公开(公告)号：US20060068583A1

公开(公告)日：2006-03-30

申请号：US10711649

申请日：2004-09-29

申请人： Kohei Kawamura ,  Akira Asano ,  Koutarou Miyatani ,  Joseph Hillman ,  Bentley Palmer

发明人： Kohei Kawamura ,  Akira Asano ,  Koutarou Miyatani ,  Joseph Hillman ,  Bentley Palmer

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/76826 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02329 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02343 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/3127 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76814

摘要： A method for treating a fluoro-carbon dielectric film for integration of the dielectric film into a semiconductor device. The method includes providing a substrate having a fluoro-carbon film deposited thereon, the film having an exposed surface containing contaminants, and treating the exposed surface with a supercritical carbon dioxide fluid to clean the exposed surface of the contaminants and provide surface termination. The supercritical carbon dioxide treatment improves adhesion and electrical properties of film structures containing a metal-containing film formed on the surface of the fluoro-carbon dielectric film.

摘要翻译： 一种用于处理用于将电介质膜整合到半导体器件中的氟碳电介质膜的方法。 该方法包括提供其上沉积有氟碳膜的基材，该膜具有含有污染物的暴露表面，并用超临界二氧化碳流体处理暴露表面以清洁污染物的暴露表面并提供表面终止。 超临界二氧化碳处理改善了在氟碳电介质膜的表面上形成的含有金属的膜的膜结构的粘附性和电性能。

公开(公告)号：US20060003592A1

公开(公告)日：2006-01-05

申请号：US10881456

申请日：2004-06-30

申请人： Glenn Gale ,  Joseph Hillman ,  Gunilla Jacobson ,  Bentley Palmer

发明人： Glenn Gale ,  Joseph Hillman ,  Gunilla Jacobson ,  Bentley Palmer

IPC分类号： H01L21/467 ,  C23F1/00

CPC分类号： H01L21/31133 ,  H01L21/31111

摘要： A method and system for processing a substrate in a film removal system. The method includes providing the substrate in a substrate chamber of a film removal system, where the substrate has a micro-feature containing a dielectric film on a sidewall of the micro-feature and a photoresist film covering a portion the dielectric film, and performing a first film removal process using supercritical CO2 processing to remove the portion of the dielectric film not covered by the photoresist film. Following the first film removal process, a second film removal process using supercritical CO2 processing can be performed to remove the photoresist film. Alternately, wet processing can be used to perform one of the first film removal process or the second film removal process.

摘要翻译： 一种用于在膜去除系统中处理衬底的方法和系统。 该方法包括将基板设置在膜去除系统的基板室中，其中基板具有在微特征的侧壁上包含电介质膜的微特征和覆盖电介质膜的一部分的光致抗蚀剂膜，并且执行 使用超临界CO 2 2处理以去除未被光致抗蚀剂膜覆盖的电介质膜的部分的第一膜去除工艺。 在第一膜去除工艺之后，可以进行使用超临界CO 2 2处理的第二膜去除工艺以除去光致抗蚀剂膜。 或者，可以使用湿法处理来执行第一膜去除工艺或第二膜去除工艺中的一种。

公开(公告)号：US20060185693A1

公开(公告)日：2006-08-24

申请号：US11065377

申请日：2005-02-23

申请人： Richard Brown ,  Joseph Hillman

发明人： Richard Brown ,  Joseph Hillman

IPC分类号： B08B7/04 ,  B08B3/00 ,  B08B3/12

CPC分类号： B08B7/0021 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/67028

摘要： An apparatus for removing a residue from a surface of an object located on a support region within a processing chamber is disclosed. The apparatus comprises means for performing a dual-pressure cleaning process and means for performing a rinsing process. The means for performing a dual-pressure cleaning process comprises: means for pressurizing the processing chamber to a first pressure; means for introducing a cleaning chemistry into the processing chamber; means for recirculating the cleaning chemistry within the processing chamber for a first period of time; means for increasing a pressure of the processing chamber to a second pressure; and means for recirculating the cleaning chemistry within the processing chamber for a second period of time.

摘要翻译： 公开了一种用于从位于处理室内的支撑区域上的物体的表面去除残留物的设备。 该装置包括用于执行双重压力清洁处理的装置和用于进行漂洗处理的装置。 用于执行双重压力清洁过程的装置包括：用于将处理室加压至第一压力的装置; 用于将清洁化学品引入所述处理室的装置; 用于将处理室内的清洁化学品再循环第一时间段的装置; 用于将处理室的压力增加到第二压力的装置; 以及用于使处理室内的清洁化学品再循环第二时间段的装置。

公开(公告)号：US20060226117A1

公开(公告)日：2006-10-12

申请号：US11093536

申请日：2005-03-29

申请人： Ronald Bertram ,  Joseph Hillman ,  Maximilan Biberger

发明人： Ronald Bertram ,  Joseph Hillman ,  Maximilan Biberger

IPC分类号： C03C25/68 ,  G01L21/30 ,  H01L21/306

CPC分类号： H01L21/02101 ,  G03F7/427 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248

摘要： A method of and apparatus for regulating carbon dioxide using a pre-injection assembly coupled to a processing chamber operating at a supercritical state is disclosed. The method and apparatus utilize a source for providing supercritical carbon dioxide to the pre-injection assembly and a temperature control element for maintaining the pre-injection region at a supercritical temperature and pressure.

