公开(公告)号：TW201526201A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：TW102148867

申请日：2013-12-27

申请人： 菱生精密工業股份有限公司

发明人： 廖建科 ,  林子智

IPC分类号： H01L25/04 ,  H01L23/34

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/4985 ,  H01L24/32 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L25/0652 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40106 ,  H01L2224/40135 ,  H01L2224/40227 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2225/06579 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/84

摘要： 一種利用導通片橋接黏貼技術之晶片堆疊結構包含有一基板、一第一晶片、至少一橋接件、一導通片及一第二晶片，第一晶片電性連接於基板之第一電極，至少一橋接件係於兩端具有一第一橋接面及一第二橋接面，第一、第二橋接面分別電性連接於第一晶片及基板之第二電極，導通片電性連接於至少一橋接件之第一橋接面，以及第二晶片堆疊且電性連接於導通片。藉此，本創作之結構不僅利於晶片之堆疊，更具有提高耐電流及散熱之功效。

简体摘要： 一种利用导通片桥接黏贴技术之芯片堆栈结构包含有一基板、一第一芯片、至少一桥接件、一导通片及一第二芯片，第一芯片电性连接于基板之第一电极，至少一桥接件系于两端具有一第一桥接面及一第二桥接面，第一、第二桥接面分别电性连接于第一芯片及基板之第二电极，导通片电性连接于至少一桥接件之第一桥接面，以及第二芯片堆栈且电性连接于导通片。借此，本创作之结构不仅利于芯片之堆栈，更具有提高耐电流及散热之功效。

公开(公告)号：TWI523166B

公开(公告)日：2016-02-21

申请号：TW101138060

申请日：2012-10-16

申请人： 日立製作所股份有限公司 ,  HITACHI, LTD.

发明人： 谷江尚史 ,  TANIE, HISASHI ,  新谷寬 ,  SHINTANI, HIROSHI ,  田中直敬 ,  TANAKA, NAOTAKA

IPC分类号： H01L23/34 ,  H01L23/12

CPC分类号： H01L23/562 ,  H01L21/52 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3736 ,  H01L23/488 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/03444 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/05011 ,  H01L2224/05016 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05564 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/11444 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13011 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13078 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/27444 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/2746 ,  H01L2224/29005 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29017 ,  H01L2224/29078 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/30181 ,  H01L2224/32105 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/3701 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/38 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40106 ,  H01L2224/40229 ,  H01L2224/4103 ,  H01L2224/41176 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/8309 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/8321 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/351 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/291 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

公开(公告)号：TWI565021B

公开(公告)日：2017-01-01

申请号：TW100121479

申请日：2011-06-20

申请人： 半導體組件工業公司 ,  SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES L.L.C.

发明人： 克里斯南 舒泰許 ,  KRISHNAN, SHUTESH ,  王順偉 ,  WANG, SOON WEI

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC分类号： H05K7/00 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3677 ,  H01L24/29 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L25/074 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32235 ,  H01L2224/32238 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/37611 ,  H01L2224/37624 ,  H01L2224/37639 ,  H01L2224/37644 ,  H01L2224/37647 ,  H01L2224/4007 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40106 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/40227 ,  H01L2224/4103 ,  H01L2224/41052 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49112 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/85423 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  Y10T29/49117 ,  Y10T29/4913 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/84

公开(公告)号：TWI534982B

公开(公告)日：2016-05-21

申请号：TW102148867

申请日：2013-12-27

申请人： 菱生精密工業股份有限公司

发明人： 廖建科 ,  林子智

IPC分类号： H01L25/04 ,  H01L23/34

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/4985 ,  H01L24/32 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L25/0652 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40106 ,  H01L2224/40135 ,  H01L2224/40227 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2225/06579 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/84

公开(公告)号：TW201334129A

公开(公告)日：2013-08-16

申请号：TW101138060

申请日：2012-10-16

申请人： 日立製作所股份有限公司 ,  HITACHI, LTD.

发明人： 谷江尚史 ,  TANIE, HISASHI ,  新谷寬 ,  SHINTANI, HIROSHI ,  田中直敬 ,  TANAKA, NAOTAKA

IPC分类号： H01L23/34 ,  H01L23/12

CPC分类号： H01L23/562 ,  H01L21/52 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3736 ,  H01L23/488 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/03444 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/05011 ,  H01L2224/05016 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05564 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/11444 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13011 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13078 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/27444 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/2746 ,  H01L2224/29005 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29017 ,  H01L2224/29078 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/30181 ,  H01L2224/32105 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/3701 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/38 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40106 ,  H01L2224/40229 ,  H01L2224/4103 ,  H01L2224/41176 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/8309 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/8321 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/351 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/291 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： 本發明係一種半導體裝置及其製造方法，其中，半導體裝置係具有將半導體晶片(1)的上面，藉由變形吸收層(2a)及接合層(3a)而電性連接於導電構件(4)，將下面藉由變形吸收層(2b)及接合層(3b)而電性連接於導電構件(5)之安裝構造。各變形吸收層(2a，2b)係由配置於厚度方向之中央的奈米構造層(7)，和夾持奈米構造層(7)之2層的板層(6，8)加以構成。奈米構造層(7)係具有將具有1μm以下尺寸的複數之奈米構造體(9)配置成平面狀之構造，經由奈米構造體(9)的變形而吸收因構成半導體裝置之各構件之熱變形差引起之熱應力。

简体摘要： 本发明系一种半导体设备及其制造方法，其中，半导体设备系具有将半导体芯片(1)的上面，借由变形吸收层(2a)及接合层(3a)而电性连接于导电构件(4)，将下面借由变形吸收层(2b)及接合层(3b)而电性连接于导电构件(5)之安装构造。各变形吸收层(2a，2b)系由配置于厚度方向之中央的奈米构造层(7)，和夹持奈米构造层(7)之2层的板层(6，8)加以构成。奈米构造层(7)系具有将具有1μm以下尺寸的复数之奈米构造体(9)配置成平面状之构造，经由奈米构造体(9)的变形而吸收因构成半导体设备之各构件之热变形差引起之热应力。

公开(公告)号：TW201222757A

公开(公告)日：2012-06-01

申请号：TW100121479

申请日：2011-06-20

申请人： 半導體組件工業公司

发明人： 克里斯南 舒泰許 ,  王順偉

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H05K7/00 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3677 ,  H01L24/29 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L25/074 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32235 ,  H01L2224/32238 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/37611 ,  H01L2224/37624 ,  H01L2224/37639 ,  H01L2224/37644 ,  H01L2224/37647 ,  H01L2224/4007 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40106 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/40227 ,  H01L2224/4103 ,  H01L2224/41052 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49112 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/85423 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  Y10T29/49117 ,  Y10T29/4913 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/84

摘要： 本發明揭示一種連接器總成及一種用於製造該連接器總成之方法。根據實施例，該連接器總成包含具有第一表面與第二表面及第一端與第二端之一電連接器。電絕緣材料之一層係由該第一端處的該第一表面之一部分形成或形成於該第一端處的該第一表面之一部分上。視情況，電絕緣材料之一層可由該第二表面形成或形成於該第二表面上。

简体摘要： 本发明揭示一种连接器总成及一种用于制造该连接器总成之方法。根据实施例，该连接器总成包含具有第一表面与第二表面及第一端与第二端之一电连接器。电绝缘材料之一层系由该第一端处的该第一表面之一部分形成或形成于该第一端处的该第一表面之一部分上。视情况，电绝缘材料之一层可由该第二表面形成或形成于该第二表面上。