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公开(公告)号:TW201413786A
公开(公告)日:2014-04-01
申请号:TW102128888
申请日:2013-08-12
发明人: 威普林格 馬克斯 , WIMPLINGER, MARKUS , 瑞柏翰 柏赫德 , REBHAN, BERNHARD
IPC分类号: H01L21/205 , H01L21/3205
CPC分类号: B32B37/16 , B23K20/02 , B23K20/023 , B23K20/026 , B23K20/16 , B23K20/24 , B32B37/10 , B32B37/12 , B32B38/0036 , B32B2309/025 , B32B2309/12 , B32B2311/12 , C23C14/24 , C23C16/44 , C23C28/02 , C25D5/00 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2224/2745 , H01L2224/27452 , H01L2224/27462 , H01L2224/27464 , H01L2224/29082 , H01L2224/29083 , H01L2224/29147 , H01L2224/29166 , H01L2224/29181 , H01L2224/29644 , H01L2224/29647 , H01L2224/29664 , H01L2224/29666 , H01L2224/29684 , H01L2224/83013 , H01L2224/83065 , H01L2224/83075 , H01L2224/8309 , H01L2224/83097 , H01L2224/83099 , H01L2224/83193 , H01L2224/83203 , H01L2224/8382 , H01L2924/10253 , H01L2924/351 , Y10T156/10 , H01L2924/20103 , H01L2924/20104 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/20111 , H01L2924/2011 , H01L2924/01001 , H01L2924/01007 , H01L2924/01018 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要: 本發明係關於一種藉由沉積第一材料而對第一基板(1)塗佈第一擴散接合層(5)之方法,其在第一基板(1)之第一表面(1o)上形成第一擴散接合層(5),以使該第一擴散接合層(5)形成具有小於1μm之與該第一表面(1o)平行之平均粒徑H之粒表面。此外,本發明係關於一種採用以下步驟,尤其係以下順序將已如此塗佈之第一基板(1)接合至具有第二擴散接合層(4)之第二基板(3)之方法:- 使第一基板(1)之第一擴散接合層(5)與第二基板(3)之第二擴散接合層接觸,- 將該等基板(1、3)壓在一起而形成該第一及第二基板(1、3)間之永久金屬擴散接合。
简体摘要: 本发明系关于一种借由沉积第一材料而对第一基板(1)涂布第一扩散接合层(5)之方法,其在第一基板(1)之第一表面(1o)上形成第一扩散接合层(5),以使该第一扩散接合层(5)形成具有小于1μm之与该第一表面(1o)平行之平均粒径H之粒表面。此外,本发明系关于一种采用以下步骤,尤其系以下顺序将已如此涂布之第一基板(1)接合至具有第二扩散接合层(4)之第二基板(3)之方法:- 使第一基板(1)之第一扩散接合层(5)与第二基板(3)之第二扩散接合层接触,- 将该等基板(1、3)压在一起而形成该第一及第二基板(1、3)间之永久金属扩散接合。
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2.減少焊料上氧化物形成之技術 REDUCING FORMATION OF OXIDE ON SOLDER 审中-公开
简体标题: 减少焊料上氧化物形成之技术 REDUCING FORMATION OF OXIDE ON SOLDER公开(公告)号:TW201227843A
公开(公告)日:2012-07-01
申请号:TW100135872
申请日:2011-10-04
申请人: 雷神公司
CPC分类号: B23K1/206 , B23K1/0016 , B23K1/008 , B23K1/20 , B23K1/203 , B23K3/047 , B23K3/08 , B23K2201/40 , H01L21/67092 , H01L21/67173 , H01L21/67207 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/742 , H01L24/75 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L2224/0401 , H01L2224/056 , H01L2224/27318 , H01L2224/27334 , H01L2224/2745 , H01L2224/2746 , H01L2224/2781 , H01L2224/27826 , H01L2224/291 , H01L2224/29144 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/7501 , H01L2224/75102 , H01L2224/83013 , H01L2224/83201 , H01L2224/834 , H01L2224/83815 , H01L2224/94 , H01L2924/01029 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/181 , H01L2224/83 , H01L2924/0105 , H01L2924/00
摘要: 在某些實施例中,一系統包括一沈積系統及一電漿/接合系統。該沈積系統由複數個基材之一基材向外沈積一焊料。該電漿/接合系統包含一組配成電漿清潔該基材之電漿系統及一組配成接合該等基材之接合系統。該電漿/接合系統至少減少該焊料之再氧化。在某些實施例中,一方法包含由一基材向外沈積焊料,由該基材移除金屬氧化物,及由該基材向外沈積一覆蓋層以便至少減少該焊料之再氧化。
简体摘要: 在某些实施例中,一系统包括一沉积系统及一等离子/接合系统。该沉积系统由复数个基材之一基材向外沉积一焊料。该等离子/接合系统包含一组配成等离子清洁该基材之等离子系统及一组配成接合该等基材之接合系统。该等离子/接合系统至少减少该焊料之再氧化。在某些实施例中,一方法包含由一基材向外沉积焊料,由该基材移除金属氧化物,及由该基材向外沉积一覆盖层以便至少减少该焊料之再氧化。
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公开(公告)号:TWI541909B
公开(公告)日:2016-07-11
申请号:TW100135872
申请日:2011-10-04
申请人: 雷神公司 , RAYTHEON COMPANY
发明人: 迪柏 布 , DIEP, BUU , 柯席恩 湯瑪斯A , KOCIAN, THOMAS A. , 葛奇 羅蘭德W , GOOCH, ROLAND W.