摘要翻译： 公开了一种使用耦合到处于超临界状态的处理室的预注射组件来调节二氧化碳的方法和装置。 该方法和装置利用用于向预注射组件提供超临界二氧化碳的源和用于将预喷射区域保持在超临界温度和压力的温度控制元件。

公开(公告)号：US20060228874A1

公开(公告)日：2006-10-12

申请号：US11095827

申请日：2005-03-30

申请人： Joseph Hillman

发明人： Joseph Hillman

IPC分类号： H01L21/425

CPC分类号： H01L21/02101 ,  C23G5/00 ,  H01L21/02068

摘要： A method for the pre-treatment of a wafer substrates with exposed metal surfaces is disclosed. The pre-treatment reduces oxidation of the exposed metal surfaces during subsequent supercritical cleaning processes.

摘要翻译： 公开了一种用于具有暴露的金属表面的晶片衬底的预处理的方法。 预处理在随后的超临界清洗过程中减少暴露的金属表面的氧化。

公开(公告)号：US20060102590A1

公开(公告)日：2006-05-18

申请号：US10906349

申请日：2005-02-15

申请人： Robert Kevwitch ,  Gentaro Goshi ,  Joseph Hillman ,  Marie Lowe ,  Brandon Hansen

发明人： Robert Kevwitch ,  Gentaro Goshi ,  Joseph Hillman ,  Marie Lowe ,  Brandon Hansen

IPC分类号： B44C1/22

CPC分类号： C11D3/3947 ,  B08B7/0021 ,  C11D11/0047 ,  C23G5/00 ,  G03F7/427 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02101 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/67057 ,  H05K3/26

摘要： A method and system is described for treating a substrate with a high pressure fluid, such as carbon dioxide in a supercritical state. A process chemistry is introduced to the high pressure fluid for treating the substrate surface. The process chemistry includes a peroxide-based chemistry.

摘要翻译： 描述了用于处理具有超临界状态的二氧化碳的高压流体的衬底的方法和系统。 将工艺化学物质引入用于处理基材表面的高压流体中。 工艺化学包括基于过氧化物的化学。

公开(公告)号：US20050035514A1

公开(公告)日：2005-02-17

申请号：US10639224

申请日：2003-08-11

申请人： Joseph Hillman ,  Dennis Conci

发明人： Joseph Hillman ,  Dennis Conci

IPC分类号： B25B11/00 ,  H01L21/683 ,  B23Q7/00

CPC分类号： H01L21/6838 ,  B25B11/005 ,  Y10T29/49998

摘要： Method and apparatus for holding a wafer having a wafer dimension during processing, the vacuum chuck comprising a concave wafer platen configured force the wafer into intimate contact with the wafer platen and provide a seal therebetween when high pressure is applied to the wafer. The wafer platen for preventing matter from entering between the wafer and vacuum chuck. A groove configured in the wafer platen applies vacuum to the underside of the wafer. A plenum configured in the platen provides pressure for a predetermined amount of time between the wafer and the vacuum chuck to disengage the wafer.

摘要翻译： 用于在处理期间保持具有晶片尺寸的晶片的方法和装置，包括凹晶片压板的真空吸盘构造成迫使晶片与晶片压板紧密接触并且当将高压施加到晶片时在其间提供密封。 用于防止物质进入晶片和真空卡盘之间的晶圆台板。 构造在晶片压板中的凹槽对晶片的下侧施加真空。 配置在压板中的气室在晶片和真空吸盘之间提供预定时间的压力以使晶片脱离。

公开(公告)号：US07442636B2

公开(公告)日：2008-10-28

申请号：US11095827

申请日：2005-03-30

申请人： Joseph Hillman

发明人： Joseph Hillman

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/02101 ,  C23G5/00 ,  H01L21/02068

摘要： A method for the pre-treatment of a wafer substrates with exposed metal surfaces is disclosed. The pre-treatment reduces oxidation of the exposed metal surfaces during subsequent supercritical cleaning processes.

摘要翻译： 公开了一种用于具有暴露的金属表面的晶片衬底的预处理的方法。 预处理在随后的超临界清洁过程中减少暴露的金属表面的氧化。

公开(公告)号：US20060223899A1

公开(公告)日：2006-10-05

申请号：US11094882

申请日：2005-03-30

申请人： Joseph Hillman ,  Robert Kevwitch

发明人： Joseph Hillman ,  Robert Kevwitch

IPC分类号： C08J9/26

CPC分类号： H01L21/31695 ,  H01L21/02107 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02343

摘要： A method of and apparatus for treating a substrate to remove porogens and/or porogen residues form a dielectric layer using a processing chamber operating at a supercritical state is disclosed. In addition, other supercritical processes can be performed before and/or after the removal process.

摘要翻译： 公开了一种使用处于超临界状态的处理室来处理基底以去除致孔剂和/或致孔剂残留物形成电介质层的方法和设备。 此外，可以在除去过程之前和/或之后执行其它超临界过程。

公开(公告)号：US20050034660A1

公开(公告)日：2005-02-17

申请号：US10639077

申请日：2003-08-11

申请人： Joseph Hillman

发明人： Joseph Hillman

IPC分类号： C23C16/00 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L21/6719 ,  H01L21/67126

摘要： An apparatus for closing a chamber, the chamber having a first chamber housing and a second chamber housing, is disclosed. The apparatus comprises a means for forming a chamber including a means for bringing the first chamber housing into contact with the second chamber housing; and a deforming means for preventing formation of particles while the first chamber housing contacts the second chamber housing, wherein the deforming means is mounted on at least one of the first chamber housing and the second chamber housing such that it deforms to accommodate any misalignment while the means for forming a chamber operates.

摘要翻译： 公开了一种用于关闭腔室的装置，该腔室具有第一腔室壳体和第二腔室壳体。 该装置包括用于形成腔室的装置，其包括用于使第一腔室壳体与第二腔室壳体接触的装置; 以及变形装置，用于在第一室壳体接触第二室壳体的同时防止形成颗粒，其中变形装置安装在第一室壳体和第二室壳体中的至少一个上，使得其变形以适应任何未对准，同时 用于形成室的装置操作。