公开(公告)号：TW201633534A

公开(公告)日：2016-09-16

申请号：TW104141659

申请日：2015-12-11

Applicant: 萊豪森機械工廠有限公司 ,  MASCHINENFABRIK REINHAUSEN GMBH ,  沃威克風險投資有限公司 ,  WARWICK VENTURES LTD.

Inventor： 布萊安特 安古斯 ,  BRYANT, ANGUS ,  摩白 菲利浦 安卓 ,  PROFESSOR MAWBY, PHILIP ANDREW

IPC: H01L29/267 ,  H01L29/778 ,  H01L29/16 ,  H01L29/20 ,  H01L29/808

CPC classification number: H01L29/7788 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/267 ,  H01L29/8083

Abstract: 本發明係有關於一種混合裝置、一種結合JFET以及HEMT裝置之結構、以及一種製造結合JFET以及HEMT裝置之結構之方法，特別是一種包括汲極端、源極端以及閘極端之混合裝置，其中混合裝置包括：一高電子遷移率電晶體(HEMT)；以及一與HEMT串聯耦接之接面場效電晶體(JFET)，其中HEMT以及JFET各自包括一閘極區、一源極傳導區與一汲極傳導區，以及其中JFET之閘極區係耦接至HEMT之一第一所述之傳導區。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系有关于一种混合设备、一种结合JFET以及HEMT设备之结构、以及一种制造结合JFET以及HEMT设备之结构之方法，特别是一种包括汲极端、源极端以及闸极端之混合设备，其中混合设备包括：一高电子迁移率晶体管(HEMT)；以及一与HEMT串联耦接之接面场效应管(JFET)，其中HEMT以及JFET各自包括一闸极区、一源极传导区与一汲极传导区，以及其中JFET之闸极区系耦接至HEMT之一第一所述之传导区。

公开(公告)号：TW201730937A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：TW105139311

申请日：2016-11-29

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 陳奕升 ,  CHEN, I SHENG ,  吳政憲 ,  WU, CHENG HSIEN ,  葉致鍇 ,  YEH, CHIH CHIEH

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/24 ,  H01L29/267 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78618 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/82385 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/16 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/267 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/6681 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/7853 ,  H01L29/78696

Abstract: 一種半導體元件包含：第一通道層，其設置於基板上方；第一源極/汲極區，其設置於基板上方；閘極介電層，其設置於第一通道層中之每一者上且纏繞第一通道層中之每一者；以及閘電極層，其設置於閘極介電層上且纏繞第一通道層中之每一者。第一通道層中之每一者包含由第一半導體材料製成之半導體線。半導體線延伸至第一源極/汲極區中。第一源極/汲極區中之半導體線由第二半導體材料捲繞。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体组件包含：第一信道层，其设置于基板上方；第一源极/汲极区，其设置于基板上方；闸极介电层，其设置于第一信道层中之每一者上且缠绕第一信道层中之每一者；以及闸电极层，其设置于闸极介电层上且缠绕第一信道层中之每一者。第一信道层中之每一者包含由第一半导体材料制成之半导体线。半导体线延伸至第一源极/汲极区中。第一源极/汲极区中之半导体线由第二半导体材料卷绕。

公开(公告)号：TW201637200A

公开(公告)日：2016-10-16

申请号：TW104127957

申请日：2015-08-26

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 蔡俊雄 ,  TSAI, CHUNHSIUNG ,  陳科維 ,  CHEN, KEIWEI

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/306 ,  H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/66 ,  H01L29/06 ,  H01L29/267 ,  H01L21/324 ,  H01L29/08

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/306 ,  H01L29/165 ,  H01L29/267 ,  H01L29/7847 ,  H01L29/7851

Abstract: 一種包含鰭狀結構之半導體元件，其中半導體元件包括鰭狀場效電晶體，而鰭狀場效電晶體包括設於基材上的鰭狀結構。鰭狀結構包括通道層。鰭狀場效電晶體亦包括閘極結構，閘極結構包括閘極電極層和閘極介電層，且閘極結構覆蓋鰭狀結構的一部分。側壁絕緣層係設於閘極電極層之二主側上。鰭狀場效電晶體包含源極和汲極，其中源極和汲極的每一者包括設於凹陷中的應力源層，且凹陷係由移除未被閘極結構覆蓋的鰭狀結構所形成。應力源層包括依序疊設的第一應力源層、第二應力源層以及第三應力源層。在源極中，第一應力源層和通道層間的界面係位於較靠近源極或閘極電極層側壁絕緣層中的一者下。

Abstract in simplified Chinese: 一种包含鳍状结构之半导体组件，其中半导体组件包括鳍状场效应管，而鳍状场效应管包括设于基材上的鳍状结构。鳍状结构包括信道层。鳍状场效应管亦包括闸极结构，闸极结构包括闸极电极层和闸极介电层，且闸极结构覆盖鳍状结构的一部分。侧壁绝缘层系设于闸极电极层之二主侧上。鳍状场效应管包含源极和汲极，其中源极和汲极的每一者包括设于凹陷中的应力源层，且凹陷系由移除未被闸极结构覆盖的鳍状结构所形成。应力源层包括依序叠设的第一应力源层、第二应力源层以及第三应力源层。在源极中，第一应力源层和信道层间的界面系位于较靠近源极或闸极电极层侧壁绝缘层中的一者下。

