公开(公告)号：TWI503276B

公开(公告)日：2015-10-11

申请号：TW102108797

申请日：2013-03-13

申请人： 中央研究院 ,  ACADEMIA SINICA

发明人： 林時彥 ,  LIN, SHIH YEN ,  林孟佑 ,  LIN, MENG YU

IPC分类号： C01B31/04 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L21/02527 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02664 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/7781

公开(公告)号：TW201434744A

公开(公告)日：2014-09-16

申请号：TW102108797

申请日：2013-03-13

申请人： 中央研究院 ,  ACADEMIA SINICA

发明人： 林時彥 ,  LIN, SHIH YEN ,  林孟佑 ,  LIN, MENG YU

IPC分类号： C01B31/04 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L21/02527 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02664 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/7781

摘要： 本發明係提供一種石墨烯薄膜及電晶體的石墨烯通道之製備方法，其係利用分子束磊晶技術於低溫下製備石墨烯薄膜，並且石墨烯通道可用於電晶體，其發揮了良好的電流調變之特性。

简体摘要： 本发明系提供一种石墨烯薄膜及晶体管的石墨烯信道之制备方法，其系利用分子束磊晶技术于低温下制备石墨烯薄膜，并且石墨烯信道可用于晶体管，其发挥了良好的电流调制之特性。

公开(公告)号：TWI615943B

公开(公告)日：2018-02-21

申请号：TW102100462

申请日：2013-01-07

申请人： 阿克漢科技公司 ,  AKHAN TECHNOLOGIES, INC.

发明人： 克漢 亞當 ,  KHAN, ADAM

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L29/92

CPC分类号： H01L21/0415 ,  H01L21/02085 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/043 ,  H01L21/2053 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/06 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/6603 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78 ,  H01L29/868 ,  H01L31/028 ,  H01L33/005 ,  H01L33/34 ,  Y02E10/547

公开(公告)号：TWI552340B

公开(公告)日：2016-10-01

申请号：TW102129536

申请日：2013-08-16

申请人： 獨立行政法人產業技術綜合研究所 ,  NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY

发明人： 加藤宙光 ,  KATO, HIROMITSU ,  牧野俊晴 ,  MAKINO, TOSHIHARU ,  小倉政彥 ,  OGURA, MASAHIKO ,  竹內大輔 ,  TAKEUCHI, DAISUKE ,  山崎聰 ,  YAMASAKI, SATOSHI ,  波多野睦子 ,  HATANO, MUTSUKO ,  岩崎孝之 ,  IWASAKI, TAKAYUKI

IPC分类号： H01L29/73 ,  H01L29/04

CPC分类号： H01L29/1602 ,  H01L21/02376 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/167 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/808 ,  H01L29/8083

公开(公告)号：TW201522217A

公开(公告)日：2015-06-16

申请号：TW103129824

申请日：2014-08-29

申请人： 巴斯夫歐洲公司 ,  BASF SE

发明人： 辛特曼 托比亞斯 ,  HINTERMANN, TOBIAS ,  史瓦伯 瑪提亞斯 喬格 ,  SCHWAB, MATTHIAS GEORG ,  賈 凱蒂 齊佩 ,  CHA, KIEEY CHIH-PEI ,  懷茲 湯瑪士 ,  WEITZ, THOMAS ,  雪佛 安斯加 ,  SCHAEFER, ANSGAR ,  穆勒 英克 布麗塔 ,  MUELLER, IMKE BRITTA

IPC分类号： C01B31/04 ,  B82Y40/00 ,  B82B3/00 ,  C07C15/56 ,  C07C7/00 ,  B05D5/12 ,  H01L21/283 ,  H01L21/335 ,  H01L31/042 ,  H01L51/50 ,  H01L29/786

CPC分类号： C01B31/0492 ,  C01B32/196 ,  C01B2204/06 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/66037 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78

摘要： 本發明係關於純化石墨烯奈米帶之方法，其包含：- 使包含石墨烯奈米帶GNR1及一或多種污染物之組成物與包含分散劑之液體介質接觸，且將該等石墨烯奈米帶GNR1分散於該液體介質中以獲得該等石墨烯奈米帶GNR1之液體分散液，- 使該等石墨烯奈米帶GNR1之該液體分散液經受分離處理以至少部分移除該一或多種污染物，從而獲得經純化之石墨烯奈米帶GNR1之液體分散液。

简体摘要： 本发明系关于纯化石墨烯奈米带之方法，其包含：- 使包含石墨烯奈米带GNR1及一或多种污染物之组成物与包含分散剂之液体介质接触，且将该等石墨烯奈米带GNR1分散于该液体介质中以获得该等石墨烯奈米带GNR1之液体分散液，- 使该等石墨烯奈米带GNR1之该液体分散液经受分离处理以至少部分移除该一或多种污染物，从而获得经纯化之石墨烯奈米带GNR1之液体分散液。

公开(公告)号：TW201342574A

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：TW102100462

申请日：2013-01-07

申请人： 阿克漢科技公司 ,  AKHAN TECHNOLOGIES, INC.

