公开(公告)号：TW201413839A

公开(公告)日：2014-04-01

申请号：TW102127854

申请日：2013-08-02

申请人： 瑞薩電子股份有限公司 ,  RENESAS ELECTRONICS CORPORATION

发明人： 高田圭太 ,  TAKADA, KEITA ,  團野忠敏 ,  DANNO, TADATOSHI ,  波多俊幸 ,  HATA, TOSHIYUKI

IPC分类号： H01L21/58 ,  H01L23/12

CPC分类号： H01L23/49524 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49551 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/77 ,  H01L24/84 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/3701 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40091 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40132 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48132 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/7755 ,  H01L2224/77611 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/84005 ,  H01L2224/84205 ,  H01L2224/85005 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/92246 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/207

摘要： 本發明之半導體裝置之製造方法係準備包含搭載有第1半導體晶片之第1晶片搭載部及搭載有第2半導體晶片之第2晶片搭載部的引線框架。又，該方法包含如下步驟，即，將第1金屬帶之一端連接於形成於上述第1半導體晶片之正面上之第1電極墊，將上述第1金屬帶之與上述一端為相反側之另一端連接於上述第2晶片搭載部上之帶連接面。又，於俯視時，上述第2晶片搭載部之上述帶連接面位於上述第1半導體晶片與上述第2半導體晶片之間。又，上述帶連接面之高度係配置於較上述第2晶片搭載部之上述第2半導體晶片之搭載面之高度更高之位置。

简体摘要： 本发明之半导体设备之制造方法系准备包含搭载有第1半导体芯片之第1芯片搭载部及搭载有第2半导体芯片之第2芯片搭载部的引线框架。又，该方法包含如下步骤，即，将第1金属带之一端连接于形成于上述第1半导体芯片之正面上之第1电极垫，将上述第1金属带之与上述一端为相反侧之另一端连接于上述第2芯片搭载部上之带连接面。又，于俯视时，上述第2芯片搭载部之上述带连接面位于上述第1半导体芯片与上述第2半导体芯片之间。又，上述带连接面之高度系配置于较上述第2芯片搭载部之上述第2半导体芯片之搭载面之高度更高之位置。

公开(公告)号：TW201142960A

公开(公告)日：2011-12-01

申请号：TW100104978

申请日：2011-02-15

申请人： 瑞薩電子股份有限公司

发明人： 谷藤雄一 ,  岡浩偉

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L24/73 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/743 ,  H01L24/83 ,  H01L24/84 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/03436 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04034 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/2612 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/27013 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40091 ,  H01L2224/40132 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/49433 ,  H01L2224/73219 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/743 ,  H01L2224/83051 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/84205 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/92157 ,  H01L2224/92166 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/0134 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/05442

摘要： 本發明之半導體裝置中,於向配線板之晶片搭載部上塗佈晶片接合材之步驟中所使用之衝壓噴嘴(42)之下面,設置有填充晶片接合材之凹入部(50)。凹入部(50)之平面尺寸較搭載於晶片搭載部上之晶片之外形尺寸更小。又,凹入部(50)之深度較上述晶片之厚度更小。於上述晶片之厚度為100 ���m以下之情形時,藉由使用上述衝壓噴嘴(42)向晶片搭載部上塗佈晶片接合材,可避免晶片接合材漫延至上述晶片之上面之不良情形。

简体摘要： 本发明之半导体设备中,于向配线板之芯片搭载部上涂布芯片接合材之步骤中所使用之冲压喷嘴(42)之下面,设置有填充芯片接合材之凹入部(50)。凹入部(50)之平面尺寸较搭载于芯片搭载部上之芯片之外形尺寸更小。又,凹入部(50)之深度较上述芯片之厚度更小。于上述芯片之厚度为100 ���m以下之情形时,借由使用上述冲压喷嘴(42)向芯片搭载部上涂布芯片接合材,可避免芯片接合材漫延至上述芯片之上面之不良情形。