公开(公告)号：US20120255602A1

公开(公告)日：2012-10-11

申请号：US13081207

申请日：2011-04-06

申请人： Ursula Ingeborg SCHMIDT ,  Elisabeth SOMMER ,  Inge VERMEIR ,  Markus KRESS ,  Niels KUHR ,  Philipp OBERMEYER ,  Daniel SEVERIN ,  Anton SUPRITZ

发明人： Ursula Ingeborg SCHMIDT ,  Elisabeth SOMMER ,  Inge VERMEIR ,  Markus KRESS ,  Niels KUHR ,  Philipp OBERMEYER ,  Daniel SEVERIN ,  Anton SUPRITZ

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/18 ,  B82Y99/00

CPC分类号： H01L31/1884 ,  C23C14/025 ,  C23C14/086 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/02366 ,  Y02E10/50

摘要： A method for controlling surface morphology of a transparent conductive oxide film (TCO) is provided. A substrate is provided as a basis for forming a solar cell. Onto the substrate, a seed layer is deposited. Then, the method includes depositing the transparent conductive oxide film (TCO) above the seed layer. The seed layer is adapted to control the surface morphology of the transparent conductive oxide film. The surface of the transparent conductive oxide film is etched in order to provide a front contact of the solar cell.

摘要翻译： 提供了一种用于控制透明导电氧化膜（TCO）的表面形态的方法。 提供基板作为形成太阳能电池的基础。 在基底上沉积种子层。 然后，该方法包括在种子层上沉积透明导电氧化物膜（TCO）。 种子层适于控制透明导电氧化物膜的表面形态。 透明导电氧化膜的表面被蚀刻以提供太阳能电池的前接触。

公开(公告)号：US20120012172A1

公开(公告)日：2012-01-19

申请号：US12840061

申请日：2010-07-20

申请人： Ursula Ingeborg Schmidt ,  Elisabeth Sommer ,  Inge Vermeir ,  Markus Kress ,  Niels Kuhr ,  Philipp Obermeyer ,  Daniel Severin ,  Anton Supritz ,  Steven Verhaverbeke

发明人： Ursula Ingeborg Schmidt ,  Elisabeth Sommer ,  Inge Vermeir ,  Markus Kress ,  Niels Kuhr ,  Philipp Obermeyer ,  Daniel Severin ,  Anton Supritz ,  Steven Verhaverbeke

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/18 ,  H01L21/283

CPC分类号： H01L31/1884 ,  C03C17/3618 ,  C03C17/3636 ,  C03C17/3642 ,  C03C17/3678 ,  C03C2217/42 ,  C03C2217/77 ,  C03C2217/944 ,  C03C2218/31 ,  C03C2218/33 ,  C23C14/021 ,  C23C14/024 ,  C23C14/086 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/072 ,  H01L31/075 ,  Y02E10/50

摘要： Methods of depositing a TCO layer on a substrate and precursor for solar cells are described. A method of depositing a TCO layer 102, 204, 404, 604 on a substrate 102, 8091 includes providing a glass substrate having a first alkali metal concentration, conditioning the glass substrate, wherein the conditioning comprises at least one step selected from the group consisting of: applying a liquid to the substrate to form a layer with a second alkali metal layer concentration higher than the first alkali metal concentration, and depositing a layer to form a layer with a second alkali metal layer concentration higher than the first alkali metal concentration, and depositing a TCO layer over the conditioned substrate

摘要翻译： 描述了在基板上沉积TCO层的方法和用于太阳能电池的前体。 在衬底102,8091上沉积TCO层102,204,404,604的方法包括提供具有第一碱金属浓度的玻璃衬底，调节玻璃衬底，其中调理包括至少一个选自以下的步骤： ：将液体施加到所述基板上以形成具有高于所述第一碱金属浓度的第二碱金属层浓度的层，以及沉积形成具有高于所述第一碱金属浓度的第二碱金属层浓度的层的层， 以及在经调理的基底上沉积TCO层

公开(公告)号：US20090162551A1

公开(公告)日：2009-06-25

申请号：US11963068

申请日：2007-12-21

申请人： Thomas Zilbauer ,  Ignaz Eisele ,  Jan Matusche ,  Ursula Ingeborg Schmidt

发明人： Thomas Zilbauer ,  Ignaz Eisele ,  Jan Matusche ,  Ursula Ingeborg Schmidt

IPC分类号： C23C16/00

CPC分类号： C23C16/4407 ,  C23C16/405 ,  C23C16/4482 ,  C23C16/45525

摘要： A method and apparatus for performing ALD deposition of hafnium oxide on a substrate is provided. The apparatus includes a process chamber, a precursor delivery subsystem, an oxidizer delivery subsystem, a purge gas subsystem, a solvent flush subsystem, and optional solvent recovery and purification subsystems. The method includes pulsing precursor compounds into the process chamber in sequence. While one precursor is pulsed, purge gas is provided through the other precursor line. After pulsing, precursor lines are purged, and the chamber is evacuated and purged. A solvent flush step is employed to remove precursor deposits that build up in piping over time.

