公开(公告)号：TWI481038B

公开(公告)日：2015-04-11

申请号：TW101134695

申请日：2012-09-21

申请人： 萬國半導體股份有限公司 ,  ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED

发明人： 高 立德 ,  CALAFUT, DANIEL ,  蘇毅 ,  SU, YI ,  金鐘五 ,  KIM, JONGOH ,  常虹 ,  CHANG, HONG ,  哈姆紥 依瑪茲 ,  YILMAZ, HAMZA ,  伍時謙 ,  NG, DANIEL S.

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/812

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L21/823487 ,  H01L27/06 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/456 ,  H01L29/47 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/7806 ,  H01L29/872

公开(公告)号：TWI593108B

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：TW104139119

申请日：2015-11-25

申请人： 萬國半導體股份有限公司 ,  ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED

发明人： 李亦衡 ,  LEE, YEEHANG ,  管靈鵬 ,  GUAN, LINGPENG ,  薛 宏勇 ,  XUE, HONGYONG ,  顧 一鳴 ,  GU, YIMING ,  向泱 ,  XIANG, YANG ,  黃 士彰 ,  HUANG, TERENCE ,  謝卡爾 拉瑪莫西 ,  RAMAMOORTHY, SEKAR ,  李文軍 ,  LI, WENJUN ,  常 虹 ,  CHANG, HONG ,  馬督兒 博德 ,  BOBDE, MADHUR ,  保羅 托魯普 ,  THORUP, PAUL ,  哈姆紥 依瑪茲 ,  YILMAZ, HAMZA

IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/4236 ,  H01L21/28008 ,  H01L27/088 ,  H01L29/404 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66484 ,  H01L29/66613 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

公开(公告)号：TW201622147A

公开(公告)日：2016-06-16

申请号：TW104139119

申请日：2015-11-25

申请人： 萬國半導體股份有限公司 ,  ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED

发明人： 李亦衡 ,  LEE, YEEHANG ,  管靈鵬 ,  GUAN, LINGPENG ,  薛 宏勇 ,  XUE, HONGYONG ,  顧 一鳴 ,  GU, YIMING ,  向泱 ,  XIANG, YANG ,  黃 士彰 ,  HUANG, TERENCE ,  謝卡爾 拉瑪莫西 ,  RAMAMOORTHY, SEKAR ,  李文軍 ,  LI, WENJUN ,  常 虹 ,  CHANG, HONG ,  馬督兒 博德 ,  BOBDE, MADHUR ,  保羅 托魯普 ,  THORUP, PAUL ,  哈姆紥 依瑪茲 ,  YILMAZ, HAMZA

IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/4236 ,  H01L21/28008 ,  H01L27/088 ,  H01L29/404 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66484 ,  H01L29/66613 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

摘要： 多個柵極溝槽形成在有源晶胞區中的半導體基板中。至少一其他溝槽形成在不同區域。每個柵極溝槽都具有在底部的第一導電材料，以及在頂部的第二導電材料。在柵極溝槽中，第一絕緣層將第一導電材料與基板隔開，第二絕緣層將第二導電材料與基板隔開，第三絕緣層將第一導電材料和第二導電材料隔開。至少一其他溝槽都含有一部分第一導電材料，呈半U型，在其他溝槽底部，以及第二導電材料在其他溝槽頂部。在其他溝槽中，第三絕緣層將第一導電材料和第二導電材料隔開。第一絕緣層的厚度大於第三絕緣層的厚度，第三絕緣層的厚度大於第二絕緣層的厚度。

简体摘要： 多个栅极沟槽形成在有源晶胞区中的半导体基板中。至少一其他沟槽形成在不同区域。每个栅极沟槽都具有在底部的第一导电材料，以及在顶部的第二导电材料。在栅极沟槽中，第一绝缘层将第一导电材料与基板隔开，第二绝缘层将第二导电材料与基板隔开，第三绝缘层将第一导电材料和第二导电材料隔开。至少一其他沟槽都含有一部分第一导电材料，呈半U型，在其他沟槽底部，以及第二导电材料在其他沟槽顶部。在其他沟槽中，第三绝缘层将第一导电材料和第二导电材料隔开。第一绝缘层的厚度大于第三绝缘层的厚度，第三绝缘层的厚度大于第二绝缘层的厚度。

公开(公告)号：TW201314918A

公开(公告)日：2013-04-01

申请号：TW101134695

申请日：2012-09-21

申请人： 萬國半導體股份有限公司 ,  ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED

发明人： 高 立德 ,  CALAFUT, DANIEL ,  蘇毅 ,  SU, YI ,  金鐘五 ,  KIM, JONGOH ,  常虹 ,  CHANG, HONG ,  哈姆紥 依瑪茲 ,  YILMAZ, HAMZA ,  伍時謙 ,  NG, DANIEL S.

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/812

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L21/823487 ,  H01L27/06 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/456 ,  H01L29/47 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/7806 ,  H01L29/872

摘要： 本發明係有關於一種帶有整合肖特基能障二極體的溝槽MOSFET器件，其中肖特基二極體包括一個形成在半導體襯底上的半導體層；形成在半導體層中的第一和第二溝槽，其中第一和第二溝槽內襯薄電介質層，並用溝槽導體層部分填充，第一電介質層填充第一和第二溝槽的剩餘部分；以及一個形成在第一和第二溝槽之間的半導體層頂面上的肖特基金屬層。所形成的肖特基二極體中，肖特基金屬層作為陽極，第一和第二溝槽之間的半導體層作為陰極。每個第一和第二溝槽中的溝槽導體層電連接到肖特基二極體的陽極。在一個實施例中，所形成的肖特基二極體與溝槽場效應電晶體整合在同一個半導體襯底上。

简体摘要： 本发明系有关于一种带有集成肖特基能障二极管的沟槽MOSFET器件，其中肖特基二极管包括一个形成在半导体衬底上的半导体层；形成在半导体层中的第一和第二沟槽，其中第一和第二沟槽内衬薄电介质层，并用沟槽导体层部分填充，第一电介质层填充第一和第二沟槽的剩余部分；以及一个形成在第一和第二沟槽之间的半导体层顶面上的肖特基金属层。所形成的肖特基二极管中，肖特基金属层作为阳极，第一和第二沟槽之间的半导体层作为阴极。每个第一和第二沟槽中的沟槽导体层电连接到肖特基二极管的阳极。在一个实施例中，所形成的肖特基二极管与沟槽场效应晶体管集成在同一个半导体衬底上。