公开(公告)号：US06306528B1

公开(公告)日：2001-10-23

申请号：US09311812

申请日：1999-05-13

申请人： Richard A. Bates ,  Carla N. Cordero ,  Benjamin V. Fasano ,  David B. Goland ,  Robert Hannon ,  Lester W. Herron ,  Gregory M. Johnson ,  Andrew Reitter ,  Subhash L. Shinde ,  Lisa Studzinski

发明人： Richard A. Bates ,  Carla N. Cordero ,  Benjamin V. Fasano ,  David B. Goland ,  Robert Hannon ,  Lester W. Herron ,  Gregory M. Johnson ,  Andrew Reitter ,  Subhash L. Shinde ,  Lisa Studzinski

IPC分类号： B32B1800

CPC分类号： C04B41/009 ,  C04B41/5133 ,  C04B41/88 ,  C04B2111/00844 ,  H01L23/15 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/092 ,  Y10T428/265 ,  C04B41/4539 ,  C04B41/4556 ,  C04B41/4578 ,  C04B41/5032 ,  C04B41/526 ,  C04B35/581 ,  H01L2924/00

摘要： Electronic packages made with a high area percent coverage of blanket metal may be prone to certain kinds of ceramic defects. In aluminum nitride, these defects may be related to decomposition of the liquid sintering aid. In this experiment, unique additions to the metallization prevented the formation of certain ceramic defects. Our approach involves a unique composition used in an existing process.

摘要翻译： 用橡皮布金属覆盖面积百分比高的电子封装可能容易产生某些种类的陶瓷缺陷。 在氮化铝中，这些缺陷可能与液体烧结助剂的分解有关。 在该实验中，金属化的独特添加防止了某些陶瓷缺陷的形成。 我们的方法涉及在现有过程中使用的独特组合。

公开(公告)号：US06200373B1

公开(公告)日：2001-03-13

申请号：US09311811

申请日：1999-05-13

申请人： Richard A. Bates ,  Carla N. Cordero ,  Benjamin V. Fasano ,  David B. Goland ,  Robert Hannon ,  Lester W. Herron ,  Gregory M. Johnson ,  Andrew Reitter ,  Subhash L. Shinde ,  Lisa Studzinski

发明人： Richard A. Bates ,  Carla N. Cordero ,  Benjamin V. Fasano ,  David B. Goland ,  Robert Hannon ,  Lester W. Herron ,  Gregory M. Johnson ,  Andrew Reitter ,  Subhash L. Shinde ,  Lisa Studzinski

IPC分类号： B32B1700

CPC分类号： C04B41/009 ,  C04B41/5133 ,  C04B41/88 ,  C04B2111/00844 ,  H01L23/15 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/092 ,  Y10T428/265 ,  C04B41/4539 ,  C04B41/4556 ,  C04B41/4578 ,  C04B41/5032 ,  C04B41/526 ,  C04B35/581 ,  H01L2924/00

摘要： Electronic packages made with a high area percent coverage of blanket metal may be prone to certain kinds of ceramic defects. In aluminum nitride, these defects may be related to decomposition of the liquid sintering aid. In this experiment, unique additions to the metallization prevented the formation of certain ceramic defects. Our approach involves a unique composition used in an existing process.

摘要翻译： 用橡皮布金属覆盖面积百分比高的电子封装可能容易产生某些种类的陶瓷缺陷。 在氮化铝中，这些缺陷可能与液体烧结助剂的分解有关。 在该实验中，金属化的独特添加防止了某些陶瓷缺陷的形成。 我们的方法涉及在现有过程中使用的独特组合。

公开(公告)号：US5552232A

公开(公告)日：1996-09-03

申请号：US361351

申请日：1994-12-21

申请人： Jon A. Casey ,  Carla N. Cordero ,  Benjamin V. Fasano ,  David B. Goland ,  Robert Hannon ,  Jonathan H. Harris ,  Lester W. Herron ,  Gregory M. Johnson ,  Niranjan M. Patel ,  Andrew M. Reitter ,  Subhash L. Shinde ,  Rao V. Vallabhaneni ,  Robert A. Youngman

发明人： Jon A. Casey ,  Carla N. Cordero ,  Benjamin V. Fasano ,  David B. Goland ,  Robert Hannon ,  Jonathan H. Harris ,  Lester W. Herron ,  Gregory M. Johnson ,  Niranjan M. Patel ,  Andrew M. Reitter ,  Subhash L. Shinde ,  Rao V. Vallabhaneni ,  Robert A. Youngman

IPC分类号： B32B18/00 ,  B22F7/02 ,  C04B35/581 ,  C04B37/02 ,  C04B41/51 ,  C04B41/52 ,  C04B41/88 ,  C04B41/89 ,  C22C29/16 ,  H01L21/48 ,  H01L23/373 ,  H05K1/03 ,  H05K3/24 ,  H05K3/40 ,  H05K3/46 ,  B22F3/00

CPC分类号： C04B41/009 ,  B22F7/02 ,  C04B41/5133 ,  C04B41/52 ,  C04B41/88 ,  C04B41/89 ,  C22C29/16 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/486 ,  H01L23/3731 ,  H05K3/4061 ,  B22F2998/00 ,  C04B2111/00405 ,  C04B2111/00844 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0306 ,  H05K2201/035 ,  H05K2201/09981 ,  H05K3/248 ,  H05K3/4611 ,  H05K3/4629 ,  Y10S428/901 ,  Y10T428/12021 ,  Y10T428/12028 ,  Y10T428/12056 ,  Y10T428/31678

摘要： Disclosed is an aluminum nitride body having graded metallurgy and a method for making such a body. The aluminum nitride body has at least one via and includes a first layer in direct contact with the aluminum nitride body and a second layer in direct contact with, and that completely encapsulates, the first layer. The first layer includes 30 to 60 volume percent aluminum nitride and 40 to 70 volume percent tungsten and/or molybdenum while the second layer includes 90 to 100 volume percent of tungsten and/or molybdenum and 0 to 10 volume percent of aluminum nitride.