摘要翻译： 提供了一种用于在衬底上进行氧化铪沉积的方法和装置。 该设备包括处理室，前体递送子系统，氧化剂递送子系统，吹扫气体子系统，溶剂冲洗子系统和任选的溶剂回收和纯化子系统。 该方法包括依次将前体化合物脉冲化成工艺室。 当一个前体被脉冲时，通过另一个前体管线提供净化气体。 在脉冲之后，将前体管线清除，并将室抽真空并吹扫。 使用溶剂冲洗步骤来去除在管道中随时间累积的前体沉积物。

公开(公告)号：US20120285522A1

公开(公告)日：2012-11-15

申请号：US13468915

申请日：2012-05-10

申请人： Elisabeth Sommer ,  Philipp Obermeyer ,  Thomas Zilbauer ,  Inge Vermeir ,  Daniel Severin ,  Niels Kuhr ,  Markus Kress ,  Christof Kurthen ,  Ursula Ingeborg Schmidt ,  Stefan Klein ,  Susanne Buschbaum ,  Konrad Schwanitz ,  Christian Stoemmer ,  Tobias Stolley ,  Martin Rohde ,  Andreas Rembeck

发明人： Elisabeth Sommer ,  Philipp Obermeyer ,  Thomas Zilbauer ,  Inge Vermeir ,  Daniel Severin ,  Niels Kuhr ,  Markus Kress ,  Christof Kurthen ,  Ursula Ingeborg Schmidt ,  Stefan Klein ,  Susanne Buschbaum ,  Konrad Schwanitz ,  Christian Stoemmer ,  Tobias Stolley ,  Martin Rohde ,  Andreas Rembeck

IPC分类号： H01L31/0236 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/076 ,  C23C14/34 ,  C23C14/08

CPC分类号： H01L31/1884 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/076 ,  Y02E10/548

摘要： Method of depositing a TCO layer on a substrate, of depositing precursors of a solar cell and precursors of a solar cell are described. The methods includes DC sputtering a ZnO-containing transparent conductive oxide layer over the substrate, the substrate having a size of 1.4 m2 or above and texturing the ZnO-containing transparent conductive oxide layer, wherein the textured ZnO-containing transparent conductive oxide layer has a root means square roughness of 60 nm or below.

摘要翻译： 描述了在衬底上沉积TCO层，沉积太阳能电池的前体和太阳能电池的前体的方法。 所述方法包括在衬底上溅射含ZnO的透明导电氧化物层，所述衬底具有1.4m 2或更大的尺寸，并对含ZnO的透明导电氧化物层进行纹理化，其中织构化的含ZnO透明导电氧化物层具有 根是指60nm以下的平方粗糙度。

公开(公告)号：US08016945B2

公开(公告)日：2011-09-13

申请号：US11963068

申请日：2007-12-21

申请人： Thomas Zilbauer ,  Ignaz Eisele ,  Jan Matusche ,  Ursula Ingeborg Schmidt

发明人： Thomas Zilbauer ,  Ignaz Eisele ,  Jan Matusche ,  Ursula Ingeborg Schmidt

IPC分类号： C23C16/06 ,  C23C16/14 ,  C23C16/18 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  C23C16/44

CPC分类号： C23C16/4407 ,  C23C16/405 ,  C23C16/4482 ,  C23C16/45525

摘要： A method and apparatus for performing ALD deposition of hafnium oxide on a substrate is provided. The apparatus includes a process chamber, a precursor delivery subsystem, an oxidizer delivery subsystem, a purge gas subsystem, a solvent flush subsystem, and optional solvent recovery and purification subsystems. The method includes pulsing precursor compounds into the process chamber in sequence. While one precursor is pulsed, purge gas is provided through the other precursor line. After pulsing, precursor lines are purged, and the chamber is evacuated and purged. A solvent flush step is employed to remove precursor deposits that build up in piping over time.

摘要翻译： 提供了一种用于在衬底上进行氧化铪沉积的方法和装置。 该设备包括处理室，前体递送子系统，氧化剂递送子系统，吹扫气体子系统，溶剂冲洗子系统和任选的溶剂回收和纯化子系统。 该方法包括依次将前体化合物脉冲化成工艺室。 当一个前体被脉冲时，通过另一个前体管线提供净化气体。 在脉冲之后，将前体管线清除，并将室抽真空并吹扫。 使用溶剂冲洗步骤来去除在管道中随时间累积的前体沉积物。

公开(公告)号：US20120012171A1

公开(公告)日：2012-01-19

申请号：US12840039

申请日：2010-07-20

申请人： Ursula Ingeborg Schmidt ,  Elisabeth Sommer ,  Inge Vermeir ,  Markus Kress ,  Niels Kuhr ,  Philipp Obermeyer ,  Daniel Severin ,  Anton Supritz

发明人： Ursula Ingeborg Schmidt ,  Elisabeth Sommer ,  Inge Vermeir ,  Markus Kress ,  Niels Kuhr ,  Philipp Obermeyer ,  Daniel Severin ,  Anton Supritz

IPC分类号： H01L31/0236 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/1884 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/02366 ,  Y02E10/50

摘要： Methods for manufacturing a layer stack for a thin-film solar cell and layer stacks are provided. The layer stack includes a transparent substrate having a first refraction index, a transparent conductive oxide layer comprising ZnO, wherein the transparent conductive oxide layer is deposited over the substrate and has a second refraction index, and a further layer, which is deposited between the transparent conductive oxide layer and the substrate, wherein the layer has a third refraction index in a range from the first refraction index to the second refraction index, the layer comprises a metal, and wherein the layer composition has a metal content of 0.5 to 10 weight-%.

摘要翻译： 提供了用于制造用于薄膜太阳能电池和层堆叠的层堆叠的方法。 层叠包括具有第一折射率的透明衬底，包含ZnO的透明导电氧化物层，其中透明导电氧化物层沉积在衬底上并且具有第二折射率，并且另外的层沉积在透明 导电氧化物层和基板，其中该层在从第一折射率到第二折射率的范围内具有第三折射率，该层包括金属，并且其中该层组合物的金属含量为0.5至10重量％ ％。