 ,  H01L25/04

CPC分类号： H01L23/36 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/3736 ,  H01L23/42 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/15311

公开(公告)号：TW201810556A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：TW106119235

申请日：2017-06-09

申请人： 美光科技公司 ,  MICRON TECHNOLOGY, INC.

发明人： 比茲 布萊德利 R ,  BITZ, BRADLEY R. ,  李 曉 ,  LI, XIAO ,  甘德席 傑斯皮德 S ,  GANDHI, JASPREET S.

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L23/42 ,  H01L23/427 ,  H01L23/46 ,  H01L23/473 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2225/06589

摘要： 本文中揭示具有堆疊半導體晶粒及包含蒸氣室之熱傳遞裝置之半導體裝置總成。在一項實施例中，一半導體裝置總成包含具有一基區之一第一半導體晶粒、在該基區處之至少一個第二半導體晶粒，及附接至該第一晶粒及該第二晶粒之一熱傳遞裝置。該熱傳遞裝置包含至少部分包圍該第二晶粒之一囊封劑及形成於該囊封劑中之一通路。該囊封劑至少部分界定鄰近該第一晶粒之一周邊區之一冷卻通道。該通路包含至少部分填充該通道之一工作流體及/或一固體熱導體。

简体摘要： 本文中揭示具有堆栈半导体晶粒及包含蒸气室之热传递设备之半导体设备总成。在一项实施例中，一半导体设备总成包含具有一基区之一第一半导体晶粒、在该基区处之至少一个第二半导体晶粒，及附接至该第一晶粒及该第二晶粒之一热传递设备。该热传递设备包含至少部分包围该第二晶粒之一囊封剂及形成于该囊封剂中之一通路。该囊封剂至少部分界定邻近该第一晶粒之一周边区之一冷却信道。该通路包含至少部分填充该信道之一工作流体及/或一固体热导体。

公开(公告)号：TWI588915B

公开(公告)日：2017-06-21

申请号：TW104121887

申请日：2015-07-06

申请人： 美光科技公司 ,  MICRON TECHNOLOGY, INC.

发明人： 維哈卡 沙彌爾S ,  VADHAVKAR, SAMEER S. ,  李曉 ,  LI, XIAO ,  古斯厄斯 史蒂芬K ,  GROOTHUIS, STEVEN K. ,  李健 ,  LI, JIAN ,  甘德席 傑斯皮德S ,  GANDHI, JASPREET S. ,  戴德里安 詹姆士M ,  DERDERIAN, JAMES M. ,  亨布里 大衛R ,  HEMBREE, DAVID R.

IPC分类号： H01L21/56

CPC分类号： H01L25/50 ,  H01L21/50 ,  H01L21/563 ,  H01L23/04 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/44 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/1329 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/17519 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29191 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/29393 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/83424 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/8388 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/156 ,  H01L2924/16235 ,  H01L2924/16251 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/0715 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00