发明人： 克漢 亞當 ,  KHAN, ADAM

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L29/92

CPC分类号： H01L21/0415 ,  H01L21/02085 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/043 ,  H01L21/2053 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/06 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/6603 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78 ,  H01L29/868 ,  H01L31/028 ,  H01L33/005 ,  H01L33/34 ,  Y02E10/547

摘要： 本文揭示一種用於製造單片積體鑽石半導體之新的且經改良之系統及方法。該方法可包含以下步驟：種晶於一基板材料之表面；在該基板材料之表面上形成一鑽石層；及在該鑽石層內形成一半導體層，其中該半導體層之鑽石半導體具有n型供體原子及一鑽石晶格，其中在100 kPa及300K下該等供體原子之至少0.16%對該鑽石晶格貢獻具有大於770 cm2/Vs之遷移率之傳導電子。

简体摘要： 本文揭示一种用于制造单片积体钻石半导体之新的且经改良之系统及方法。该方法可包含以下步骤：种晶于一基板材料之表面；在该基板材料之表面上形成一钻石层；及在该钻石层内形成一半导体层，其中该半导体层之钻石半导体具有n型供体原子及一钻石晶格，其中在100 kPa及300K下该等供体原子之至少0.16%对该钻石晶格贡献具有大于770 cm2/Vs之迁移率之传导电子。

公开(公告)号：TW201730970A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：TW105136715

申请日：2016-11-10

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 紀莫曼 保羅 ,  ZIMMERMAN, PAUL ,  楊 艾恩 ,  YOUNG, IAN A. ,  蔡 威爾曼 ,  TSAI, WILMAN

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L21/283 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L29/1606 ,  C01B32/182 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/66356 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/778

摘要： 使分子能夠適合作為諸如穿隧場效電晶體(TFET)等電子裝置中的通道材料之具實體尺寸及結合特性的分子石墨烯(MG)。分子石墨烯可以是被利用作為主動或被動電子裝置內的離散元素或作為重複單元之大多環芳香烴碳氫化合物(PAH)。在一些實施例中，官能性PAH係配置在基板表面上並且延伸在複數個貫穿基板通孔之間。基板上的異質表面被用來將官能性PAH分子直接沉積到對此列通孔有縫隙的表面處。以導電材料回填通孔作為自校直的源極/汲極接點。直接自組裝技術可被用來形成耦合到導電通孔材料之局部互連線。在一些實施例中，包含一線性陣列的PAH分子之以石墨烯為基礎的互連係形成在基板上。

简体摘要： 使分子能够适合作为诸如穿隧场效应管(TFET)等电子设备中的信道材料之具实体尺寸及结合特性的分子石墨烯(MG)。分子石墨烯可以是被利用作为主动或被动电子设备内的离散元素或作为重复单元之大多环芳香烃碳氢化合物(PAH)。在一些实施例中，官能性PAH系配置在基板表面上并且延伸在复数个贯穿基板通孔之间。基板上的异质表面被用来将官能性PAH分子直接沉积到对此列通孔有缝隙的表面处。以导电材料回填通孔作为自校直的源极/汲极接点。直接自组装技术可被用来形成耦合到导电通孔材料之局部互连接。在一些实施例中，包含一线性数组的PAH分子之以石墨烯为基础的互连系形成在基板上。

公开(公告)号：TWI488310B

公开(公告)日：2015-06-11

申请号：TW103125747

申请日：2014-07-28

申请人： 美光科技公司 ,  MICRON TECHNOLOGY, INC.

发明人： 米迪 羅伊E ,  MEADE, ROY E. ,  潘迪 蘇密特C ,  PANDEY, SUMEET C.