CPC分类号: B23K1/206 , B23K1/0016 , B23K1/008 , B23K1/20 , B23K1/203 , B23K3/047 , B23K3/08 , B23K2201/40 , H01L21/67092 , H01L21/67173 , H01L21/67207 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/742 , H01L24/75 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L2224/0401 , H01L2224/056 , H01L2224/27318 , H01L2224/27334 , H01L2224/2745 , H01L2224/2746 , H01L2224/2781 , H01L2224/27826 , H01L2224/291 , H01L2224/29144 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/7501 , H01L2224/75102 , H01L2224/83013 , H01L2224/83201 , H01L2224/834 , H01L2224/83815 , H01L2224/94 , H01L2924/01029 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/181 , H01L2224/83 , H01L2924/0105 , H01L2924/00
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公开(公告)号:TW201612991A
公开(公告)日:2016-04-01
申请号:TW104123504
申请日:2015-07-20
申请人: 艾克斯瑟樂普林特有限公司 , X-CELEPRINT LIMITED
发明人: 鮑爾 克里斯多夫 , BOWER, CHRISTOPHER , 梅特 馬修 , MEITL, MATTHEW , 尼柏格 大衛 , KNEEBURG, DAVID , 高梅茲 大衛 , GOMEZ, DAVID , 波納菲德 薩瓦托瑞 , BONAFEDE, SALVATORE
IPC分类号: H01L21/48 , H01L21/467
CPC分类号: B41F16/00 , B25J15/00 , B41F16/0046 , B41F16/006 , B41F16/0073 , B41K3/04 , B41K3/12 , H01L21/3065 , H01L21/52 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L21/67103 , H01L21/683 , H01L21/6835 , H01L23/293 , H01L23/3171 , H01L24/75 , H01L24/83 , H01L24/97 , H01L25/50 , H01L31/1892 , H01L2221/68318 , H01L2221/68354 , H01L2221/68368 , H01L2221/68377 , H01L2221/68381 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/75315 , H01L2224/7598 , H01L2224/83001 , H01L2224/83011 , H01L2224/83013 , H01L2224/83024 , H01L2224/832 , H01L2224/83894 , H01L2224/83895 , H01L2924/10253 , H01L2924/1032 , H01L2924/10328 , H01L2924/10329 , H01L2924/10332 , H01L2924/10335 , H01L2924/10336 , H01L2924/10337 , H01L2924/10338 , H01L2924/1034
摘要: 在一態樣中,揭示一種用於將一半導體器件組裝於一目的地基板之一接收表面上之系統及方法。在另一態樣中,揭示一種用於將一半導體器件組裝於具有形貌特徵之一目的地基板上之系統及方法。在另一態樣中,揭示一種用於印刷半導體器件之重力輔助分離系統及方法。在另一態樣中,揭示用於印刷半導體器件之一轉貼器件之各種特徵。
简体摘要: 在一态样中,揭示一种用于将一半导体器件组装于一目的地基板之一接收表面上之系统及方法。在另一态样中,揭示一种用于将一半导体器件组装于具有形貌特征之一目的地基板上之系统及方法。在另一态样中,揭示一种用于印刷半导体器件之重力辅助分离系统及方法。在另一态样中,揭示用于印刷半导体器件之一转贴器件之各种特征。
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公开(公告)号:TW201344807A
公开(公告)日:2013-11-01
申请号:TW101114983
申请日:2012-04-26
发明人: 殷宏林 , YIN, HUNG LIN , 謝哲偉 , HSIEH, JER WEI , 林立元 , LIN, LI YUAN
IPC分类号: H01L21/50
CPC分类号: H01L23/49866 , B81C1/00269 , B81C2203/019 , H01L21/50 , H01L21/76251 , H01L23/10 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/95 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0347 , H01L2224/03614 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05073 , H01L2224/05166 , H01L2224/05171 , H01L2224/05655 , H01L2224/05669 , H01L2224/1145 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/11614 , H01L2224/1308 , H01L2224/13082 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/16148 , H01L2224/16238 , H01L2224/16503 , H01L2224/16507 , H01L2224/2745 , H01L2224/27462 , H01L2224/2747 , H01L2224/27614 , H01L2224/29011 , H01L2224/2908 , H01L2224/29082 , H01L2224/29084 , H01L2224/29111 , H01L2224/29139 , H01L2224/32146 , H01L2224/32148 , H01L2224/32235 , H01L2224/32238 , H01L2224/32503 , H01L2224/32507 , H01L2224/48091 , H01L2224/48148 , H01L2224/48228 , H01L2224/48463 , H01L2224/73103 , H01L2224/73203 , H01L2224/73215 , H01L2224/81011 , H01L2224/81013 , H01L2224/81022 , H01L2224/81121 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/81825 , H01L2224/81948 , H01L2224/83011 , H01L2224/83013 , H01L2224/83022 , H01L2224/83121 , H01L2224/83193 , H01L2224/83203 , H01L2224/83805 , H01L2224/83825 , H01L2224/83948 , H01L2224/9202 , H01L2224/92147 , H01L2224/95 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/1461 , H01L2924/15787 , H01L2924/16235 , H01L2924/351 , H01L2924/00015 , H01L2224/83 , H01L2224/85 , H01L2224/81 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要: 本發明提供一種基材的接合方法,包含:首先提供一第一基材和一第二基材,其中一第一銀層覆蓋第一基材之表面,一第二銀層覆蓋第二基材之表面以及一金屬層覆蓋第二銀層,其中金屬層包含一第一鍚層,接著進行一接合製程,將第一基材與第二基材對準,使得金屬層和第一銀層接觸,並且施加負載並加熱至一預定溫度以生成Ag3Sn金屬間化合物,最後降溫並移除負載,完成接合製程。
简体摘要: 本发明提供一种基材的接合方法,包含:首先提供一第一基材和一第二基材,其中一第一银层覆盖第一基材之表面,一第二银层覆盖第二基材之表面以及一金属层覆盖第二银层,其中金属层包含一第一钖层,接着进行一接合制程,将第一基材与第二基材对准,使得金属层和第一银层接触,并且施加负载并加热至一预定温度以生成Ag3Sn金属间化合物,最后降温并移除负载,完成接合制程。
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公开(公告)号:TW201803156A
公开(公告)日:2018-01-16
申请号:TW106107324
申请日:2017-03-07
发明人: 胡普曼 索菲亞 , HUPPMANN, SOPHIA , 卡茲 西緬 , KATZ, SIMEON , 曾格爾 馬庫斯 , ZENGER, MARCUS
CPC分类号: H01L33/0079 , H01L25/0756 , H01L33/382 , H01L33/42 , H01L33/62 , H01L2224/81013 , H01L2224/81894 , H01L2224/81895 , H01L2224/81896 , H01L2224/83013 , H01L2224/83894 , H01L2224/83895 , H01L2224/83896 , H01L2933/0016
摘要: 本發明涉及一種光電組件(50),具有:半導體本體(10a、10b、10c),其具有光學活性區(12);載體(60);以及多對連接層(30a、30b、30c),其具有第一連接層(32)和第二連接層(34),此處:該半導體本體配置在該載體上,第一連接層配置在該半導體本體和該載體之間且與該半導體本體相連接,第二連接層配置在第一連接層和該載體之間,由第一連接層和第二連接層選取的至少一層包含一種可透過輻射的、且可導電的氧化物,第一連接層和第二連接層至少以區域方式在一個或多個連接區中直接互相連接,使該對連接層促成該半導體本體機械地聯結至該載體。此外,本發明涉及一種製造組件的方法。
简体摘要: 本发明涉及一种光电组件(50),具有:半导体本体(10a、10b、10c),其具有光学活性区(12);载体(60);以及多对连接层(30a、30b、30c),其具有第一连接层(32)和第二连接层(34),此处:该半导体本体配置在该载体上,第一连接层配置在该半导体本体和该载体之间且与该半导体本体相连接,第二连接层配置在第一连接层和该载体之间,由第一连接层和第二连接层选取的至少一层包含一种可透过辐射的、且可导电的氧化物,第一连接层和第二连接层至少以区域方式在一个或多个连接区中直接互相连接,使该对连接层促成该半导体本体机械地联结至该载体。此外,本发明涉及一种制造组件的方法。
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公开(公告)号:TWI590485B
公开(公告)日:2017-07-01
申请号:TW102126157
申请日:2013-07-22
发明人: 威普林格 馬克斯 , WIMPLINGER, MARKUS
IPC分类号: H01L31/18 , H01L31/042
