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    Method for forming and structure of a recessed source/drain strap for a MUGFET
    1.
    发明授权
    Method for forming and structure of a recessed source/drain strap for a MUGFET 有权
    用于MUGFET的凹陷源/排水带的形成和结构的方法

    公开(公告)号：US08378394B2

    公开(公告)日：2013-02-19

    申请号：US12876343

    申请日：2010-09-07

    申请人： Brent A. Anderson ,  Andres Bryant ,  Edward J. Nowak ,  Jed H. Rankin

    发明人： Brent A. Anderson ,  Andres Bryant ,  Edward J. Nowak ,  Jed H. Rankin

    IPC分类号： H01L29/76

    CPC分类号： H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L2029/7858

    摘要： A method and semiconductor structure includes an insulator layer on a substrate, a plurality of parallel fins above the insulator layer, relative to a bottom of the structure. Each of the fins comprises a central semiconductor portion and conductive end portions. At least one conductive strap may be positioned within the insulator layer below the fins, relative to the bottom of the structure. The conductive strap can be perpendicular to the fins and contact the fins. The conductive strap further includes recessed portions disposed within the insulator layer, below the plurality of fins, relative to the bottom of the structure, and between each of the plurality of fins, and projected portions disposed above the insulator layer, collinear with each of the plurality of fins, relative to the bottom of the structure. The conductive strap is disposed in at least one of a source and a drain region of the semiconductor structure. A gate insulator contacts and covers the central semiconductor portion of the fins, and a gate conductor covers and contacts the gate insulator.

    摘要翻译： 一种方法和半导体结构包括在衬底上的绝缘体层，相对于该结构的底部在绝缘体层之上的多个平行的鳍。 每个翅片包括中心半导体部分和导电端部。 至少一个导电带可以相对于结构的底部定位在翅片下方的绝缘体层内。 导电带可以垂直于翅片并接触翅片。 导电带还包括设置在绝缘体层内的凹部，相对于结构的底部在多个散热片的下方，以及设置在绝缘体层之上的每个散热片之间的突出部分， 多个翅片相对于结构的底部。 导电带设置在半导体结构的源极和漏极区域中的至少一个中。 栅极绝缘体接触并覆盖翅片的中心半导体部分，并且栅极导体覆盖并接触栅极绝缘体。

    Semiconductor devices with improved self-aligned contact areas
    2.
    发明授权
    Semiconductor devices with improved self-aligned contact areas 有权
    具有改善的自对准接触面积的半导体器件

    公开(公告)号：US08242561B2

    公开(公告)日：2012-08-14

    申请号：US12702684

    申请日：2010-02-09

    申请人： Brent A. Anderson ,  Andres Bryant ,  Edward J. Nowak ,  Jed H. Rankin

    发明人： Brent A. Anderson ,  Andres Bryant ,  Edward J. Nowak ,  Jed H. Rankin

    IPC分类号： H01L29/786

    CPC分类号： H01L29/41791 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L2029/7858

    摘要： A field effect device includes a channel region disposed on a silicon on insulator (SOI) layer, a gate portion disposed on the channel region, a source region disposed on the SOI layer and connected to the channel region having a horizontal surface and a vertical surface, the vertical surface arranged perpendicular to a linear axis of the device, a silicide portion that includes the horizontal surface and vertical surface of the source region, a contact including a metallic material in contact with the horizontal surface and vertical surface of the source region, and a drain region connected to the channel region disposed on the SOI layer.

    摘要翻译： 场效应器件包括设置在绝缘体上硅（SOI）层上的沟道区域，设置在沟道区上的栅极部分，设置在SOI层上的源极区域，并连接到具有水平表面和垂直表面的沟道区域 垂直于装置的线性轴排列的垂直表面，包括源区域的水平表面和垂直表面的硅化物部分，包括与源区域的水平表面和垂直表面接触的金属材料的触点， 以及连接到设置在SOI层上的沟道区的漏极区。

    METHOD FOR FORMING AND STRUCTURE OF A RECESSED SOURCE/DRAIN STRAP FOR A MUGFET
    3.
    发明申请
    METHOD FOR FORMING AND STRUCTURE OF A RECESSED SOURCE/DRAIN STRAP FOR A MUGFET 有权
    用于形成和结构的用于大量生长的源/排水带的方法

    公开(公告)号：US20120056264A1

    公开(公告)日：2012-03-08

    申请号：US12876343

    申请日：2010-09-07

    申请人： Brent A. Anderson ,  Andres Bryant ,  Edward J. Nowak ,  Jed H. Rankin

    发明人： Brent A. Anderson ,  Andres Bryant ,  Edward J. Nowak ,  Jed H. Rankin

    IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

    CPC分类号： H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L2029/7858

    摘要： A method and semiconductor structure includes an insulator layer on a substrate, a plurality of parallel fins above the insulator layer, relative to a bottom of the structure. Each of the fins comprises a central semiconductor portion and conductive end portions. At least one conductive strap may be positioned within the insulator layer below the fins, relative to the bottom of the structure. The conductive strap can be perpendicular to the fins and contact the fins. The conductive strap further includes recessed portions disposed within the insulator layer, below the plurality of fins, relative to the bottom of the structure, and between each of the plurality of fins, and projected portions disposed above the insulator layer, collinear with each of the plurality of fins, relative to the bottom of the structure. The conductive strap is disposed in at least one of a source and a drain region of the semiconductor structure. A gate insulator contacts and covers the central semiconductor portion of the fins, and a gate conductor covers and contacts the gate insulator.