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/02

CPC分类号： H01L29/1606 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02664 ,  H01L27/092 ,  H01L29/165 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78 ,  Y02E10/50

公开(公告)号：TW201501290A

公开(公告)日：2015-01-01

申请号：TW103103500

申请日：2014-01-29

申请人： 獨立行政法人產業技術總合研究所 ,  NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY

发明人： 佐藤信太郎 ,  SATO, SHINTARO ,  山田綾香 ,  YAMADA, AYAKA ,  八木克典 ,  YAGI, KATSUNORI ,  高橋慎 ,  TAKAHASHI, MAKOTO

IPC分类号： H01L29/73 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L51/0562 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/42312 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/808 ,  H01L29/8086 ,  H01L51/0002 ,  H01L51/0032 ,  H01L51/004 ,  H01L51/0045 ,  H01L51/0094 ,  H01L2251/10

摘要： 一種電子裝置，係含有奈米碳材料及與奈米碳材料電連接之一對電極，並含有下層及上層，其中該下層係形成於奈米碳材料下且由具有摻雜功能之至少1種分子材料所構成，該上層係形成於奈米碳材料上且由具有相反極性的摻雜功能之至少2種分子材料所構成；奈米碳材料係藉由下層及上層而在一對電極間的區域構成選自NPN結構、PNP結構、N+P-P+結構、及P+N-N+結構之1種。依照該構成，實現一種藉由比較簡便的結構將奈米碳材料使用作為通道之可靠性高的電子裝置，其中該奈米碳材料係使用分子材料形成有能帶隙(band gap)。

简体摘要： 一种电子设备，系含有奈米碳材料及与奈米碳材料电连接之一对电极，并含有下层及上层，其中该下层系形成于奈米碳材料下且由具有掺杂功能之至少1种分子材料所构成，该上层系形成于奈米碳材料上且由具有相反极性的掺杂功能之至少2种分子材料所构成；奈米碳材料系借由下层及上层而在一对电极间的区域构成选自NPN结构、PNP结构、N+P-P+结构、及P+N-N+结构之1种。依照该构成，实现一种借由比较简便的结构将奈米碳材料使用作为信道之可靠性高的电子设备，其中该奈米碳材料系使用分子材料形成有能带隙(band gap)。

公开(公告)号：TW200717796A

公开(公告)日：2007-05-01

申请号：TW095115454

申请日：2006-05-01

申请人： 六元件有限公司 ELEMENT SIX LIMITED

发明人： 史卡斯布魯克 葛佛理A. SCARSBROOK, GEOFFREY ALAN ,  特威夏恩 丹尼爾J. TWITCHEN, DANIEL JAMES ,  沃特 克里斯多福J. H. WORT, CHRISTOPHER JOHN HOWARD ,  希屈威特斯 麥可 SCHWITTERS, MICHAEL ,  寇恩 伊哈德 KOHN, ERHARD

IPC分类号： H01L

CPC分类号： C30B25/20 ,  C30B29/04 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/66045

摘要： 一製造一通常為MESFET的電晶體之方法係包括提供一包含單晶鑽石材料之基材,其具有一可在上方沉積進一步鑽石材料層之成長表面。基材較佳由一CVD程序形成且具有高純度。成長表面具有3奈米或更小的均方根粗度,且無大於3奈米的階部或突部。進一步的鑽石層係沉積在成長表面上以界定電晶體的主動區。一視需要選用的n+屏蔽層可形成於基材中或上,接著係沉積一額外層的高純度鑽石。該方法的一實施例中,一層本徵性鑽石直接地形成於高純度層的上表面上,接著係為一經硼摻雜(經三角(delta)摻雜)層。一溝道形成於經三角摻雜層中以界定一閘極區,而一層絕緣材料隨後沉積在溝道及經三角摻雜層的相鄰部分上方。一金屬閘極接觸部係形成於絕緣層上的閘極區上方,且將歐姆源極及汲極接觸部製成為經曝露的經三角摻雜層之分開區域,藉以界定一場效電晶體結構。描述該方法的其他實施例及變異。

简体摘要： 一制造一通常为MESFET的晶体管之方法系包括提供一包含单晶钻石材料之基材,其具有一可在上方沉积进一步钻石材料层之成长表面。基材较佳由一CVD进程形成且具有高纯度。成长表面具有3奈米或更小的均方根粗度,且无大于3奈米的阶部或突部。进一步的钻石层系沉积在成长表面上以界定晶体管的主动区。一视需要选用的n+屏蔽层可形成于基材中或上,接着系沉积一额外层的高纯度钻石。该方法的一实施例中,一层本征性钻石直接地形成于高纯度层的上表面上,接着系为一经硼掺杂(经三角(delta)掺杂)层。一沟道形成于经三角掺杂层中以界定一闸极区,而一层绝缘材料随后沉积在沟道及经三角掺杂层的相邻部分上方。一金属闸极接触部系形成于绝缘层上的闸极区上方,且将欧姆源极及汲极接触部制成为经曝露的经三角掺杂层之分开区域,借以界定一场效应管结构。描述该方法的其他实施例及变异。