CPC分类号: H01L24/83 , B32B37/24 , B32B38/0008 , B32B2037/243 , B32B2037/246 , B32B2457/14 , C23C14/08 , C23C14/081 , C23C14/086 , C23C16/40 , C23C16/403 , C23C16/407 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/75 , H01L31/18 , H01L2224/2741 , H01L2224/27418 , H01L2224/2745 , H01L2224/27452 , H01L2224/278 , H01L2224/27848 , H01L2224/2908 , H01L2224/29187 , H01L2224/29287 , H01L2224/29394 , H01L2224/29395 , H01L2224/3201 , H01L2224/32145 , H01L2224/32501 , H01L2224/7501 , H01L2224/75101 , H01L2224/83001 , H01L2224/83002 , H01L2224/83011 , H01L2224/83012 , H01L2224/83013 , H01L2224/83065 , H01L2224/83075 , H01L2224/8322 , H01L2224/8383 , H01L2224/83896 , H01L2224/83907 , H01L2924/01009 , H01L2924/01013 , H01L2924/0103 , H01L2924/01031 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/053 , H01L2924/12042 , H01L2924/20102 , H01L2924/0549 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/0531 , H01L2924/01001 , H01L2924/01008 , H01L2924/00
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公开(公告)号:TWI557811B
公开(公告)日:2016-11-11
申请号:TW101123933
申请日:2012-07-03
发明人: 瑞柏翰 柏赫德 , REBHAN, BERNHARD , 威普林格 馬克斯 , WIMPLINGER, MARKUS , 馬丁舒茲 克勞斯 , MARTINSCHITZ, KLAUS , 亨格爾 克特 , HINGERL, KURT
IPC分类号: H01L21/50
CPC分类号: H01L21/76251 , B23K20/021 , B23K20/023 , B23K35/001 , B23K35/0255 , B23K35/262 , B23K35/302 , B23K2201/40 , H01L21/185 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/038 , H01L2224/0384 , H01L2224/04026 , H01L2224/05557 , H01L2224/05647 , H01L2224/0801 , H01L2224/08501 , H01L2224/2745 , H01L2224/27452 , H01L2224/275 , H01L2224/27505 , H01L2224/278 , H01L2224/2784 , H01L2224/29019 , H01L2224/2908 , H01L2224/29111 , H01L2224/29124 , H01L2224/29144 , H01L2224/29147 , H01L2224/29166 , H01L2224/29181 , H01L2224/29184 , H01L2224/29211 , H01L2224/29311 , H01L2224/29347 , H01L2224/3201 , H01L2224/325 , H01L2224/32501 , H01L2224/7565 , H01L2224/83013 , H01L2224/83022 , H01L2224/83191 , H01L2224/83193 , H01L2224/83203 , H01L2224/83345 , H01L2224/83365 , H01L2224/83385 , H01L2224/838 , H01L2224/8383 , H01L2224/8384 , H01L2224/94 , H01L2924/01029 , H01L2924/01327 , H01L2924/1434 , H01L2924/351 , H01L2924/3511 , H01L2924/0105 , H01L2224/83
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公开(公告)号:TW201407696A
公开(公告)日:2014-02-16
申请号:TW102110936
申请日:2013-03-27
发明人: 植田充彥 , UEDA, MITSUHIKO , 佐名川佳治 , SANAGAWA, YOSHIHARU , 明田孝典 , AKETA, TAKANORI , 林真太郎 , HAYASHI, SHINTARO
IPC分类号: H01L21/58