公开(公告)号：TWI682441B

公开(公告)日：2020-01-11

申请号：TW106116616

申请日：2017-05-19

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 黃翊銘 ,  HUANG, YI MIN ,  張世杰 ,  CHANG, SHIH CHIEH ,  李承翰 ,  LEE, CHENG HAN

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/08 ,  H01L29/16 ,  H01L29/24 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

公开(公告)号：TWI636497B

公开(公告)日：2018-09-21

申请号：TW105139311

申请日：2016-11-29

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 陳奕升 ,  CHEN, I SHENG ,  吳政憲 ,  WU, CHENG HSIEN ,  葉致鍇 ,  YEH, CHIH CHIEH

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/24 ,  H01L29/267 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

公开(公告)号：TW201727892A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：TW105138378

申请日：2016-11-23

Applicant: 格羅方德半導體公司 ,  GLOBALFOUNDRIES US INC.

Inventor： 克力斯南 西德斯A ,  KRISHNAN, SIDDARTH A. ,  光允 ,  KWON, UNOH ,  納拉瓦納恩 夫亞 ,  NARAYANAN, VIJAY ,  史葛特 傑夫W ,  SLEIGHT, JEFFREY W.

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/267 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66977 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66356 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78696

Abstract: 異質接面穿隧場效應電晶體(tunnel field effect transistor；TFET)具有包括奈米線的第一部分的通道區，分別包括奈米線的第二部分及第三部分的源區及汲區，以及圍繞該通道區的閘極，其中，該奈米線的該第一部分包括本征、磊晶III-V族半導體。為製造該TFET，可選擇性蝕刻磊晶下層以定義繫鏈(tethered)(懸掛(suspended))奈米線，該奈米線形成該裝置的通道區。源區及汲區可由再生長的p型及n型磊晶層形成。

Abstract in simplified Chinese: 异质接面穿隧场效应晶体管(tunnel field effect transistor；TFET)具有包括奈米线的第一部分的信道区，分别包括奈米线的第二部分及第三部分的源区及汲区，以及围绕该信道区的闸极，其中，该奈米线的该第一部分包括本征、磊晶III-V族半导体。为制造该TFET，可选择性蚀刻磊晶下层以定义系链(tethered)(悬挂(suspended))奈米线，该奈米线形成该设备的信道区。源区及汲区可由再生长的p型及n型磊晶层形成。

公开(公告)号：TWI591823B

公开(公告)日：2017-07-11

申请号：TW104127957

申请日：2015-08-26

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 蔡俊雄 ,  TSAI, CHUNHSIUNG ,  陳科維 ,  CHEN, KEIWEI

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/306 ,  H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/66 ,  H01L29/06 ,  H01L29/267 ,  H01L21/324 ,  H01L29/08

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/306 ,  H01L29/165 ,  H01L29/267 ,  H01L29/7847 ,  H01L29/7851

公开(公告)号：TWI696290B

公开(公告)日：2020-06-11

申请号：TW104139045

申请日：2015-11-25

Applicant: 南韓商三星電子股份有限公司 ,  SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

Inventor： 奇特爾 豪爾赫 A. ,  KITTL, JORGE A. ,  哦拉都比 玻那 喬斯 ,  OBRADOVIC, BORNA JOSIP ,  保文 羅伯特 克里斯多弗 ,  BOWEN, ROBERT CHRISTOPHER ,  羅德爾 麥克 S. ,  RODDER, MARK S.

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/267 ,  H01L29/08 ,  H01L29/45

公开(公告)号：TW201812870A

公开(公告)日：2018-04-01

申请号：TW106116616

申请日：2017-05-19

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 黃翊銘 ,  HUANG, YI MIN ,  張世杰 ,  CHANG, SHIH CHIEH ,  李承翰 ,  LEE, CHENG HAN

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/08 ,  H01L29/16 ,  H01L29/24 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/16 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/24 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7851

Abstract: 使用磊晶成長製程形成半導體裝置的源極/汲極區。在實施例中，第一步驟包含使用第一前驅物、第二前驅物和蝕刻前驅物形成源極/汲極區的整體區，第二步驟包含採用蝕刻劑清潔整體區伴隨著導入成形摻雜物至整體區以改變暴露出的表面的晶格結構，第三步驟包含使用第一前驅物、第二前驅物和蝕刻前驅物形成源極/汲極區的完成區。

Abstract in simplified Chinese: 使用磊晶成长制程形成半导体设备的源极/汲极区。在实施例中，第一步骤包含使用第一前驱物、第二前驱物和蚀刻前驱物形成源极/汲极区的整体区，第二步骤包含采用蚀刻剂清洁整体区伴随着导入成形掺杂物至整体区以改变暴露出的表面的晶格结构，第三步骤包含使用第一前驱物、第二前驱物和蚀刻前驱物形成源极/汲极区的完成区。

公开(公告)号：TWI582950B

公开(公告)日：2017-05-11

申请号：TW104139463

申请日：2015-11-26

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 游承諺 ,  YU, CHENG YEN ,  張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  程潼文 ,  CHENG, TUNG WEN ,  張哲豪 ,  ZHANG, ZHE HAO ,  楊柏峰 ,  YOUNG, BO FENG

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/02 ,  H01L29/165 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/06 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66 ,  H01L29/16 ,  H01L29/08

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/165 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785