公开(公告)号：US6004624A

公开(公告)日：1999-12-21

申请号：US887375

申请日：1997-07-02

申请人： Richard A. Bates ,  Carla N. Cordero ,  Benjamin V. Fasano ,  David B. Goland ,  Robert Hannon ,  Lester W. Herron ,  Gregory M. Johnson ,  Andrew Reitter ,  Subhash L. Shinde ,  Lisa Studzinski

发明人： Richard A. Bates ,  Carla N. Cordero ,  Benjamin V. Fasano ,  David B. Goland ,  Robert Hannon ,  Lester W. Herron ,  Gregory M. Johnson ,  Andrew Reitter ,  Subhash L. Shinde ,  Lisa Studzinski

IPC分类号： C04B41/51 ,  C04B41/88 ,  H01L23/15 ,  H05K1/03 ,  H05K1/09 ,  B05D3/02 ,  B05D1/36

CPC分类号： C04B41/009 ,  C04B41/5133 ,  C04B41/88 ,  H01L23/15 ,  C04B2111/00844 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/092 ,  Y10T428/265

摘要： Electronic packages made with a high area percent coverage of blanket metal may be prone to certain kinds of ceramic defects. In aluminum nitride, these defects may be related to decomposition of the liquid sintering aid. In this experiment, unique additions to the metallization prevented the formation of certain ceramic defects. Our approach involves a unique composition used in an existing process.

摘要翻译： 用橡皮布金属覆盖面积百分比高的电子封装可能容易产生某些种类的陶瓷缺陷。 在氮化铝中，这些缺陷可能与液体烧结助剂的分解有关。 在该实验中，金属化的独特添加防止了某些陶瓷缺陷的形成。 我们的方法涉及在现有过程中使用的独特组合。

公开(公告)号：US5552107A

公开(公告)日：1996-09-03

申请号：US437494

申请日：1995-05-09

申请人： Jon A. Casey ,  Carla N. Cordero ,  Benjamin V. Fasano ,  David B. Goland ,  Robert Hannon ,  Jonathan H. Harris ,  Lester W. Herron ,  Gregory M. Johnson ,  Niranjan M. Patel ,  Andrew M. Reitter ,  Subhash L. Shinde ,  Rao V. Vallabhaneni ,  Robert A. Youngman

发明人： Jon A. Casey ,  Carla N. Cordero ,  Benjamin V. Fasano ,  David B. Goland ,  Robert Hannon ,  Jonathan H. Harris ,  Lester W. Herron ,  Gregory M. Johnson ,  Niranjan M. Patel ,  Andrew M. Reitter ,  Subhash L. Shinde ,  Rao V. Vallabhaneni ,  Robert A. Youngman

IPC分类号： B32B18/00 ,  B22F7/02 ,  C04B35/581 ,  C04B37/02 ,  C04B41/51 ,  C04B41/52 ,  C04B41/88 ,  C04B41/89 ,  C22C29/16 ,  H01L21/48 ,  H01L23/373 ,  H05K1/03 ,  H05K3/24 ,  H05K3/40 ,  H05K3/46

CPC分类号： C04B41/009 ,  B22F7/02 ,  C04B41/5133 ,  C04B41/52 ,  C04B41/88 ,  C04B41/89 ,  C22C29/16 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/486 ,  H01L23/3731 ,  H05K3/4061 ,  B22F2998/00 ,  C04B2111/00405 ,  C04B2111/00844 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0306 ,  H05K2201/035 ,  H05K2201/09981 ,  H05K3/248 ,  H05K3/4611 ,  H05K3/4629 ,  Y10S428/901 ,  Y10T428/12021 ,  Y10T428/12028 ,  Y10T428/12056 ,  Y10T428/31678

摘要： Disclosed is an aluminum nitride body having graded metallurgy and a method for making such a body. The aluminum nitride body has at least one via and includes a first layer in direct contact with the aluminum nitride body and a second layer in direct contact with, and that completely encapsulates, the first layer. The first layer includes 30 to 60 volume percent aluminum nitride and 40 to 70 volume percent tungsten and/or molybdenum while the second layer includes 90 to 100 volume percent of tungsten and/or molybdenum and 0 to 10 volume percent of aluminum nitride.

摘要翻译： 公开了一种具有分级冶金的氮化铝体及其制造方法。 氮化铝体具有至少一个通孔，并且包括与氮化铝体直接接触的第一层和与第一层直接接触并完全封装的第二层。 第一层包括30至60体积％的氮化铝和40至70体积％的钨和/或钼，而第二层包括90至100体积％的钨和/或钼和0至10体积％的氮化铝。