公开(公告)号：US20050080214A1

公开(公告)日：2005-04-14

申请号：US10841553

申请日：2004-05-10

申请人： Hyeon Shin ,  Hyun Jeong ,  Jong Seon ,  Kwang Lee ,  Sang Mah

发明人： Hyeon Shin ,  Hyun Jeong ,  Jong Seon ,  Kwang Lee ,  Sang Mah

IPC分类号： B05D5/12 ,  B05D7/24 ,  C07F7/18 ,  C07F7/21 ,  C08G77/02 ,  C08G77/04 ,  C08G77/06 ,  C08G77/08 ,  C08G77/14 ,  C08G77/50 ,  C09D5/25 ,  C09D183/02 ,  C09D183/04 ,  C09D183/14 ,  H01L21/312

CPC分类号： C09D183/04 ,  C08G77/045 ,  C08G77/06 ,  C08G77/50 ,  Y10T428/31663

摘要： A multi-functional cyclic silicate compound, a siloxane-based polymer prepared from the silicate compound and a process of producing an insulating film using the siloxane-based polymer. The silicate compound of the present invention is highly compatible with conventional pore-generating substances and hardly hygroscopic, so it is useful for the preparation of a siloxane-based polymer suitable to a SOG process. Furthermore, a film produced by the use of such siloxane-based polymer is excellent in mechanical properties, thermal stability and crack resistance and enhanced in insulating properties by virtue of its low hygroscopicity. Therefore, in the field of semiconductor production, this film is of great use as an insulating film.

摘要翻译： 多官能环状硅酸盐化合物，由硅酸盐化合物制备的硅氧烷类聚合物和使用硅氧烷类聚合物制造绝缘膜的方法。 本发明的硅酸盐化合物与常规的孔产生物质高度相容，几乎不吸湿，因此可用于制备适用于SOG工艺的硅氧烷类聚合物。 此外，通过使用这种硅氧烷基聚合物制成的膜由于其低吸湿性而具有优异的机械性能，热稳定性和抗裂纹性以及增强的绝缘性能。 因此，在半导体制造领域中，该膜作为绝缘膜具有很大的用途。

公开(公告)号：US20050038220A1

公开(公告)日：2005-02-17

申请号：US10878119

申请日：2004-06-29

申请人： Hyeon Shin ,  Hyun Jeong ,  Jong Seon ,  Sang Mah ,  Jin Yim ,  Jae Lee ,  Kwang Lee ,  Jung Kim

发明人： Hyeon Shin ,  Hyun Jeong ,  Jong Seon ,  Sang Mah ,  Jin Yim ,  Jae Lee ,  Kwang Lee ,  Jung Kim

IPC分类号： C07F7/18 ,  C07F7/21 ,  C08G77/14 ,  H01L21/312 ,  C08G77/04 ,  C07F7/04

CPC分类号： C07F7/21 ,  Y10T428/31663

摘要： A multi-functional cyclic siloxane compound (A), a siloxane-based (co)polymer prepared from the compound (A), or compound (A) and at least one of a Si monomer having organic bridges(B), an acyclic alkoxy silane monomer(C), and a linear siloxane monomer (D); and a process for preparing a dielectric film using the polymer. The siloxane compound of the present invention is highly reactive, so the polymer prepared from the compound is excellent in mechanical properties, thermal stability and crack resistance, and has a low dielectric constant resulting from compatibility with conventional pore-generating materials. Furthermore, a low content of carbon and high content of SiO2 enhance its applicability to the process of producing a semiconductor, wherein it finds great use as a dielectric film.

摘要翻译： 多官能环状硅氧烷化合物（A），由化合物（A）或化合物（A）制备的硅氧烷类（共）聚合物和至少一种具有有机桥（B）的Si单体，无环烷氧基 硅烷单体（C）和直链硅氧烷单体（D）; 以及使用该聚合物制备电介质膜的方法。 本发明的硅氧烷化合物具有高反应性，因此由该化合物制备的聚合物的机械性能，热稳定性和抗裂性优异，并且由于与常规孔产生材料的相容性而具有低的介电常数。 此外，低含量的碳和高含量的SiO 2增强了其在制造半导体的过程中的适用性，其中它被广泛用作电介质膜。

公开(公告)号：US20060134441A1

公开(公告)日：2006-06-22

申请号：US11304628

申请日：2005-12-16

申请人： Sang Mah ,  Hyeon Shin ,  Hyun Jeong

发明人： Sang Mah ,  Hyeon Shin ,  Hyun Jeong

IPC分类号： B32B9/04 ,  B05D3/02 ,  C08G77/04

CPC分类号： C08G77/06 ,  C08G77/50 ,  C09D183/04 ,  C09D183/14 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/31695 ,  Y10T428/31663

摘要： A siloxane-based polymer having superior mechanical properties and low dielectric properties and a method for forming a dielectric film using the polymer. The siloxane-based polymer not only has superior mechanical properties, but also exhibits low hygroscopicity and good compatibility with pore-forming materials, which leads to a low dielectric constant. In addition, since the siloxane-based polymer is highly compatible with pore-forming materials and has improved applicability to semiconductor processes, it may be advantageously used as a material for dielectric films of semiconductor devices.

摘要翻译： 具有优异的机械性能和低介电性能的硅氧烷基聚合物和使用该聚合物形成电介质膜的方法。 硅氧烷类聚合物不仅具有优异的机械性能，而且具有低吸湿性和与成孔材料的良好相容性，导致低的介电常数。 此外，由于硅氧烷基聚合物与成孔材料高度相容，并且具有改进的对半导体工艺的适用性，因此可以有利地用作半导体器件的介电膜的材料。

公开(公告)号：US20060115658A1

公开(公告)日：2006-06-01

申请号：US11290519

申请日：2005-12-01

申请人： Sang Mah ,  Hyeon Shin ,  Hyun Jeong

发明人： Sang Mah ,  Hyeon Shin ,  Hyun Jeong

IPC分类号： B32B27/28 ,  C08G77/04 ,  C08L83/04

CPC分类号： C09D183/04 ,  C09D183/14 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31695 ,  Y10T428/31663

摘要： A method of producing a porous low dielectric thin film is provided. The method comprises conducting hydrolysis and polycondensation of a polyreactive cyclic siloxane compound alone or in conjunction with one or more types of linear siloxane compounds or in conjunction with a Si monomer having an organic leg in the presence of water, organic hydroxide, and an organic solvent to produce a siloxane-based polymer, dissolving the polymer in water or the organic solvent to produce a coating solution, applying the coating solution on a substrate, and heat curing the resulting substrate. Even though a pore forming material is not used, it is possible to produce a porous low dielectric thin film.

摘要翻译： 提供一种制造多孔低电介质薄膜的方法。 该方法包括单独或与一种或多种类型的直链硅氧烷化合物或与水，有机氢氧化物和有机溶剂存在下具有有机支链的Si单体联合进行多反应性环状硅氧烷化合物的水解和缩聚 以制备硅氧烷基聚合物，将聚合物溶解在水或有机溶剂中以产生涂布溶液，将涂布溶液涂布在基材上，并加热固化所得到的基材。 即使不使用成孔材料，也可以制造多孔低介电性薄膜。