公开(公告)号：US06870263B1

公开(公告)日：2005-03-22

申请号：US09052688

申请日：1998-03-31

申请人： Lawrence A. Clevenger ,  Ronald G. Filippi ,  Mark Hoinkis ,  Jeffery L. Hurd ,  Roy C. Iggulden ,  Herbert Palm ,  Hans W. Poetzlberger ,  Kenneth P. Rodbell ,  Florian Schnabel ,  Stefan Weber ,  Ebrahim A. Mehter

发明人： Lawrence A. Clevenger ,  Ronald G. Filippi ,  Mark Hoinkis ,  Jeffery L. Hurd ,  Roy C. Iggulden ,  Herbert Palm ,  Hans W. Poetzlberger ,  Kenneth P. Rodbell ,  Florian Schnabel ,  Stefan Weber ,  Ebrahim A. Mehter

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L23/485 ,  H01L23/532 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L21/76843 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76876 ,  H01L23/485 ,  H01L23/53223 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A conductor for interconnecting integrated circuit components having improved reliability. The conductor includes a liner surrounding at least three surfaces of the conductor, producing a low textured conductor. It has been found that low textured conductor results in improved electromigration lifetime.

摘要翻译： 用于互连具有改进的可靠性的集成电路部件的导体。 导体包括围绕导体的至少三个表面的衬垫，产生低纹理导体。 已经发现，低纹理导体导致改善的电迁移寿命。

公开(公告)号：US6140236A

公开(公告)日：2000-10-31

申请号：US63094

申请日：1998-04-21

申请人： Darryl Restaino ,  Chi-Hua Yang ,  Hans W. Poetzlberger ,  Tomio Katata ,  Hideaki Aochi

发明人： Darryl Restaino ,  Chi-Hua Yang ,  Hans W. Poetzlberger ,  Tomio Katata ,  Hideaki Aochi

IPC分类号： H01L23/52 ,  C23C14/16 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/44

CPC分类号： C23C14/165 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76877

摘要： A metal interconnect layer that fills in a via hole formed by first depositing a first Al--Cu film on the sidewalls of the via hole at a low temperature and a low sputtering power and then depositing a second Al--Cu film on the first Al--Cu film at a high temperature and high sputtering power. Sputtering is performed in two steps at low and high temperatures within the same sputtering chamber. The deposition at low temperature and low sputtering power provides good coverage in the via hole, and the deposition at high temperature and high sputtering power reduces the process time.

摘要翻译： 一种金属互连层，其填充通过在低温和低溅射功率下首先在通孔的侧壁上沉积第一Al-Cu膜形成的通孔，然后在第一Al-Cu膜上沉积第二Al-Cu膜， Cu膜在高温和高溅射功率下。 溅射在相同溅射室内的低温和高温下分两步进行。 在低温和低溅射功率下的沉积在通孔中提供了良好的覆盖，并且在高温和高溅射功率下的沉积减少了处理时间。

公开(公告)号：US4283485A

公开(公告)日：1981-08-11

申请号：US40703

申请日：1979-05-21

申请人： Wolf-Dieter Muenz ,  Hans W. Poetzlberger

发明人： Wolf-Dieter Muenz ,  Hans W. Poetzlberger

IPC分类号： H01L21/70 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L27/01 ,  H05K3/46 ,  C25D11/02 ,  C25D11/34 ,  H05K3/06

CPC分类号： H01L21/707 ,  H05K3/4685 ,  Y10T29/49156

摘要： A method is disclosed for the manufacture in electric thin film R and RC circuits of a conductor crossover. A first conductor is structured at the crossover from a TaAl double layer. A portion of the top layer of the double layer is converted to a TaAl oxide and an SiO.sub.2 layer is then applied over the TaAl oxide as a double dielectric. A second conductor is then structured over the double dielectric.

摘要翻译： 公开了一种用于在导体交叉的电薄膜R和RC电路中制造的方法。 第一导体构造在与TaAl双层交叉处。 将双层顶层的一部分转化为TaAl氧化物，然后将SiO 2层作为双电介质施加在TaAl氧化物上。 然后在双电介质上构造第二导体。