CPC分类号: H01L24/97 , B23K20/00 , H01L21/52 , H01L21/6836 , H01L24/05 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/30 , H01L24/32 , H01L24/75 , H01L24/83 , H01L2221/68327 , H01L2221/68381 , H01L2224/04026 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05664 , H01L2224/05669 , H01L2224/2745 , H01L2224/2746 , H01L2224/29011 , H01L2224/29012 , H01L2224/29013 , H01L2224/2908 , H01L2224/29082 , H01L2224/29111 , H01L2224/29144 , H01L2224/29147 , H01L2224/3003 , H01L2224/32225 , H01L2224/32227 , H01L2224/32501 , H01L2224/32505 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/75252 , H01L2224/75301 , H01L2224/75744 , H01L2224/75745 , H01L2224/75753 , H01L2224/75901 , H01L2224/7598 , H01L2224/8301 , H01L2224/83013 , H01L2224/83065 , H01L2224/83075 , H01L2224/8309 , H01L2224/83123 , H01L2224/83127 , H01L2224/83193 , H01L2224/83203 , H01L2224/83207 , H01L2224/83805 , H01L2224/83825 , H01L2224/8383 , H01L2224/83906 , H01L2224/83907 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2924/01322 , H01L2924/10161 , H01L2924/10162 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/12043 , H01L2924/1461 , H01L2224/83 , H01L2924/0105 , H01L2924/00014 , H01L2924/01032 , H01L2924/01083 , H01L2924/01029 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要: 本發明係一種在基板上安裝複數個晶片的安裝方法,包含:暫時接合步驟,其將複數個晶片暫時接合於基板上;以及正式接合步驟,其將暫時接合於基板上的複數個晶片正式接合於基板上。暫時接合步驟,依照欲安裝於基板上之複數個晶片的數目,重複進行由第1階段與第2階段所構成的第1基本步驟。第1階段,將基板的第1金屬層與晶片的第2金屬層二者的位置對準。第2階段,使第2金屬層與第1金屬層藉由固相擴散接合而暫時接合。正式接合步驟,其依照基板上的複數個晶片的數目,重複進行由第3階段與第4階段所構成的第2基本步驟。第3階段,識別出暫時接合於基板上的晶片的位置。第4階段,使第2金屬層與第1金屬層液相擴散接合,藉此將其正式接合。
简体摘要: 本发明系一种在基板上安装复数个芯片的安装方法,包含:暂时接合步骤,其将复数个芯片暂时接合于基板上;以及正式接合步骤,其将暂时接合于基板上的复数个芯片正式接合于基板上。暂时接合步骤,依照欲安装于基板上之复数个芯片的数目,重复进行由第1阶段与第2阶段所构成的第1基本步骤。第1阶段,将基板的第1金属层与芯片的第2金属层二者的位置对准。第2阶段,使第2金属层与第1金属层借由固相扩散接合而暂时接合。正式接合步骤,其依照基板上的复数个芯片的数目,重复进行由第3阶段与第4阶段所构成的第2基本步骤。第3阶段,识别出暂时接合于基板上的芯片的位置。第4阶段,使第2金属层与第1金属层液相扩散接合,借此将其正式接合。
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公开(公告)号:TWI606491B
公开(公告)日:2017-11-21
申请号:TW102128888
申请日:2013-08-12
发明人: 威普林格 馬克斯 , WIMPLINGER, MARKUS , 瑞柏翰 柏赫德 , REBHAN, BERNHARD
IPC分类号: H01L21/205 , H01L21/3205
CPC分类号: B32B37/16 , B23K20/02 , B23K20/023 , B23K20/026 , B23K20/16 , B23K20/24 , B32B37/10 , B32B37/12 , B32B38/0036 , B32B2309/025 , B32B2309/12 , B32B2311/12 , C23C14/24 , C23C16/44 , C23C28/02 , C25D5/00 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2224/2745 , H01L2224/27452 , H01L2224/27462 , H01L2224/27464 , H01L2224/29082 , H01L2224/29083 , H01L2224/29147 , H01L2224/29166 , H01L2224/29181 , H01L2224/29644 , H01L2224/29647 , H01L2224/29664 , H01L2224/29666 , H01L2224/29684 , H01L2224/83013 , H01L2224/83065 , H01L2224/83075 , H01L2224/8309 , H01L2224/83097 , H01L2224/83099 , H01L2224/83193 , H01L2224/83203 , H01L2224/8382 , H01L2924/10253 , H01L2924/351 , Y10T156/10 , H01L2924/20103 , H01L2924/20104 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/20111 , H01L2924/2011 , H01L2924/01001 , H01L2924/01007 , H01L2924/01018 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
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