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公开(公告)号:TW201801270A
公开(公告)日:2018-01-01
申请号:TW105130709
申请日:2016-09-23
Inventor: 鄭禮輝 , CHENG, LI-HUI , 林俊成 , LIN, JING-CHENG , 蔡柏豪 , TSAI, PO-HAO
IPC: H01L23/485 , H01L23/28
CPC classification number: H01L25/50 , H01L21/486 , H01L21/50 , H01L21/561 , H01L21/6835 , H01L23/49805 , H01L23/49816 , H01L23/5389 , H01L24/02 , H01L24/97 , H01L2021/6009 , H01L2021/6024 , H01L2221/68318 , H01L2221/68359 , H01L2221/68368 , H01L2224/02311 , H01L2224/13024
Abstract: 一種半導體封裝及半導體封裝的製造方法。所述半導體封裝包括:重佈線層、位在重佈線層上之至少一晶粒、位在重佈線層上且於晶粒旁側之貫穿層間通孔以及包覆設置於重佈線層上的晶粒及貫穿層間通孔之模塑膠體。所述半導體封裝具有連接至貫穿層間通孔之連接結構,以及覆蓋模塑膠體與晶粒的保護膜。其保護膜係由印刷製程所形成。
Abstract in simplified Chinese: 一种半导体封装及半导体封装的制造方法。所述半导体封装包括:重布线层、位在重布线层上之至少一晶粒、位在重布线层上且于晶粒旁侧之贯穿层间通孔以及包覆设置于重布线层上的晶粒及贯穿层间通孔之模塑胶体。所述半导体封装具有连接至贯穿层间通孔之连接结构,以及覆盖模塑胶体与晶粒的保护膜。其保护膜系由印刷制程所形成。
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公开(公告)号:TWI541975B
公开(公告)日:2016-07-11
申请号:TW102129759
申请日:2013-08-20
Inventor: 林俊成 , LIN, JING CHENG , 侯上勇 , HOU, SHANG YUN
CPC classification number: H01L25/0652 , H01L21/4853 , H01L21/486 , H01L21/561 , H01L21/563 , H01L21/568 , H01L21/6836 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/20 , H01L24/81 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2021/6006 , H01L2021/6024 , H01L2224/02331 , H01L2224/0237 , H01L2224/02379 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/05024 , H01L2224/05541 , H01L2224/12105 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/17181 , H01L2224/32227 , H01L2224/73204 , H01L2224/81024 , H01L2224/96 , H01L2224/97 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06572 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H01L2224/32225 , H01L2924/00 , H01L2224/81 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/00014
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公开(公告)号:TW201413913A
公开(公告)日:2014-04-01
申请号:TW102129759
申请日:2013-08-20
Inventor: 林俊成 , LIN, JING CHENG , 侯上勇 , HOU, SHANG YUN
CPC classification number: H01L25/0652 , H01L21/4853 , H01L21/486 , H01L21/561 , H01L21/563 , H01L21/568 , H01L21/6836 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/20 , H01L24/81 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2021/6006 , H01L2021/6024 , H01L2224/02331 , H01L2224/0237 , H01L2224/02379 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/05024 , H01L2224/05541 , H01L2224/12105 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/17181 , H01L2224/32227 , H01L2224/73204 , H01L2224/81024 , H01L2224/96 , H01L2224/97 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06572 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H01L2224/32225 , H01L2924/00 , H01L2224/81 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/00014
Abstract: 本發明提供半導體封裝與其形成方法,其包含一或多個晶粒於中介晶粒上。上述方法形成第一再佈線結構於具有多個TSV的中介晶粒上,而連接至中介晶粒的晶粒其邊緣超出中介晶粒的邊緣。此外,可形成第二再佈線結構於中介晶粒的另一表面上,且另一表面與再佈線結構形成其上的表面對向。第二再佈線結構可重新排列接合結構,使其扇出式連接中介晶粒的外部連接物。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供半导体封装与其形成方法,其包含一或多个晶粒于中介晶粒上。上述方法形成第一再布线结构于具有多个TSV的中介晶粒上,而连接至中介晶粒的晶粒其边缘超出中介晶粒的边缘。此外,可形成第二再布线结构于中介晶粒的另一表面上,且另一表面与再布线结构形成其上的表面对向。第二再布线结构可重新排列接合结构,使其扇出式连接中介晶粒的外部连接物。
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