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    Storage device and operating method thereof
    2.
    发明授权
    Storage device and operating method thereof 有权
    存储装置及其操作方法

    公开(公告)号：US09396063B2

    公开(公告)日：2016-07-19

    申请号：US14276002

    申请日：2014-05-13

    Applicant: Macronix International Co., Ltd.

    Inventor： Ren-Shuo Liu ,  Meng-Yen Chuang ,  Chia-Lin Yang ,  Cheng-Hsuan Li ,  Kin-Chu Ho ,  Hsiang-Pang Li

    IPC: G11C29/00 ,  G06F11/10

    CPC classification number: G06F11/1048 ,  G06F11/1016

    Abstract: An operating method of a storage device is provided. The operating method comprises the following steps. First, a first data is read from a target address of a first storage unit. Then, an assisting unit checks whether the target address is corresponding to a second data stored in a second storage unit. If the target address is corresponding to the second data, the assisting unit updates the first data according to the second data to generate an updated data. Next, an Error Correction Code (ECC) performs a decoding process on the updated data to generate a decoded data.

    Abstract translation: 提供了一种存储装置的操作方法。 操作方法包括以下步骤。 首先，从第一存储单元的目标地址读取第一数据。 然后，辅助单元检查目标地址是否对应于存储在第二存储单元中的第二数据。 如果目标地址对应于第二数据，则辅助单元根据第二数据更新第一数据以产生更新的数据。 接下来，纠错码（ECC）对更新后的数据进行解码处理，生成译码后的数据。

    STORAGE DEVICE AND OPERATING METHOD THEREOF
    3.
    发明申请
    STORAGE DEVICE AND OPERATING METHOD THEREOF 有权
    存储器件及其操作方法

    公开(公告)号：US20150149867A1

    公开(公告)日：2015-05-28

    申请号：US14276002

    申请日：2014-05-13

    Applicant: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.

    Inventor： Ren-Shuo Liu ,  Meng-Yen Chuang ,  Chia-Lin Yang ,  Cheng-Hsuan Li ,  Kin-Chu Ho ,  Hsiang-Pang Li

    IPC: G06F11/10

    CPC classification number: G06F11/1048 ,  G06F11/1016

    Abstract: An operating method of a storage device is provided. The operating method comprises the following steps. First, a first data is read from a target address of a first storage unit. Then, an assisting unit checks whether the target address is corresponding to a second data stored in a second storage unit. If the target address is corresponding to the second data, the assisting unit updates the first data according to the second data to generate an updated data. Next, an Error Correction Code (ECC) performs a decoding process on the updated data to generate a decoded data.

    Abstract translation: 提供了一种存储装置的操作方法。 操作方法包括以下步骤。 首先，从第一存储单元的目标地址读取第一数据。 然后，辅助单元检查目标地址是否对应于存储在第二存储单元中的第二数据。 如果目标地址对应于第二数据，则辅助单元根据第二数据更新第一数据以产生更新的数据。 接下来，纠错码（ECC）对更新后的数据进行解码处理，生成译码后的数据。

    METHOD AND APPARATUS OF MEASURING ERROR CORRECTION DATA FOR MEMORY
    4.
    发明申请
    METHOD AND APPARATUS OF MEASURING ERROR CORRECTION DATA FOR MEMORY 有权
    用于记忆的测量误差校正数据的方法和装置

    公开(公告)号：US20140082440A1

    公开(公告)日：2014-03-20

    申请号：US13866834

    申请日：2013-04-19

    Applicant: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.

    Inventor： Kin-Chu Ho ,  Hsiang-Pang Li ,  Hsie-Chia Chang

    IPC: G11C29/50

    CPC classification number: G11C29/50004 ,  G06F11/1048 ,  G11C11/5642 ,  G11C29/021 ,  G11C29/028 ,  G11C29/42

    Abstract: Multiple measurements are made with one memory sense operation having a first word line sensing voltage on a memory cell. The multiple measurements include a first measurement, of whether the memory cell stores either: (a) data corresponding to a first set of one or more threshold voltage ranges below the first word line sensing voltage of the one memory sense operation, or (b) data corresponding to a second set of one or more threshold voltage ranges above the first word line sensing voltage of the one memory sense operation. The multiple measurements include a second measurement, of error correction data of the memory cell indicating relative position within a particular threshold voltage range of a stored threshold voltage in the memory cell.

    Abstract translation: 通过在存储器单元上具有第一字线感测电压的一个存储器感测操作进行多次测量。 多个测量包括第一测量，存储单元是否存储：（a）与一个存储器感测操作的第一字线感测电压之下的一个或多个阈值电压范围的第一组对应的数据，或（b） 数据对应于在一个存储器感测操作的第一字线感测电压之上的一个或多个阈值电压范围的第二组。 所述多个测量包括第二测量，所述存储器单元的误差校正数据指示所述存储器单元中存储的阈值电压的特定阈值电压范围内的相对位置。

    Method and apparatus of measuring error correction data for memory
    7.
    发明授权
    Method and apparatus of measuring error correction data for memory 有权
    测量存储器误差校正数据的方法和装置

    公开(公告)号：US09299459B2

    公开(公告)日：2016-03-29

    申请号：US13866834

    申请日：2013-04-19

    Applicant: Macronix International Co., Ltd.

    Inventor： Kin-Chu Ho ,  Hsiang-Pang Li ,  Hsie-Chia Chang

    IPC: G11C29/00 ,  G11C29/50 ,  G11C11/56 ,  G11C29/02 ,  G11C29/42 ,  G06F11/10

    CPC classification number: G11C29/50004 ,  G06F11/1048 ,  G11C11/5642 ,  G11C29/021 ,  G11C29/028 ,  G11C29/42

    Abstract: Multiple measurements are made with one memory sense operation having a first word line sensing voltage on a memory cell. The multiple measurements include a first measurement, of whether the memory cell stores either: (a) data corresponding to a first set of one or more threshold voltage ranges below the first word line sensing voltage of the one memory sense operation, or (b) data corresponding to a second set of one or more threshold voltage ranges above the first word line sensing voltage of the one memory sense operation. The multiple measurements include a second measurement, of error correction data of the memory cell indicating relative position within a particular threshold voltage range of a stored threshold voltage in the memory cell.

    Abstract translation: 通过在存储器单元上具有第一字线感测电压的一个存储器感测操作进行多次测量。 多个测量包括第一测量，存储单元是否存储：（a）与一个存储器感测操作的第一字线感测电压之下的一个或多个阈值电压范围的第一组对应的数据，或（b） 数据对应于在一个存储器感测操作的第一字线感测电压之上的一个或多个阈值电压范围的第二组。 所述多个测量包括第二测量，所述存储器单元的误差校正数据指示所述存储器单元中存储的阈值电压的特定阈值电压范围内的相对位置。

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