    摘要翻译： 一种方法和半导体结构包括在衬底上的绝缘体层，相对于该结构的底部在绝缘体层之上的多个平行的鳍。 每个翅片包括中心半导体部分和导电端部。 至少一个导电带可以相对于结构的底部定位在翅片下方的绝缘体层内。 导电带可以垂直于翅片并接触翅片。 导电带还包括设置在绝缘体层内的凹陷部分，相对于结构的底部在多个翅片之下，并且在多个翅片中的每一个之间，以及设置在绝缘体层上方的突出部分， 多个翅片相对于结构的底部。 导电带设置在半导体结构的源极和漏极区域中的至少一个中。 栅极绝缘体接触并覆盖翅片的中心半导体部分，并且栅极导体覆盖并接触栅极绝缘体。

    Spacer fill structure, method and design structure for reducing device variation
    5.
    发明授权
    Spacer fill structure, method and design structure for reducing device variation 失效
    间隔填充结构，减少装置变化的方法和设计结构

    公开(公告)号：US07971158B2

    公开(公告)日：2011-06-28

    申请号：US12144004

    申请日：2008-06-23

    申请人： Brent A. Anderson ,  Andres Bryant ,  Edward J. Nowak ,  Jed H. Rankin

    发明人： Brent A. Anderson ,  Andres Bryant ,  Edward J. Nowak ,  Jed H. Rankin

    IPC分类号： G06F17/50

    CPC分类号： G06F17/5068 ,  G06F2217/12 ,  Y02P90/265

    摘要： A design structure is provided for spacer fill structures and, more particularly, spacer fill structures, a method of manufacturing and a design structure for reducing device variation is provided. The structure includes a plurality of dummy fill shapes in different areas of a device which are configured such that gate perimeter to gate area ratio will result in a total perimeter density being uniform across a chip.

    摘要翻译： 提供了用于间隔物填充结构的设计结构，并且更具体地，提供了间隔件填充结构，制造方法和用于减小装置变化的设计结构。 该结构包括在器件的不同区域中的多个虚拟填充形状，其被配置为使得栅极周边与栅极面积比将导致芯片上的总周长密度是均匀的。

    Fin capacitor
    7.
    发明授权
    Fin capacitor 失效
    散热片电容

    公开(公告)号：US06947275B1

    公开(公告)日：2005-09-20

    申请号：US10711975

    申请日：2004-10-18

    申请人： Brent A Anderson ,  Andres Bryant ,  Edward J. Nowak ,  Jed H. Rankin

    发明人： Brent A Anderson ,  Andres Bryant ,  Edward J. Nowak ,  Jed H. Rankin

    IPC分类号： H01G4/005 ,  H01G4/012 ,  H01G4/06 ,  H01G4/33 ,  H01L21/02 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/84 ,  H01L27/108 ,  H01L27/13

    CPC分类号： H01G4/012 ,  H01G4/06 ,  H01G4/33 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1085 ,  H01L27/13 ,  H01L28/92 ,  Y10T29/435

    摘要： Disclosed is a capacitor structure and method for forming the same. This structure has a conductive substrate, conductive fins extending above the substrate, and trenches extending into the substrate. These trenches are positioned between locations where the fins extend above the substrate. The invention includes an insulator in the trenches and covering the fins. This insulator separates the substrate and fins from a conductive top plate that covers the fins and fills the trenches. A bottom plate contact electrically connects the fins and the substrate such that the fins and the substrate comprise a bottom plate of the capacitor structure.

    摘要翻译： 公开了一种电容器结构及其形成方法。 该结构具有导电基板，在基板上方延伸的导电翅片和延伸到基板中的沟槽。 这些沟槽位于翅片在衬底上方延伸的位置之间。 本发明包括沟槽中的绝缘体并覆盖翅片。 该绝缘体将基板和散热片与覆盖翅片的导电顶板隔开并填充沟槽。 底板接触件电连接散热片和基板，使得散热片和基板包括电容器结构的底板。

    Body contact MOSFET
    10.
    发明授权
    Body contact MOSFET 失效
    体接触MOSFET

    公开(公告)号：US06940130B2

    公开(公告)日：2005-09-06

    申请号：US10687333

    申请日：2003-10-16

    申请人： Andres Bryant ,  Peter E. Cottrell ,  John J. Ellis-Monaghan ,  Robert J. Gauthier, Jr. ,  Edward J. Nowak ,  Jed H. Rankin ,  Fariborz Assaderaghi

    发明人： Andres Bryant ,  Peter E. Cottrell ,  John J. Ellis-Monaghan ,  Robert J. Gauthier, Jr. ,  Edward J. Nowak ,  Jed H. Rankin ,  Fariborz Assaderaghi

    IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L27/01

    CPC分类号： H01L29/66772 ,  H01L29/78615

    摘要： A body contact structure utilizing an insulating structure between the body contact portion of the active area and the transistor portion of the active area is disclosed. In one embodiment, the present invention substitutes an insulator for at least a portion of the gate layer in the regions between the transistor and the body contact. In another embodiment, a portion of the gate layer is removed and replaced with an insulative layer in regions between the transistor and the body contact. In still another embodiment, the insulative structure is formed by forming multiple layers of gate dielectric between the gate and the body in regions between the transistor and the body contact. The body contact produced by these methods adds no significant gate capacitance to the gate.

    摘要翻译： 公开了一种在有源区的主体接触部分和有源区的晶体管部分之间利用绝缘结构的体接触结构。 在一个实施例中，本发明将绝缘体替代晶体管和身体接触之间的区域中的栅极层的至少一部分。 在另一个实施例中，栅极层的一部分被去除并且在晶体管和身体接触之间的区域中被绝缘层替代。 在另一个实施例中，通过在晶体管和身体接触之间的区域中在栅极和主体之间形成多个栅极电介质层来形成绝缘结构。 通过这些方法产生的身体接触对栅极没有增加显着的栅极电容。